130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究

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作者 肖舒颜 郭刚 +7 位作者 王林飞 张峥 陈启明 高林春 王春林 张付强 赵树勇 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期506-512,共7页

为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律... 为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。 展开更多

关键词 总剂量效应 单粒子效应 协和效应 单粒子翻转 静态随机存储器

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基于原补码实现的位串行SRAM存内计算

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作者 徐伟栋 娄冕 +2 位作者 李立 张凯 龚龙庆 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1095-1104,共10页

针对目前大多数存内计算无法独立处理非卷积计算的问题,提出了一种将转置8T单元与基于向量的位串行存内运算相结合的通用混合型存内计算.采用原码一位乘、补码加法和溢出激活处理,可支持任意位宽的整数/小数及正/负数的乘累加操作,也可... 针对目前大多数存内计算无法独立处理非卷积计算的问题,提出了一种将转置8T单元与基于向量的位串行存内运算相结合的通用混合型存内计算.采用原码一位乘、补码加法和溢出激活处理,可支持任意位宽的整数/小数及正/负数的乘累加操作,也可单独完成池化和激活操作,为从神经网络到信号处理等软件算法的发展提供了必要的灵活性和可编程性,减少了数据在总线上的传输.提出的存内计算在1.2V和500MHz条件下对8位运算的吞吐量为71.3GOPs,能效为20.63TOPS/W,支持灵活位宽的卷积操作,同时减少了数据移动,提高了能效和整体性能. 展开更多

关键词 存内计算 深度神经网络 静态随机存取存储器 能效

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基于RS和BCH码的SRAM-PUF密钥提取方法及性能分析 被引量：1

3

作者 周昱 于宗光 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期187-193,共7页

物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储... 物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储器(SRAM)-PUF芯片中加入里德-所罗门(RS)硬解码,在认证系统中加入BCH软解码模块,纠正PUF在一定范围内变化来确保通过认证,并对SRAM-PUF电路在三温下进行实验分析。实验结果表明,SRAM-PUF电路的PUF点分布有较好的均衡性,在常温时可靠性接近100%,在低温条件下可靠性范围为98.84%~100%,在高温条件下,可靠性范围为97.77%~99%,当RS码和BCH码设计的纠错能力大于PUF可靠性时能够通过认证。 展开更多

关键词 物理不可克隆函数 静态随机存取存储器 模糊提取器 里德-所罗门码 BCH码

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SRAM型FPGA单粒子辐照试验系统技术研究 被引量：5

4

作者 孙雷 段哲民 +1 位作者 刘增荣 陈雷 《计算机工程与应用》 CSCD 2014年第1期49-52,共4页

单粒子辐射效应严重制约FPGA的空间应用,为提高FPGA在辐射环境中的可靠性,深入研究抗辐射加固FPGA单粒子效应评估方法,设计优化单粒子效应评估方案,开发相应的评估系统,提出基于SRAM时序修正的码流存储比较技术和基于SelectMAP端口配置... 单粒子辐射效应严重制约FPGA的空间应用,为提高FPGA在辐射环境中的可靠性,深入研究抗辐射加固FPGA单粒子效应评估方法,设计优化单粒子效应评估方案,开发相应的评估系统,提出基于SRAM时序修正的码流存储比较技术和基于SelectMAP端口配置回读技术。借助国内高能量大注量率的辐照试验环境,完成FPGA单粒子翻转(SEU)、单粒子闩锁(SEL)和单粒子功能中断(SEFI)等单粒子效应的检测,试验结果表明,该方法可以科学有效地对SRAM型FPGA抗单粒子辐射性能进行评估。 展开更多

关键词 现场可编程门阵列(FPGA) 空间辐射 单粒子效应 回读 静态随机存储器(sram) Field PROGRAMMABLE Gate Array(FPGA) static random access memory(sram)

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用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4

5

作者 董素玲 成立 +1 位作者 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成... 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。 展开更多

