含巯基杂环化合物在酸性蚀刻液中的缓蚀性能研究

1

作者 杜永杰 丘梓炜 +5 位作者 王红平 王跃川 肖龙辉 崔红兵 王小丽 陈苑明 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第3期53-59,共7页

缓蚀剂是一种能够在腐蚀介质中有效抑制金属表面腐蚀的一种化学物质或多种物质的混合物。在印制电路板线路蚀刻工艺中,含有缓蚀剂的酸性蚀刻液能抑制线路的侧向蚀刻,而不改变对线路的纵向蚀刻速率。巯基苯并咪唑类化合物是一类具有抗氧... 缓蚀剂是一种能够在腐蚀介质中有效抑制金属表面腐蚀的一种化学物质或多种物质的混合物。在印制电路板线路蚀刻工艺中,含有缓蚀剂的酸性蚀刻液能抑制线路的侧向蚀刻,而不改变对线路的纵向蚀刻速率。巯基苯并咪唑类化合物是一类具有抗氧化活性的杂环化合物,对金属表面腐蚀具有良好的抑制效果。探究含有巯基及取代基不同位置的苯并咪唑:2-巯基-5-甲基苯并咪唑和5-甲氧基-2-巯基苯并咪唑作为缓蚀剂,通过量子化学计算和分子动力学模拟研究这两种缓蚀剂可能的吸附位点;结合电化学极化曲线和阻抗谱对比分析两种缓蚀剂对于铜腐蚀的抑制效果和缓蚀机理。该研究将为后续关于含有巯基类的缓蚀剂的筛选和机理分析提供参考。 展开更多

关键词 蚀刻液 缓蚀剂 含巯基苯并咪唑类化合物 蚀刻因子

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光蚀刻不锈钢码盘制作中存在的问题及解决办法 被引量：8

2

作者 周翠花 李代学 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期42-44,共3页

分析了在光蚀刻不锈钢码盘制作中存在的问题并提出了解决办法,使制作工艺大为改进,并制造出了线条整齐性较好的不锈钢码盘,且其蚀刻深度达0.15mm,腐蚀因子达3.2。

关键词 光蚀刻 不锈钢码盘 蚀刻深度 腐蚀因子

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不锈钢蚀刻速率影响因素研究 被引量：8

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作者 傅玉婷 巴俊洲 +1 位作者 蒋亚雄 颜飞雪 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2010年第2期34-36,共3页

研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以... 研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以提高蚀刻速率。 展开更多

关键词 蚀刻 蚀刻速率 影响因素

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宝浪油田联合站三相分离器加热盘管腐蚀原因及影响因素研究 被引量：3

4

作者 罗全民 张怀智 +1 位作者 罗晓惠 李文革 《石油与天然气化工》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期170-172,共3页

通过对盘管腐蚀外貌特征、腐蚀产物、管材腐蚀形貌、表面成分及夹杂物、介质及环境影响因素等几个方面的分析、试验 ,研究了宝浪油田三相加热盘管的腐蚀原因和主要腐蚀因素对腐蚀行为的影响。结果表明 :引起三相分离器盘管腐蚀的主要原... 通过对盘管腐蚀外貌特征、腐蚀产物、管材腐蚀形貌、表面成分及夹杂物、介质及环境影响因素等几个方面的分析、试验 ,研究了宝浪油田三相加热盘管的腐蚀原因和主要腐蚀因素对腐蚀行为的影响。结果表明 :引起三相分离器盘管腐蚀的主要原因是二氧化碳腐蚀 ;环境温度升高 ,腐蚀速率增大 ,介质pH值升高可抑制腐蚀 ;介质中溶解二氧化碳对腐蚀具有较大影响。 展开更多

