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硫化时间对电沉积制备FeS_2薄膜组织与结构的影响 被引量:4
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作者 文良起 刘艳辉 +1 位作者 侯玲 孟亮 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期552-554,558,共4页
利用电沉积及热硫化法制备了FeS2多晶薄膜,研究了不同硫化时间对FeS2薄膜形成过程的影响.结果表明采用Na2S2O3和FeSO4水溶液电沉积和150~200℃处理可以制备多孔Fe3O4薄膜,再经400℃、80kPa硫化处理,Fe3O4可转变成FeS2多晶薄膜.随硫化... 利用电沉积及热硫化法制备了FeS2多晶薄膜,研究了不同硫化时间对FeS2薄膜形成过程的影响.结果表明采用Na2S2O3和FeSO4水溶液电沉积和150~200℃处理可以制备多孔Fe3O4薄膜,再经400℃、80kPa硫化处理,Fe3O4可转变成FeS2多晶薄膜.随硫化时间延长到10h,FeS2的晶格常数减小而晶粒粗化,再继续延长硫化时间,FeS2的晶格常数增大而晶粒尺寸下降.可以用点缺陷浓度、相变应力及亚晶界运动等因素分析Fe3O4向FeS2转变过程中的微观组织参数变化规律. 展开更多
关键词 FeS2 薄膜 电沉积 硫化
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电沉积法制备硫化镉薄膜及表征 被引量:1
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作者 吴建文 汪涛 +2 位作者 苏乾民 杨长安 张钦峰 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2015年第2期162-165,共4页
以CdCl2和Na2S2O3混合溶液为电解液,采用电沉积法在ITO导电玻璃基片上制备了CdS纳米薄膜。讨论了沉积电压、热处理等工艺因素对薄膜的影响。分别采用X射线衍射仪(XRD),电子色散能谱仪(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分... 以CdCl2和Na2S2O3混合溶液为电解液,采用电沉积法在ITO导电玻璃基片上制备了CdS纳米薄膜。讨论了沉积电压、热处理等工艺因素对薄膜的影响。分别采用X射线衍射仪(XRD),电子色散能谱仪(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分析了硫化镉薄膜的物相结构和表面形貌。结果表明制备的硫化镉薄膜热处理前为非晶相,热处理后的硫化镉薄膜出现六方纤锌矿CdS相。沉积电压非常重要,小于4.0 V时,制备的硫化镉薄膜由六方纤锌矿CdS相和六方相金属Cd组成。 展开更多
关键词 电沉积 硫化镉 薄膜
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