关键词 0.8μm工艺技术 静态随机存取存储器 BICMOS sram 双极互补金属氧化物半导体器件 输入/输出电路 地址译码器

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利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究 被引量：3

6

作者 张正选 李国政 +4 位作者 罗晋生 陈晓华 姬琳 王燕萍 巩玲华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期125-128,共4页

报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量转移值的变化关系曲线。

关键词 吕列静电加速器 单粒子效应 重离子 sram

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无SRAM的H.264/AVC去块效应滤波器 被引量：1

7

作者 李健 乔飞 +1 位作者 罗嵘 杨华中 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第8期2012-2016,共5页

针对H.264/AVC中的去块效应滤波器,该文提出了一种新的滤波处理顺序,能够显著减小片上数据缓存容量,并以此为基础设计了一种去块效应滤波器的VLSI硬件新结构。该结构利用数据复用机制减少对片外存储的访问量、节省处理时间,同时不使用片... 针对H.264/AVC中的去块效应滤波器,该文提出了一种新的滤波处理顺序,能够显著减小片上数据缓存容量,并以此为基础设计了一种去块效应滤波器的VLSI硬件新结构。该结构利用数据复用机制减少对片外存储的访问量、节省处理时间,同时不使用片内SRAM,将对片内SRAM的访问降为0。仿真结果显示,该电路在工作频率为100MHz时对HDTV能较好地实现实时滤波;在0.18μm工艺下,综合后的等效逻辑门数只有16.8k。 展开更多

关键词 H.264/AVC 去块效应滤波器 数据复用 sram(静态随机存储器) VLSI设计

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采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计 被引量：1

8

作者 张立军 吴晨 +1 位作者 王子欧 毛凌锋 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期171-176,共6页

给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的... 给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(highV_(th))器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。 展开更多

关键词 静态随机存储器(sram) 低功耗 钳位二极管 漏电流

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面向FPGA的低泄漏功耗SRAM单元设计方法研究① 被引量：2

9

作者 李列文 桂卫华 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1292-1298,共7页

针对视障人群的自主行走课题进行了研究,研制了基于视触觉功能替代的穿戴式触觉导盲装置。该装置通过导盲眼镜上的迷你光学摄像头采集周围环境的视觉图像信息,视觉图像经二值化处理后转换为触觉图像。借助触觉显示器,视障操作者能够在... 针对视障人群的自主行走课题进行了研究,研制了基于视触觉功能替代的穿戴式触觉导盲装置。该装置通过导盲眼镜上的迷你光学摄像头采集周围环境的视觉图像信息,视觉图像经二值化处理后转换为触觉图像。借助触觉显示器,视障操作者能够在其胸前的虚拟显示平面上以主动触觉方式感知该图像,从而实现对周围环境信息的触觉感知。原理性实验表明该装置能够有效帮助视障者感知路况和识别环境目标,实现自主行走。摘要针对现场可编程门阵列（FPGA）因集成度与速度提高引起的功耗问题，提出了一种适合于FPGA的低功耗静态随机存储器（SRAM）单元设计方法。该方法基于FPGA中SRAM单元在配制后存储值多数为“0”这一特点以及对SRAM单元存储值为“0”时的主要泄漏电流来源的分析，综合应用双阈值电压技术和双栅氧化层厚度技术降低SRAM单元存储值为“0”时的泄漏功耗。该方法的优点是不增加面积和整体延时，且能改善静态噪声容限。仿真结果表明，与传统结构SRAM单元相比，在保证其他性能的前提下，采用该方法所设计的SRAM单元的泄漏功耗可降低41．32％以上。 展开更多

关键词 触觉显示 穿戴触觉 视触觉功能替代 二值化图像

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基于仲裁器PUF的SRAM FPGA防克隆技术设计与实现 被引量：1

