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固体激光器的快速电光Q开关驱动电路的实验研究
被引量：
4
1
作者
陈颖
撒昱
+3 位作者
叶志生
白云
王升平
高惠敏
《科学技术与工程》
2007年第8期1613-1616,共4页
比较了三种不同的电光调Q驱动电路。电子管式调Q电路工作稳定,退压沿70ns左右,但空间体积大,激光脉冲能量较低;雪崩管串联式调Q电路退压时间大约为20ns,输出激光脉冲能量高,脉宽窄;MOSFET管串联调Q电路,简单可靠,单管耐压高,退压时间为5...
比较了三种不同的电光调Q驱动电路。电子管式调Q电路工作稳定,退压沿70ns左右,但空间体积大,激光脉冲能量较低;雪崩管串联式调Q电路退压时间大约为20ns,输出激光脉冲能量高,脉宽窄;MOSFET管串联调Q电路,简单可靠,单管耐压高,退压时间为50ns。
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关键词
电光Q开关
功率
mosfet
管
雪崩管
电子管
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职称材料
题名
固体激光器的快速电光Q开关驱动电路的实验研究
被引量：
4
1
作者
陈颖
撒昱
叶志生
白云
王升平
高惠敏
机构
天津大学精密仪器与光电子工程学院
出处
《科学技术与工程》
2007年第8期1613-1616,共4页
文摘
比较了三种不同的电光调Q驱动电路。电子管式调Q电路工作稳定,退压沿70ns左右,但空间体积大,激光脉冲能量较低;雪崩管串联式调Q电路退压时间大约为20ns,输出激光脉冲能量高,脉宽窄;MOSFET管串联调Q电路,简单可靠,单管耐压高,退压时间为50ns。
关键词
电光Q开关
功率
mosfet
管
雪崩管
电子管
Keywords
electrooptic q-switch power mosfet avalanche transistor electronic tube
分类号
TN248.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
固体激光器的快速电光Q开关驱动电路的实验研究
陈颖
撒昱
叶志生
白云
王升平
高惠敏
《科学技术与工程》
2007
4
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