简化DG OTFT结构对模拟精度的影响

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作者 姚阳 王昭 钟传杰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期522-525,539,共5页

使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的... 使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的增加而加大,而模拟中常采用的简化结构由于忽略了电极位置对载流子注入面积及有源层内电势分布的影响,从而低估了实际器件的输出电流大小。 展开更多

关键词 双栅有机薄膜晶体管 器件模拟 电极

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基于P3HT的有机薄膜晶体管环境稳定性提升

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作者 李强 丁莉峰 +4 位作者 李磊磊 李禹文 李鑫旺 马佳楠 桑胜波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期23-31,共9页

电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定... 电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定性隔绝空气中的氧分子和水分子;利用聚(3-己基噻)(P3HT)共混聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有源层获得高抗氧化性和抗水解能力。测试结果表明,经过60d后器件载流子迁移率仅降低到原始值的87.91%,电流开关比降低到原来的81.90%,说明本文提出的环境稳定性提升方法优于其他方法。 展开更多

关键词 聚(3-己基噻吩)(P3HT) 有机薄膜晶体管(otft) 稳定性提升 表面钝化 有源层共混

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喷墨打印C8-BTBT薄膜中的衬底效应及其OTFT器件 被引量：4

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作者 王向华 顾勋 +2 位作者 张春雨 李博 吕申宸 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期522-527,538,共7页

以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)... 以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)单分子层四种衬底修饰方法,分析有机小分子薄膜生长过程中的衬底效应,及其对OTFT器件性能的影响。其中PVP或PETS修饰衬底具有疏水及低表面粗糙度的特性,在其上喷墨打印沉积的C8-BTBT单线条薄膜具有均匀性好、覆盖率高且有序堆积的结晶形貌,基于这种高质量薄膜制备的OTFT器件性能最优,饱和场效应迁移率达到1 cm2·V-1·s-1左右,开关比超过106。结果表明,对打印衬底进行疏水性处理及降低表面粗糙度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管(otft) 喷墨打印 2 苯并噻吩并[3 2-b]苯并噻吩(C8-BTBT) 衬底效应 迁移率

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有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响 被引量：2

4

作者 袁剑峰 闫东航 许武 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期14-18,共5页

研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电... 研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻,从而不利于器件性能的提高。但当有源层厚度小于20nm以后器件的性能开始降低。我们认为当有源层厚度降低到一定程度时,有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 有源层 otft 接触电阻 载流子迁移率 场效应迁移率

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PMMA栅绝缘层表面形貌对并五苯OTFT性能的影响

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作者 李雪飞 王伟 +1 位作者 王帅 石晓东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第9期554-558,580,共6页

影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,... 影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,采用溶液旋涂的工艺制备聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有机绝缘层,采用真空蒸镀的方法制备并五苯有源层及源-漏银电极。通过对比不同退火条件下PMMA绝缘栅层表面形貌及粗糙度,制备适合有源层生长的绝缘层表面,得到较好的PMMA栅绝缘层/并五苯有源层界面接触。实验表明,PMMA栅绝缘层经退火后所制备的器件场效应迁移率提高到2.52×10-3 cm2/(V·s),阈值电压降低到-11.5 V,获得了性能较好的OTFT。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管(otft) 栅绝缘层 迁移率 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 阈值电压

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C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究

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作者 黄玲玲 陈幸福 +3 位作者 胡鹏 李博 王向华 胡俊涛 《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第1期28-34,共7页

以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺... 以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多

关键词 2 苯并噻吩并[3 2‐b]苯并噻吩 结晶形貌 结晶度 迁移率 有机薄膜晶体管

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有机薄膜晶体管气体传感器的研究进展 被引量：2

7

作者 谢光忠 吴寸雪 +3 位作者 蒋亚东 太惠玲 苏元捷 杜晓松 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期664-673,共10页

重点介绍了电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室在国家自然科学基金资助下开展的有机薄膜晶体管(OTFT)气体传感器方面的研究进展。制备了酞菁铜(CuPc)薄膜为有源层的底栅底接触式结构的有机薄膜晶体管,对器件的制备工艺和结... 重点介绍了电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室在国家自然科学基金资助下开展的有机薄膜晶体管(OTFT)气体传感器方面的研究进展。制备了酞菁铜(CuPc)薄膜为有源层的底栅底接触式结构的有机薄膜晶体管,对器件的制备工艺和结构参数进行了优化,研究了其对H_2S气体的敏感特性。同时制备了P3HT-ZnO纳米棒的复合薄膜、P3HT单层薄膜、P3HT-MoS_2分层膜和复合膜的有机薄膜晶体管气体传感器,系统地分析了OTFT器件的电学性能和气敏特性。 展开更多

关键词 复合薄膜 气体传感器 分层薄膜 有机薄膜晶体管 P3HT薄膜

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基于聚噻吩/聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管 被引量：6

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作者 王晓鸿 邱龙臻 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期857-862,共6页

