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基于数据融合的组合结构电子式电流互感器设计 被引量：10
1
作者 邱红辉 段雄英 邹积岩 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2006年第15期14-20,共7页
目前电子式电流互感器(electroniccurrenttransformer,ECT)大多数采用单传感器开环结构,对每个环节的精度和可靠性的要求都很高,严重限制了ECT整体性能的提高,影响其实用化。介绍了铁心线圈式低功率电流互感器(lowpowercurrenttransform... 目前电子式电流互感器(electroniccurrenttransformer,ECT)大多数采用单传感器开环结构,对每个环节的精度和可靠性的要求都很高,严重限制了ECT整体性能的提高,影响其实用化。介绍了铁心线圈式低功率电流互感器(lowpowercurrenttransformer,LPCT)和印刷电路板(printedcircuitboard,PCB)空芯线圈电流互感器及其数字积分器,在此基础上设计了一种基于PCB空芯线圈和LPCT的组合结构ECT,该结构具有并联和前馈的特点,结合了这2种互感器的优点。采用数据融合算法来实现高精度测量和提高系统可靠性,并提出了辨别LPCT饱和的新方法。实验和仿真结果表明,该ECT可覆盖较大的电流测量范围,达到IEC60044-8标准中关于测量(幅值误差)、保护(复合误差)和暂态响应(峰值)的准确度要求,能够作为多用途ECT使用。 展开更多
关键词 电子式电流互感器 数据融合 组合结构 PCB空芯线圈 低功率电流互感器 数字积分器
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EDA技术在数字集成电路后端实验教学改革中应用 被引量：9
2
作者 张跃军 赵志伟 +1 位作者 栾志存 张会红 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2021年第2期172-176,共5页
集成电路技术的飞速发展,对数字集成电路后端课程的教学方法和手段提出新的要求。为适应这种要求,提出将现代电子设计自动化(EDA)技术纳入教学实践全过程的新思路。基于数字集成电路的理论和方法,针对集成电路后端设计及其工程实践课程... 集成电路技术的飞速发展,对数字集成电路后端课程的教学方法和手段提出新的要求。为适应这种要求,提出将现代电子设计自动化(EDA)技术纳入教学实践全过程的新思路。基于数字集成电路的理论和方法,针对集成电路后端设计及其工程实践课程前期教学存在的不足,通过引入EDA技术的方式对改善课程和实验教学效果进行探讨。近几年的教学实践表明,应用EDA技术对数字集成电路后端实验课程教学进行改革,对激发学生的学习兴趣起到积极作用,同时还可加深学生对基本概念的理解和提高学生集成电路设计的动手能力。 展开更多
关键词 数字集成电路 教学改革 电子设计自动化技术
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Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计 被引量：7
3
作者 李富强 赵子润 魏洪涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期612-616,共5页
基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减... 基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。 展开更多
关键词 单片微波集成电路(MMIC) GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 增强/耗尽(E/D)型 数字衰减器 数字驱动器
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X波段4 bit MMIC数字移相器的设计与实现 被引量：4
4
作者 孙朋朋 刘辉 +3 位作者 耿苗 张蓉 王琦 罗卫军 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期431-435,共5页
基于WIN 0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。22.5°和45°移相单元采用开关滤波型拓扑结构,90°和180°移相单元采用高低通滤波型拓扑结构... 基于WIN 0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。22.5°和45°移相单元采用开关滤波型拓扑结构,90°和180°移相单元采用高低通滤波型拓扑结构。对拓扑结构工作原理进行分析,并采用ADS2014软件完成电路的电磁仿真及优化。测试结果表明,该4 bit MMIC数字移相器获得了优良的宽带性能,且与仿真结果吻合良好。在8~13 GHz频带内,移相器的均方根(RMS)相位精度误差小于6.5°,插入损耗优于-6.8 dB,RMS插入损耗波动低于0.5 dB,输入回波损耗优于-13 dB,输出回波损耗优于-9.5 dB。该4 bit MMIC数字移相器在相对带宽为47%的X频段内性能优良,适用于有源相控阵雷达等通信系统中。 展开更多
关键词 数字移相器 单片微波集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 开关滤波型 高低通型
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基于Multisim 9的数字电子钟设计与仿真 被引量：10
5
作者 罗映祥 《现代电子技术》 2010年第9期184-186,共3页
