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基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片被引量：3: 1; 作者徐伟赵子润 +1 位作者刘会东李远鹏《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页; 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、... 展开更多; 关键词双通道多功能芯片增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(e/d phemt) 单刀双掷(SPdT)开关数控移相器数控衰减器; 在线阅读下载PDF 职称材料

2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片被引量：13: 2; 作者刘志军陈凤霞 +2 位作者高学邦崔玉兴吴洪江《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期254-258,共5页; 在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端... 展开更多; 关键词增强耗尽型均方根衰减误差 TTL 数控衰减器赝配高电子迁移率晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计被引量：7: 3; 作者李富强赵子润魏洪涛《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期612-616,共5页; 基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减... 展开更多; 关键词单片微波集成电路(MMIC) GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 增强/耗尽(e/d)型数字衰减器数字驱动器; 在线阅读下载PDF 职称材料

0.5~2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计被引量：2: 4; 作者丁有源王青松牛伟东《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期129-133,157,共6页; 基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不... 展开更多; 关键词 GAAS 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 增强/耗尽型(e/d模) 单片微波集成电路(MMIC) 磁耦合全通网络(MCAPN) 功率分配器数字驱动器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片被引量：3: 1; 作者徐伟赵子润刘会东李远鹏; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页; 文摘基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。; 关键词双通道多功能芯片增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(e/d phemt) 单刀双掷(SPdT)开关数控移相器数控衰减器; Keywords dual-channel multi-function chip enhancement and depletion pesudomorphic high electron mebility transistor(e/d phemt) single-pole-double-throw(SPdT)switch digital phase shifter digital attenuator; 分类号 TN715 [电子电信—电路与系统] TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片被引量：13: 2; 作者刘志军陈凤霞高学邦崔玉兴吴洪江; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期254-258,共5页; 文摘在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。; 关键词增强耗尽型均方根衰减误差 TTL 数控衰减器赝配高电子迁移率晶体管; Keywords enhancement/depletion （e/d） root mean square （RMS）attenuate error transistor-transistor logic （TYL） digital attenuator pseadomorphic high electron mobility （phemt）; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN715 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计被引量：7: 3; 作者李富强赵子润魏洪涛; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期612-616,共5页; 文摘基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。; 关键词单片微波集成电路(MMIC) GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 增强/耗尽(e/d)型数字衰减器数字驱动器; Keywords monolithic microwave integrated circuit(MMIC) GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(phemt) enhancement/depletion(e/d) mode digital attenuator digital driver; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN715 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名0.5~2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计被引量：2: 4; 作者丁有源王青松牛伟东; 机构石家庄军代室国防大学联合勤务学院中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期129-133,157,共6页; 文摘基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不仅缩小了芯片面积,并且在超宽带下实现了较好的相位精度和幅度一致性。采用微波探针台对芯片进行在片测试,结果表明在0.5~2.7 GHz,芯片性能良好:其小信号RF输入功率为0 dBm,芯片的插入损耗不大于7 dB,幅度波动在±0.8 dB以内,相位差为-98°~-85°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.9∶1,输出VSWR不大于1.9∶1,在-5 V电源下驱动器的静态电流为1 mA,响应速度为25 ns。芯片尺寸为3.4 mm×1.8 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、集成度高等特点,可应用于多波束天线系统中。; 关键词 GAAS 赝配高电子迁移率晶体管(phemt) 增强/耗尽型(e/d模) 单片微波集成电路(MMIC) 磁耦合全通网络(MCAPN) 功率分配器数字驱动器; Keywords GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(phemt) enhancement/depletion(e/d mode) monolithic microwave integrated circuit(MMIC) magnetically coupled all-pass network(MCAPN) power divider digital driver; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片	徐伟赵子润刘会东李远鹏	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片	刘志军陈凤霞高学邦崔玉兴吴洪江	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	13	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计	李富强赵子润魏洪涛	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	0.5~2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计	丁有源王青松牛伟东	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料