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具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究
1
作者
罗向东
翟宪振
+2 位作者
戴珊珊
余晨辉
刘培生
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2012年第4期23-27,共5页
本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作...
本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。
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关键词
LDMOS
高斯表面
漂移区
开态击穿电压
表面电场
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职称材料
二度角域点源场电位的似镜象性质
2
作者
屈超纯
张靖
张秋光
《桂林冶金地质学院学报》
1992年第1期78-89,共12页
二度角域张角为β/n(0<β≤π,n正整)时,齐次边界条件下Neumann或Dirichlet问题的解,可由张角为β的相应问题的解叠加而得。
关键词
二度边界层
点源
电场
角域
镜象性质
Neumann函数
GREEN函数
电阻率法勘探
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职称材料
题名
具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究
1
作者
罗向东
翟宪振
戴珊珊
余晨辉
刘培生
机构
南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室
出处
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2012年第4期23-27,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(A040205)
江苏省高校重大基础研究基金资助项目(08KJA510002)
+2 种基金
江苏省企业博士集聚计划
中国博士后基金资助项目(20110490075)
南通市应用科技计划资助项目(K2008024)
文摘
本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。
关键词
LDMOS
高斯表面
漂移区
开态击穿电压
表面电场
Keywords
LDMOS
Gauss-
shape
surface
drift
region
on-state breakdown voltage
surface
electric
field
分类号
TP305 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
二度角域点源场电位的似镜象性质
2
作者
屈超纯
张靖
张秋光
机构
云南大学
桂林冶金地质学院
出处
《桂林冶金地质学院学报》
1992年第1期78-89,共12页
文摘
二度角域张角为β/n(0<β≤π,n正整)时,齐次边界条件下Neumann或Dirichlet问题的解,可由张角为β的相应问题的解叠加而得。
关键词
二度边界层
点源
电场
角域
镜象性质
Neumann函数
GREEN函数
电阻率法勘探
Keywords
two-dimensional boundary layer
point sources
electric fields / wedge- shaped region
quasi-image properties
Neumann function
Green function
分类号
P631.322 [天文地球—地质矿产勘探]
O174.3 [理学—基础数学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究
罗向东
翟宪振
戴珊珊
余晨辉
刘培生
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
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职称材料
2
二度角域点源场电位的似镜象性质
屈超纯
张靖
张秋光
《桂林冶金地质学院学报》
1992
0
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职称材料
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