关键词 宝浪油田联合站 三相分离器 加热盘管 腐蚀原因 影响因素 管材腐蚀 腐蚀速率 防腐措施

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乙醇胺碱性蚀铜液的研究 被引量：2

5

作者 李德良 王丹 +2 位作者 罗洁 龙丽娟 彭芸 《表面技术》 EI CAS CSCD 2008年第1期28-31,共4页

为了开发一种新型碱性蚀刻液以代替传统的氨类蚀刻液，该蚀刻液的组成特点是以铜一乙醇胺络合物、氯离子和碱性pH缓冲液作为主要成分。分别采用静态吊片蚀刻法和动态喷淋蚀刻研究方法探索了其最佳配方和操作条件，结果表明在铜离子浓度... 为了开发一种新型碱性蚀刻液以代替传统的氨类蚀刻液，该蚀刻液的组成特点是以铜一乙醇胺络合物、氯离子和碱性pH缓冲液作为主要成分。分别采用静态吊片蚀刻法和动态喷淋蚀刻研究方法探索了其最佳配方和操作条件，结果表明在铜离子浓度为85～95g／L，氯离子浓度3．5～4．5mol/L，乙醇胺浓度4．5～5mol/L，添加剂浓度0．5～1．5g／L，pH为8．5～9．0，操作温度为55～60℃时，其蚀刻状态最佳，相应的静态和动态蚀刻速率分别达6μm/min和20μm/min，与氨类蚀刻液的对应指标相当，且防侧蚀指标更高。结论是该碱性蚀刻液在生产配制、使用和再生循环过程中无废气排放，技术指标优越，具有良好的工业应用前景。 展开更多

关键词 蚀铜液 乙醇胺 蚀刻速率 侧蚀因子

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碱性蚀刻液影响因素的研究 被引量：7

6

作者 莫凌 李德良 +1 位作者 杨焰 李佳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期54-56,共3页

为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-... 为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-的质量浓度为4．8～6．5mol／L，pH为8．2～9．0，操作温度为48～55℃；2）正交试验结果表明，在Cu^2＋的质量浓度为160g／L，Cl^-的质量浓度为5．5mol／L，pH为8．8，操作温度为50℃时，蚀刻状态最好，静态蚀刻速率可达到5．84um／min。 展开更多

关键词 碱性蚀刻液 蚀刻速率 正交试验 影响因素

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运用光蚀刻技术制造金属光栅盘 被引量：2

7

作者 金轸裕 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1996年第3期85-90,共6页

光蚀刻技术广泛应用于金属部件的成型和加工，本文介绍用光蚀刻技术制造金属光栅盘的方法及其中的几个主要问题。

关键词 光蚀刻 光化学加工 光致抗蚀剂 金属光栅盘

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利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管 被引量：2

8

作者 李浩 林春 +2 位作者 周松敏 王溪 孙权志 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期223-227,共5页

碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反... 碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反向偏置下增益可达1 000.对器件进行了噪声频谱测试,计算了其过剩噪声因子. 展开更多

关键词 HGCDTE 雪崩光电二极管 离子束刻蚀 增益 过剩噪声因子

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化学腐蚀法制作SERS活性衬底

9

作者 张建生 孙传东 +2 位作者 卢笛 苟增光 陈良益 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第1期45-47,共3页

本文给出一种简便的方法——化学腐蚀法，用来制备具有ＳＥＲＳ活性的衬底． 用这种方法制作的银片衬底，增强因子最大为４×１０４，而且其ＳＥＲＳ特性与腐蚀剂、腐蚀时间有关．同经氧化－还原过程垂处理之银片用化学沉积法制得... 本文给出一种简便的方法——化学腐蚀法，用来制备具有ＳＥＲＳ活性的衬底． 用这种方法制作的银片衬底，增强因子最大为４×１０４，而且其ＳＥＲＳ特性与腐蚀剂、腐蚀时间有关．同经氧化－还原过程垂处理之银片用化学沉积法制得的眼镜相比较，化学腐蚀之银片衬底增强效果较差． 展开更多

