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外延衬底用CdZnTe晶体进展
被引量：
3
1
作者
刘克岳
王金义
郎维和
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期215-218,共4页
文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点，总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素，提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。
关键词
外延衬底
晶体生长
CZT晶体
碲锌镉
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职称材料
题名
外延衬底用CdZnTe晶体进展
被引量：
3
1
作者
刘克岳
王金义
郎维和
机构
华北光电技术研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期215-218,共4页
文摘
文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点，总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素，提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。
关键词
外延衬底
晶体生长
CZT晶体
碲锌镉
Keywords
epitaxy substrate
,
cdznte crystal
,
growth technology
,
crystal property
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
O782.9 [理学—晶体学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
外延衬底用CdZnTe晶体进展
刘克岳
王金义
郎维和
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1997
3
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