数字电子钟广泛应用于各个公共场所,其电路设计的一般方法是连线多而杂,不便于理解其电路构成。利用中规模集成电路,设计了数字电子钟,由于采用了层次电路设计方法,将其分成各个单元电路设计成层次块,最后将各层次块连线成整机电路,连... 数字电子钟广泛应用于各个公共场所,其电路设计的一般方法是连线多而杂,不便于理解其电路构成。利用中规模集成电路,设计了数字电子钟,由于采用了层次电路设计方法,将其分成各个单元电路设计成层次块,最后将各层次块连线成整机电路,连线美观,便于理解各单元电路功能,其整机电路功能也一目了然。 展开更多
关键词 数字电子钟 层次电路 MULTISIM9 集成电路
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GaN MMIC六位数字衰减器的设计 被引量：1
6
作者 齐志华 谢媛媛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第12期921-925,共5页
基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带... 基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带内,该衰减器的插入损耗小于4.8 dB,64态衰减精度均方根误差小于0.6 dB,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-12.5 dB,附加相移为-14°~4°。在10 GHz下,其1 dB压缩点输入功率达到34.5 dBm。裸片尺寸为2.30 mm×1.10 mm。 展开更多
关键词 GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 数字衰减器 宽带
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可编程逻辑器件的发展及其应用 被引量：2
7
作者 乔继红 《北京轻工业学院学报》 1999年第3期12-16, ,共5页
可编程逻辑器件（ＰＬＤ） 是用于自行设计、生产数字集成电路的器件， 自７０年代诞生以来， 得到了迅速发展． 介绍了ＰＬＤ发展过程中的典型器件ＰＡＬ、ＰＬＡ、ＧＡＬ、ＦＰＧＡ、ＥＰＬＤ等， ＰＬＤ尤其是高密度ＰＬＤ， 具有使... 可编程逻辑器件（ＰＬＤ） 是用于自行设计、生产数字集成电路的器件， 自７０年代诞生以来， 得到了迅速发展． 介绍了ＰＬＤ发展过程中的典型器件ＰＡＬ、ＰＬＡ、ＧＡＬ、ＦＰＧＡ、ＥＰＬＤ等， ＰＬＤ尤其是高密度ＰＬＤ， 具有使用灵活、成本低廉和反复可编程等特点， 广泛应用于电子、通信等领域． 展开更多
关键词 数字集成电路 可编程逻辑器 设计 应用 电子器件 PLD GAL FPGA
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基于仿真平台的数字电路的设计 被引量：1
8
作者 伍学珍 《现代电子技术》 2002年第6期24-26,共3页
介绍两种设计和实现四路优先抢答器的电路 ,掌握运用电子仿真平台设计出结构合理、工作性能稳定的数字电路方法。
关键词 电子仿真平台 数字集成电路 卡诺图 计算机
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基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术 被引量：1
9
作者 倪金玉 孔岑 +1 位作者 周建军 孔月婵 《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期53-56,共4页
基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,... 基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,输出电流ID达到8A,导通电阻RON为300mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63V和0.95V;所研制17级环形振荡器在输入6V条件下振荡频率345MHz,级延时为85ps。 展开更多
关键词 单片集成 p-GaN帽层 增强型GaN功率电子器件 数字电路
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0.5~2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计 被引量：2
10
作者 丁有源 王青松 牛伟东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期129-133,157,共6页
基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不... 基于0.25μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片。该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不仅缩小了芯片面积,并且在超宽带下实现了较好的相位精度和幅度一致性。采用微波探针台对芯片进行在片测试,结果表明在0.5~2.7 GHz,芯片性能良好:其小信号RF输入功率为0 dBm,芯片的插入损耗不大于7 dB,幅度波动在±0.8 dB以内,相位差为-98°~-85°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.9∶1,输出VSWR不大于1.9∶1,在-5 V电源下驱动器的静态电流为1 mA,响应速度为25 ns。芯片尺寸为3.4 mm×1.8 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、集成度高等特点,可应用于多波束天线系统中。 展开更多
关键词 GAAS 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 增强/耗尽型(E/D模) 单片微波集成电路(MMIC) 磁耦合全通网络(MCAPN) 功率分配器 数字驱动器
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