关键词 化学腐蚀 表面增强喇曼散射 增强因子 活性衬底

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酸压过程中酸蚀裂缝导流能力研究 被引量：33

10

作者 李年银 赵立强 +2 位作者 张倩 任晓宁 刘平礼 《钻采工艺》 CAS 北大核心 2008年第6期59-62,168,共4页

酸蚀裂缝导流能力是影响酸压效果的关键参数之一。由于酸岩反应随机性强,酸蚀裂缝导流能力难以准确预测。影响酸蚀裂缝导流能力的因素较多,采用自行研制的DP-I型裂缝导流能力试验仪,综合研究了岩石嵌入强度、闭合应力、酸液用量、酸接... 酸蚀裂缝导流能力是影响酸压效果的关键参数之一。由于酸岩反应随机性强,酸蚀裂缝导流能力难以准确预测。影响酸蚀裂缝导流能力的因素较多,采用自行研制的DP-I型裂缝导流能力试验仪,综合研究了岩石嵌入强度、闭合应力、酸液用量、酸接触时间、酸液滤失以及注酸排量等主要因素对酸蚀裂缝导流能力的影响。在理论计算模型方面,迄今为止主要包括N—K模型、Gangi"钉床"模型、Walsh模型、Tsang&Witherspoon孔隙模型和GongM模型,文章对各种计算模型进行了综合分析,就目前而言,国内外仍主要采用N-K经验关系式来预测酸蚀裂缝导流能力,其他模型因为所需参数难以确定,无法在实际中应用。 展开更多

关键词 酸压 酸蚀裂缝导流能力 计算模型

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轴向填充率渐变型二维光子晶体

11

作者 周建伟 梁静秋 +1 位作者 梁中翥 王维彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1112-1119,共8页

提出了一种轴向填充率渐变型二维三角晶格方空气孔光子晶体,由锥形孔周期性排布而成,在第三维也就是沿空气孔的轴向,空气孔的尺寸连续改变,实现了填充率渐变,填充率f范围为0.700～0.866。经过模拟,在归一化波长(λ/a)的1.43～2.71和3.41... 提出了一种轴向填充率渐变型二维三角晶格方空气孔光子晶体,由锥形孔周期性排布而成,在第三维也就是沿空气孔的轴向,空气孔的尺寸连续改变,实现了填充率渐变,填充率f范围为0.700～0.866。经过模拟,在归一化波长(λ/a)的1.43～2.71和3.41～4.00波段,轴向填充率渐变型光子晶体可以将光向填充率小的方向偏折,具有选光功能。采用电化学腐蚀与MEMS工艺相结合的方式,在p型(100)硅基底上制作了轴向填充率渐变型二维三角晶格方孔光子晶体,整个孔的填充率f在0.800～0.866范围内。 展开更多

关键词 二维光子晶体 轴向填充率渐变 电化学腐蚀

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用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作 被引量：2

12

作者 蔡梅妮 林友玲 +3 位作者 车录锋 苏荣涛 周晓峰 黎晓林 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第12期107-110,113,共5页

设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个... 设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽,使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞,采用双面划片工艺。划片后,器件的总尺寸为6.8 mm×5.6 mm×1.72 mm,其中,敏感质量块尺寸为3.2 mm×3.2 mm×0.86 mm,检测电容间隙2.1μm。对器件级真空封装后的MEMS加速度传感器进行了初步测试,结果表明:制作的传感器的谐振频率为861 Hz,品质因数Q为76,灵敏度为1.53V/gn,C-V特性正常,氦气细漏<1×10-9atm-cm3/s,粗漏无气泡。 展开更多

关键词 三明治电容式MEMS加速度传感器 自停止腐蚀 品质因数 器件级真空封装 双面划片

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红外探测器100%占空比的方形孔径球面微透镜阵列的研制 被引量：1