选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混... 选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混物薄膜仍具有较好的场效应性能,迁移率为0.008 cm2.V-1.s-1,开关电流比为5×103,阈值电压为45.5 V。原子力显微镜测试结果表明:共混物成膜时发生明显的垂直相分离,在界面处形成连续的半导体层,有利于载流子传输。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 半导体/绝缘聚合物 相分离 电性能

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喷墨打印技术在功能材料精密器件加工中的应用 被引量：1

9

作者 胡建波 朱谱新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1-4,10,共5页

喷墨打印技术应用于聚合物成膜或成型,已成为功能聚合物沉积和精密器件加工领域的核心技术之一。介绍了喷墨打印技术在聚合物电致发光器件、有机薄膜晶体管、太阳能电池和传感器等领域的研究和应用进展,包括聚合物墨水的制备、薄膜均匀... 喷墨打印技术应用于聚合物成膜或成型,已成为功能聚合物沉积和精密器件加工领域的核心技术之一。介绍了喷墨打印技术在聚合物电致发光器件、有机薄膜晶体管、太阳能电池和传感器等领域的研究和应用进展,包括聚合物墨水的制备、薄膜均匀性、聚合物溶液与打印性能的关系、新型功能材料的研究和开发等问题,并指出了存在的问题和面临的挑战。 展开更多

关键词 喷墨打印 聚合物电致发光器件 有机薄膜晶体管 太阳能电池 传感器

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MoO_3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

10

作者 徐洁 李青 +1 位作者 林慧 王洪 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期941-943,共3页

以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V... 以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 A,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。 展开更多

关键词 空穴迁移率 MoO3缓冲层 有机薄膜晶体管 阈值电压

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有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究 被引量：6

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作者 袁剑峰 闫东航 许武 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第3期168-173,共6页

研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场... 研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 阈值电压漂移 栅绝缘膜陷阱 C-V特性

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有机薄膜晶体管在电子技术中的应用及挑战

12

作者 江耀曦 高剑 《山西电子技术》 2010年第1期95-96,共2页

有机薄膜晶体管(OTFT)是有机电子学的一个重要的研究分支。本文介绍了有机薄膜晶体管的科学技术发展水平,其在电子技术各领域的应用及挑战,评述了该领域的研究进展,并对其前景进行了展望。

关键词 有机薄膜晶体管 有机半导体 电子技术

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异质诱导酞菁锌有机薄膜晶体管的蒸镀工艺

13

作者 董金鹏 孙强 +4 位作者 李桂娟 苏和平 王璐 朱阳阳 王丽娟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期700-707,共8页

通过调控对六联苯(p-6P)诱导层和酞菁锌(ZnPc)蒸镀工艺条件,研究了有机半导体小分子的结晶生长成膜与ZnPc有机薄膜晶体管(OTFT)器件电性能的关系。结果表明,p-6P在180~190℃较高的衬底生长温度和3~4 nm的生长厚度下能够形成更大的结晶... 通过调控对六联苯(p-6P)诱导层和酞菁锌(ZnPc)蒸镀工艺条件,研究了有机半导体小分子的结晶生长成膜与ZnPc有机薄膜晶体管(OTFT)器件电性能的关系。结果表明,p-6P在180~190℃较高的衬底生长温度和3~4 nm的生长厚度下能够形成更大的结晶畴以及对二氧化硅衬底表面更好的覆盖,有利于诱导ZnPc小分子的结晶生长,使晶畴的排列更加有序。同时通过X射线衍射分析晶体结构,结果表明p-6P衬底温度的升高会明显提高ZnPc薄膜的结晶性。电性能研究发现,ZnPc蒸镀厚度的增加会显著提高器件的饱和电流和迁移率,在异质诱导条件下,p-6P薄膜厚度为3 nm、ZnPc蒸镀厚度为20 nm时,器件的饱和电流为1.08×10^(-6) A,迁移率为1.66×10^(-2) cm ^(2)·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多

关键词 p-6P 酞菁锌(ZnPc) 薄膜生长 有机薄膜晶体管(otft) 电性能

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有机薄膜晶体管直流电流-电压模型研究 被引量：1

14

作者 张玲珑 滕支刚 钟传杰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期9-12,28,共5页

针对有机薄膜晶体管(OTFT)表面势对源漏电流的影响,提出一个有机薄膜晶体管的直流电流-电压模型。该模型应用Lambert W函数和Poole-Frenkel迁移率理论,定量地描述了表面势对源漏电流的影响。计算结果表明,低和高电压工作的OTFT计算值与... 针对有机薄膜晶体管(OTFT)表面势对源漏电流的影响,提出一个有机薄膜晶体管的直流电流-电压模型。该模型应用Lambert W函数和Poole-Frenkel迁移率理论,定量地描述了表面势对源漏电流的影响。计算结果表明,低和高电压工作的OTFT计算值与实验值均有良好的一致性。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 Poole-Frenkel迁移率 表面势 Lambert W函数

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