10

作者 丁浩 王建业 吕方旭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期273-277,共5页

为保护电子设备中使用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)内部电路设计不被窃取,设计了用于SRAM FPGA的防克隆电路。该电路利用FPGA制造过程中的随机误差,提取每块芯片独一无二的ID。在此ID的控制下,被保护电路只能在指定... 为保护电子设备中使用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)内部电路设计不被窃取,设计了用于SRAM FPGA的防克隆电路。该电路利用FPGA制造过程中的随机误差,提取每块芯片独一无二的ID。在此ID的控制下,被保护电路只能在指定的FPGA中正常运行,而在未指定的FPGA中运行时,无法产生正确的输出,从而达到防克隆目的。防克隆电路由使用仲裁器的物理不可克隆函数(PUF)、多数表决器、运算门阵列等三部分构成,其中仲裁器PUF电路用于提取ID,多数表决器起到提高输出稳定性的作用。最后在FPGA开发平台上证明了该电路的可行性。 展开更多

关键词 防克隆 现场可编程门阵列(FPGA) 仲裁器 物理不可克隆函数(PUF) 静态随机存储器(sram)

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Cadence法解析SRAM多单元翻转机制

11

作者 李洋 贺朝会 +2 位作者 李永宏 杨卫涛 魏佳男 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2020年第4期661-666,共6页

通过软件模拟解释了SoC静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象。采用Cadence软件设计了3X3 SRAM阵列及必要的外围电路;分析比较了串联和并联理想电流源替代单粒子瞬态电流脉冲的局限性,提出了一种... 通过软件模拟解释了SoC静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象。采用Cadence软件设计了3X3 SRAM阵列及必要的外围电路;分析比较了串联和并联理想电流源替代单粒子瞬态电流脉冲的局限性,提出了一种新的电路结构来修正理想电流源串联引发的错误;采用软件模拟方法实现了多位翻转和多单元翻转仿真,分析认为多位翻转和多单元翻转可以通过外围电路进行相互转换,实验所用SoC存储器具有较好的抗多位翻转性能。 展开更多

关键词 静态随机存储器 单粒子效应 多单元翻转 多位翻转 Cadence模拟

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基于FPGA的优化型复合TCAM设计与应用

12

作者 梅进 于哲 +3 位作者 陈方 王彬 周舜民 赵子龙 《现代电子技术》 北大核心 2025年第14期1-6,共6页

三态内容可寻址存储器(TCAM)是网络架构中的重要组件之一,用于高速搜索应用。目前基于FPGA实现的TCAM多基于单一类型存储资源,消耗的存储资源量较大,且在实际应用中TCAM的搜索字多样化,易造成存储资源冗余。针对此问题,提出一种综合利用... 三态内容可寻址存储器(TCAM)是网络架构中的重要组件之一,用于高速搜索应用。目前基于FPGA实现的TCAM多基于单一类型存储资源,消耗的存储资源量较大,且在实际应用中TCAM的搜索字多样化,易造成存储资源冗余。针对此问题,提出一种综合利用FPGA中Block RAM(BRAM)与查找表RAM(LUTRAM)来优化对搜索字划分的方法。通过灵活组合BRAM和LUTRAM,实现更加接近甚至贴合搜索字位数的优化型复合TCAM(OC-TCAM),从而降低存储资源用量,并将该设计应用于网络数据包的过滤与加密系统中。实验结果表明,所提方法相较于目前领先的基于BRAM的TCAM,存储资源用量减少了39.1%,相比于领先的基于FPGA的复合TCAM,单位面积的性能提升了20.28%。 展开更多

关键词 三态内容可寻址存储器 静态随机存取存储器 现场可编程门阵列 资源存储 网络数据包过滤 加密系统

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基于RHBD技术的深亚微米抗辐射SRAM电路的研究 被引量：7

13

作者 王一奇 赵发展 +3 位作者 刘梦新 吕荫学 赵博华 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期18-23,共6页

研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式。电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引入耦合电容、多管存储单元三种抗辐射加固技... 研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式。电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引入耦合电容、多管存储单元三种抗辐射加固技术;系统级抗辐射加固方式分别是三态冗余(TMR)、一位纠错二位检错(SEC-DED)和二位纠错(DEC)三种纠错方式,并针对各自的优缺点进行分析。通过对相关产品参数的比较,得到采用这些抗辐射加固设计可以使静态随机存储器的软错误率达到1×10-12翻转数/位.天以上,且采用纠检错(EDAC)技术相比其他技术能更有效提高静态随机存储器的抗单粒子辐照性能。 展开更多