13

作者 董亭亭 陈驰 付跃刚 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1042-1047,共6页

为了避免由于红外探测器焦平面阵列存在占空比导致系统光能损失的影响,设计并制作了一种100%占空比、球面矢高8μm、周期50μm的红外石英方形孔径球面微透镜阵列。应用非序列光学分析方法模拟并分析了微透镜周期结构占空比对光能利用率... 为了避免由于红外探测器焦平面阵列存在占空比导致系统光能损失的影响,设计并制作了一种100%占空比、球面矢高8μm、周期50μm的红外石英方形孔径球面微透镜阵列。应用非序列光学分析方法模拟并分析了微透镜周期结构占空比对光能利用率的影响。运用移动掩膜曝光技术和反应离子刻蚀技术制备微透镜阵列,通过显微镜和白光干涉仪对微透镜表面形貌进行表征,并分析了其面形误差。根据实验结果判断射频功率、工作气压及刻蚀气体流量工艺参数对微透镜形貌具有很大影响,经过分析确定了最佳工艺参数组合。测试结果表明:在最佳工艺参数组合条件下制作的微透镜占空比基本达到100%,红外焦平面光能效率从原来的65%提升到93%以上,说明方形孔径球面微透镜能够代替传统圆形孔径微透镜获得更高的光能利用率。 展开更多

关键词 微透镜阵列 100%占空比 移动掩膜曝光 反应离子刻蚀 光能效率

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低浓度弱碱三元复合体系与高温油藏的适应性 被引量：2

14

作者 李永太 鲁永辉 +1 位作者 董帅 孔柏岭 《油田化学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期316-321,共6页

为了改善特高含水高温油藏Ⅳ5-11层系水驱开发效果,系统研究了Na_2CO_3弱碱三元复合体系与高温油藏的匹配关系。室内研究与现场应用结果表明,Ⅳ5-11层系油藏条件下,弱碱三元复合体系(Na_2CO_3/表面活性剂SH6/聚合物ZL-Ⅱ)高温稳定性好,... 为了改善特高含水高温油藏Ⅳ5-11层系水驱开发效果,系统研究了Na_2CO_3弱碱三元复合体系与高温油藏的匹配关系。室内研究与现场应用结果表明,Ⅳ5-11层系油藏条件下,弱碱三元复合体系(Na_2CO_3/表面活性剂SH6/聚合物ZL-Ⅱ)高温稳定性好,在81℃下老化180 d后,油水界面张力维持在10^(-4)m N/m数量级,黏度保留率为147.6%;该体系对地层溶蚀作用较弱、碱耗小、地层伤害不明显,地面碱结垢现象不严重,Na_2CO_3具备从注入井到油井全程作用的能力。弱碱三元复合驱技术在Ⅳ5-11层系现场应用取得优异的增油降水效果,峰值含水由97.9%降至90.2%,日产油由23.0 t升至106.1 t,阶段提高采收率9.1个百分点,预计最终提高采收率14.2%。 展开更多

关键词 提高采收率 碳酸钠 三元复合驱 高温稳定性 碱耗 碱结垢 高温油藏

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PCB酸性蚀刻液中不同缓蚀剂对铜蚀刻的影响及模拟计算研究 被引量：5

15

作者 向枫 吴道新 +3 位作者 匡尹杰 肖忠良 蒋峥瑾 聂国勇 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期281-288,共8页

