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题名MEMS压电矢量水听器低噪声前置放大电路
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作者
邓威
樊青青
李俊红
马军
孔超
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机构
中国科学院声学研究所声场声信息国家重点实验室
中国科学院大学
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出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第4期550-554,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(12174420,11874388)
中国科学院声学研究所自主部署“目标导向”类项目(MBDX202112)
“前沿探索”类项目(QYTS202002)。
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文摘
等效自噪声是微机电系统(MEMS)压电矢量水听器重要的性能指标,前置放大电路的噪声是其主要来源之一。为降低MEMS压电矢量水听器的自噪声,设计了一种低噪声前置放大电路。采用双JFET并联电路结构,辅以合适的偏置电路,对不同噪声源进行理论分析,优化电路参数,最终实现了噪声性能较优的低噪声前置放大电路的设计与制备。测试结果表明,在MEMS压电矢量水听器的工作频带内,低噪声前置放大电路信号放大无失真,电压增益为43.8d B,等效输入噪声电压谱密度为0.7nV√Hz@1 kHz其噪声性能较国内外同类型的放大电路具有一定优势。
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关键词
等效自噪声
MEMS压电矢量水听器
前置放大电路
1/f噪声
噪声电压谱密度
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Keywords
equivalent self-noise
MEMS piezoelectric vector hydrophone
preamplifier circuit
1/f noise
noise voltage spectral density
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分类号
TN384
[电子电信—物理电子学]
TN929.3
[电子电信—通信与信息系统]
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题名长波长PIN/HBT集成光接收机前端噪声分析
被引量:1
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作者
崇英哲
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机构
北京邮电大学
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出处
《中兴通讯技术》
2004年第4期45-47,共3页
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文摘
文章研究磷化铟(InP)基异质结双极晶体管(HBT)和PIN光电二极管(PIN-PD)单片集成技术,利用器件的小信号等效电路详细计算了长波长PIN/HBT光电子集成电路(OEIC)光接收机前端等效输入噪声电流均方根(RMS)功率谱密度。分析表明:对于高速光电器件,当频率在100MHz~2GHz范围内时,基极电流引起的散粒噪声和基极电阻引起的热噪声起主要作用;频率大于5GHz时,集电极电流引起的散粒噪声和基极电阻引起的热噪声起主要作用。在上述结论的基础上,文章最后讨论了在集成前端设计的过程中减小噪声影响的基本方法。
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关键词
PIN
HBT
光接收机
功率谱密度
噪声电流
光电集成电路
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Keywords
photoreceiver front-end
InP-based HBT
PIN photodetector
noise current
power spectral density
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分类号
TN851
[电子电信—信息与通信工程]
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题名一种T型调谐光接收机前端的改进设计
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作者
刘杰
王江平
李玉权
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机构
解放军理工大学通信工程学院
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2006年第B06期170-174,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60472007)
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文摘
对T型电感谐振式光接收机进行了详细的理论分析。为了改善调谐前端的低频特性,提出了一种改进型的T型调谐电路结构。采用微波低噪声理论对此进行了分析,结合CAD技术对电路进行优化计算,获得最优参数。构建实验电路对理论分析进行了验证。本文的工作对于调谐光接收机的制作具有较好的实用价值。
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关键词
T型调谐前端
跨阻抗增益
等效输入噪声电流
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Keywords
Tee-tuned front-end; Transimpedance gain; equivalent input noise current
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分类号
TN855
[电子电信—信息与通信工程]
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题名双极型运算放大器的E_n-I_n噪声矩阵建模
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作者
王军
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机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
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出处
《电子器件》
EI
CAS
2000年第2期130-135,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目! ( 6990 1 0 0 3)
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文摘
本文通过描述同相放大器等效输入噪声电压谱密度 E2ni,导出了一种双极型运放 En- In 噪声矩阵参数的提取方法。并通过分析复相关系数的相对误差确定了提取准则。与现有方法相比 ,本文方法不仅可以完整地描述运放的噪声特性 ,而且还有利于不同运放电路 (如宽带前置放大器、有源滤波器等 )的精确低噪声设计。最后 ,还充分验证了本文方法的可行性和正确性。
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关键词
运放
噪声矩阵
建模
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Keywords
operational amplifier
E_n-I_n noise matrix
I_n-phase amplifier,spectral density of equivalent input noise voltage
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分类号
TN722.77
[电子电信—电路与系统]
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题名一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现
被引量:9
- 5
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作者
唐立田
张海英
黄清华
李潇
尹军舰
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机构
中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室
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出处
《电子器件》
CAS
2009年第3期566-569,共4页
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基金
国家自然科学基金资助(60276021)
国家重点基础研究发展规划项目资助(G2002CB311901)
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文摘
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)~(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。
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关键词
跨阻放大器
RGC结构
等效输入噪声电流谱密度
0.18μm
CMOS工艺
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Keywords
trans-impedance amplifier
regulated cascode(RGC)
equivalent input current noise spectral density
0. 18μm CMOS technology
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名低频电阻电流噪声测试技术的发展和应用
被引量:2
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作者
雷军
陈毓彬
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机构
工业和信息化部电子第五研究所
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出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2018年第4期21-24,共4页
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文摘
主要介绍了电阻电流噪声的表征及其测试技术的发展和应用现状,指出了目前国内的测试标准已经跟不上测试技术的发展这一问题,提出了修订标准的建议。
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关键词
电阻噪声
噪声电压
电流噪声指数
功率谱密度
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Keywords
resistance noise
noise voltage
current noise figure
power spectral density
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分类号
TU112.2
[建筑科学—建筑理论]
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