关键词 静态随机存储器 单粒子 抗辐射加固设计 抗辐射加固 纠检错

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不同特征尺寸SRAM质子单粒子效应实验研究 被引量：5

14

作者 殷倩 郭刚 +3 位作者 张凤祁 郭红霞 覃英参 孙波波 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1118-1124,共7页

利用中国原子能科学研究院100MeV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研究.获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM的单粒子翻转(SEU)截面曲线.分析了入射质子能量及角度对不同... 利用中国原子能科学研究院100MeV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研究.获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM的单粒子翻转(SEU)截面曲线.分析了入射质子能量及角度对不同特征尺寸SRAM的SEU饱和截面的影响和效应规律,并利用蒙特卡罗方法对65nm SRAM SEU特性进行了模拟.研究结果表明:随特征尺寸的减小,SEU饱和截面会出现不同程度的降低,但降低程度会由于多单元翻转(MCU)的增多而变缓;随入射角度的增加,MCU规模及数量的增加导致器件截面增大;3款SRAM所采用的位交错技术并不能有效抑制多位翻转(MBU)的发生. 展开更多

关键词 质子 静态随机存储器 能量 入射角度 多位翻转

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SRAM-FPGA抗单粒子翻转方法和预估 被引量：9

15

作者 郭强 刘波 +3 位作者 司圣平 刘辉 蒋应富 张恒 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期112-116,共5页

为解决卫星通信系统中赛灵思公司的静态随机存储器型现场可编程门阵列(Xilinx SRAMFPGA)单粒子翻转问题,提出了一种占用硬件资源少,可靠度高的抗单粒子方法.该方法使用爱特公司的现场可编程门阵列作为检测芯片,可编程只读存储器芯片存... 为解决卫星通信系统中赛灵思公司的静态随机存储器型现场可编程门阵列(Xilinx SRAMFPGA)单粒子翻转问题,提出了一种占用硬件资源少,可靠度高的抗单粒子方法.该方法使用爱特公司的现场可编程门阵列作为检测芯片,可编程只读存储器芯片存储屏蔽位文件,通过联合测试工作组模式回读Xilinx FPGA配置文件并进行校验,发现出错则重新加载配置文件,消除单粒子翻转影响.该方法已成功在轨应用于某卫星通信系统.为计算卫星通信系统的可靠度,提出使用品质因数方法预估静态随机存储器型现场可编程门阵列单粒子翻转率,并与在轨实测数据进行比较,证明使用该方法的正确性,同时计算出实际飞行轨道的单粒子翻转率系数,为其他静态随机存储器型现场可编程门阵列、存储器等芯片的单粒子翻转率预估提供数据支撑,为我国卫星通信系统可靠性研究与设计提供参考. 展开更多

关键词 静态随机存储器型现场可编程门阵列 单粒子翻转 抗单粒子翻转方法 单粒子翻转率预估

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PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复效应影响的研究 被引量：4

16

作者 张景波 杨志平 +2 位作者 彭春雨 丁朋辉 吴秀龙 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第11期2755-2762,共8页

基于Synopsys公司3D TCAD器件模拟,该文通过改变3种工艺参数,研究65 nm体硅CMOS工艺下PMOS晶体管工艺参数变化对静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)存储单元翻转恢复效应的影响。研究结果表明:降低PMOS晶体管的P+深阱掺... 基于Synopsys公司3D TCAD器件模拟,该文通过改变3种工艺参数,研究65 nm体硅CMOS工艺下PMOS晶体管工艺参数变化对静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)存储单元翻转恢复效应的影响。研究结果表明:降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度、N阱掺杂浓度或调阈掺杂浓度,有助于减小翻转恢复所需的线性能量传输值(Linear Energy Transfer,LET);通过降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度和N阱掺杂浓度,使翻转恢复时间变长。该文研究结论有助于优化SRAM存储单元抗单粒子效应(Single-Event Effect,SEE)设计,并且可以指导体硅CMOS工艺下抗辐射集成电路的研究。 展开更多