目的研究苯并三氮唑(BTA)、苯并咪唑(BZI)和2-巯基苯并噻唑(2-MBT)3种缓蚀剂对酸性蚀刻液中铜的蚀刻速率和蚀刻因子的影响及作用机理。方法采用静态挂片失重法计算蚀刻速率和缓蚀效率,利用金相显微镜测试蚀刻因子。通过塔菲尔极化曲线,... 目的研究苯并三氮唑(BTA)、苯并咪唑(BZI)和2-巯基苯并噻唑(2-MBT)3种缓蚀剂对酸性蚀刻液中铜的蚀刻速率和蚀刻因子的影响及作用机理。方法采用静态挂片失重法计算蚀刻速率和缓蚀效率,利用金相显微镜测试蚀刻因子。通过塔菲尔极化曲线,研究缓蚀剂分子对铜腐蚀的影响。运用密度泛函理论,计算BTA、BZI、2-MBT的全局和局部反应活性。使用Forcite模块中的COMPASS力场进行分子动力学计算,研究缓蚀剂分子在Cu层表面吸附过程中的能量变化。结果缓蚀剂的加入,降低了铜的腐蚀速度,减缓了蚀刻速率,增大了蚀刻因子。实验结果显示,2-MBT存在时,缓蚀效率最大,铜的腐蚀速度最小,蚀刻因子最佳。全局反应活性分析表明,3种缓蚀剂分子对铜的缓蚀效率关系为2-MBT>BZI>BTA;局部反应活性分析表明,2-MBT的活性主要集中在2个S原子上,S(9)可以接受电子,形成反馈键,S(10)能够提供电子,形成配位键。分子动力学计算结果表明,BTA、BZI、2-MBT均能自发吸附在铜层表面,且在Cu(111)面的吸附能分别为–2927.04、–3033.94、–3097.58 kJ/mol,表明3种缓蚀剂分子均易吸附在铜层表面,进而在一定程度上抑制铜的腐蚀。结论在酸性蚀刻液中加入缓蚀剂,能有效提高蚀刻因子。当缓蚀剂分子中的活性原子同时包含亲核中心和亲电中心时,效果更好。 展开更多

关键词 铜 酸性蚀刻液 缓蚀剂 蚀刻因子 反应活性 分子动力学 吸附能

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覆银聚酰亚胺纳米棒阵列的制备及其SERS特性

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作者 范祥祥 何秀丽 +3 位作者 李建平 高晓光 贾建 祁志美 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1036-1042,共7页

通过在聚酰亚胺(PI)膜表面进行氧等离子体刻蚀得到纳米棒阵列,并溅射Ag膜形成了覆银聚酰亚胺纳米棒阵列。利用该方法能够简单快捷地制备出具有较强活性且结构可调的表面增强拉曼散射(SERS)衬底。通过改变氧等离子体刻蚀时间和溅射Ag膜... 通过在聚酰亚胺(PI)膜表面进行氧等离子体刻蚀得到纳米棒阵列,并溅射Ag膜形成了覆银聚酰亚胺纳米棒阵列。利用该方法能够简单快捷地制备出具有较强活性且结构可调的表面增强拉曼散射(SERS)衬底。通过改变氧等离子体刻蚀时间和溅射Ag膜厚度可以调节覆银PI纳米棒的间隙、密度和直径。通过对探针分子尼罗兰(NB)测试表征了覆银PI纳米棒衬底的SERS增强能力。通过改变氧等离子体刻蚀时间和Ag膜溅射厚度实现了衬底SERS增强能力的调节。在氧等离子体刻蚀时间为30 s和溅射Ag膜厚度为70 nm时,衬底的SERS增强能力达到最强,并且其拉曼信号展现出较好的一致性。 展开更多

关键词 纳米棒阵列 表面增强拉曼散射 等离子体刻蚀 场增强因子

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三明治电容式MEMS加速度计的器件级真空封装

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作者 蔡梅妮 车录锋 +3 位作者 林友玲 周晓峰 黎晓林 吴健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期790-794,814,共6页

为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中... 为了降低微电子机械系统(MEMS)加速度器件的热机械噪声,提高信噪比,使之能应用于石油勘探和地震监测中,对一种三明治式电容加速度传感器的器件级真空封装工艺进行了研究。这种器件级真空封装方法采用可编程高真空封装设备和MEMS工业中常用的材料、工艺,可适用于不同尺寸或布局的MEMS芯片。利用该封装方法,对一种采用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上制作出2个对称"V"型槽的三明治式电容加速度计进行了真空封装,并对封装后的器件进行性能测试。结果表明,该加速度计在有吸气剂的情况下,品质因子(Q)可达到76,理论热机械噪声为0.026μg/槡Hz,腔体内部压强小于13 Pa,He气细漏检测漏率低于3×10-10Pa.m3/s,氟油粗漏无气泡,满足地震监测要求。 展开更多

关键词 三明治式MEMS加速度计 自停止腐蚀工艺 吸气剂 品质因子 器件级真空封装

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