关键词 静态随机存储器 线性能量传输值 翻转恢复时间 单粒子效应

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一种新型单粒子翻转加固SRAM单元 被引量：3

17

作者 刘鸿瑾 李天文 +3 位作者 稂时楠 张建锋 刘群 袁大威 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期941-948,共8页

随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢... 随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢复时间等方面对传统加固单元和新结构进行了对比与分析。结果表明新型SEU加固SRAM单元具有更高的临界电荷和更低的SEU恢复时间。由于其只有两个翻转敏感节点对,新结构抗SEU的能力优于ROCK,Quatrol和JUNG结构。新提出的结构以较小的面积和性能代价,显著提高SRAM单元抗SEU能力,可有效降低SRAM型存储器在深亚微米工艺节点的软错误率。 展开更多

关键词 单粒子翻转(SEU) 静态随机存储器(sram) 抗辐照加固设计 多节点翻转 存储器

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SRAM型FPGA中SEM IP核的验证与自动注错方法 被引量：1

18

作者 张皓 裴玉奎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期223-228,240,共7页

星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路。为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核,搭建了基于Xilinx Kintex-7的验证与测试平台,... 星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路。为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核,搭建了基于Xilinx Kintex-7的验证与测试平台,完成对SEM IP核的功能验证。为提高测试效率,设计了基于上述平台的自动注错方法。经过验证,该方法能够达到预期的帧地址覆盖率。实验结果表明,SEM IP核具备软错误注入与缓解功能,自动注错方法有利于此IP核的实际应用。 展开更多

关键词 单粒子翻转(SEU)效应 静态随机存储器(sram) 现场可编程门阵列(FPGA) 软错误缓解(SEM)控制器IP核 自动注错

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基于TSV转接板的3D SRAM单粒子多位翻转效应 被引量：1

19

作者 王荣伟 范国芳 +1 位作者 李博 刘凡宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期229-235,254,共8页

为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D封装SRAM模型,并选取6组相同线性能量传递(LET)值、不同能量的离子(^(11)B与^4He、^(28)Si与^(19)... 为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D封装SRAM模型,并选取6组相同线性能量传递(LET)值、不同能量的离子(^(11)B与^4He、^(28)Si与^(19)F、^(58)Ni与^(27)Si、^(86)Kr与^(40)Ca、^(107)Ag与^(74)Ge、^(181)Ta与^(132)Xe)进行蒙特卡洛仿真。结果表明,对于2层堆叠的TSV 3D封装SRAM,低能离子入射时,在Si路径下,下堆叠层SRAM多位翻转率比上堆叠层高,在TSV(Cu)路径下,下堆叠层SRAM多位翻转率比Si路径下更大;具有相同LET值的高能离子产生的影响较小。相比2D SRAM,在空间辐射环境中使用基于TSV转接板技术的3D封装SRAM时,需要进行更严格的评估。 展开更多

关键词 硅通孔(TSV)转接板 三维静态随机存储器(sram) 单粒子翻转(SEU) 重离子 多位翻转(MBU) Geant4软件

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双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计 被引量：2

20

作者 李学瑞 秋小强 刘兴辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期617-623,共7页

针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平... 针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平复制操作的开启时间,提高了数据写入SRAM的速度,使设计的SRAM可在更高频率下正常工作,同时降低了动态功耗。仿真结果显示,在0.9 V工作电压下,相对于经典位线电平复制结构,采用新结构设计的SRAM的写入时间缩短了约27.4%,动态功耗降低了约48.1%,抗干扰能力得到显著提升。 展开更多

关键词 双端口静态随机存储器(sram) 位线电平复制 写干扰 控制逻辑 数据写入时间

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