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22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究: 1; 作者杨颖琳胡成 +4 位作者朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期184-187,共4页; 研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 展开更多; 关键词异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型被引量：1: 2; 作者李尊朝罗诚 +2 位作者王闯苗治聪张莉丽《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期50-54,109,共6页; 为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构(DMSG),并建立了器件的表面电势和阈值电压解析模型。异质环栅由两种具有不同功函数的材料无缝拼接形成,能在沟道中产... 展开更多; 关键词部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能被引量：3: 3; 作者周晓敏马后成高大威《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页; 为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器... 展开更多; 关键词燃料电池汽车直流-直流(DC-DC)变换器交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(mosfet) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真被引量：1: 4; 作者胡媛代月花 +2 位作者陈军宁柯导明刘琦《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1406-1411,共6页; 对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG... 展开更多; 关键词异质双栅场效应晶体管速度过冲效应漂移-扩散的扩展方程 LDMOS器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型源电极的DMDG隧穿场效应晶体管: 5; 作者柯亚威施敏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期760-765,共6页; 研究了一种新型源电极的双物质双栅隧穿场效应晶体管（NSE-DMDG-TFET）,该器件结合了新型源电极和双物质栅的优点,其中新型源电极由传统的欧姆接触电极和高功函数浮空肖特基接触电极构成,该肖特基接触电极可有效抬升其电极下的能带、增... 展开更多; 关键词新型源电极双物质栅隧穿场效应晶体管(TFET) 亚阈值摆幅开关电流比; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究: 1; 作者杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平; 机构复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期184-187,共4页; 基金国家科技重大专项(2009ZX02305-003) 上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目; 文摘研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。; 关键词异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应; Keywords dual-material gate mosfet hot carrier effect surface electric field surface potential drain-induced barrier lowering （DIBL）; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型被引量：1: 2; 作者李尊朝罗诚王闯苗治聪张莉丽; 机构西安交通大学电子与信息工程学院; 出处《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期50-54,109,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61176038); 文摘为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构(DMSG),并建立了器件的表面电势和阈值电压解析模型。异质环栅由两种具有不同功函数的材料无缝拼接形成,能在沟道中产生电场峰值,降低漏端电场,并屏蔽漏压对最小表面势的影响。通过为沟道耗尽层各区建立柱坐标下电势泊松方程和相应的边界条件方程,采用径向抛物线近似对偏微分方程进行降维和解析求解技术,获得了DMSG结构的解析模型。仿真结果表明,与传统的部分耗尽环栅器件相比,DMSG结构载流子传输效率高,短沟道效应、漏致势垒降低效应和热载流子效应抑制能力强;所建解析模型与数值仿真软件的相对误差小于5%。; 关键词部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压; Keywords partially-depleted~ dual-material surrounding gate~ metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor~ threshold voltage; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能被引量：3: 3; 作者周晓敏马后成高大威; 机构北京科技大学机械工程学院清华大学汽车安全与节能国家重点实验室; 出处《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页; 基金国家科技支掌计划项目(2015BAG06B01) 汽车安全与节能国家重点实验室开放基金(KF14132); 文摘为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件、SiC二极管]、SiC MOSFET和Si二极管的混合器件和全硅Si[绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、Si二极管]的变换器在电路损耗。结果表明:Si IGBT的开通和关断损耗约是SiC MOSFET的3倍和10倍,在不同工况下,全SiC变换器的转换效率比全Si变换器高1%~3.1%。因而,SiC功率器件在大功率DC-DC变换器的应用中,能够提高功率密度、可靠性和动力系统工作效率。; 关键词燃料电池汽车直流-直流(DC-DC)变换器交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(mosfet) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗; Keywords fuel cell vehicles DC-DC converter interleaved dual Boost circuit SiC mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor） Si IGBT（insulated gate bipolar transistor） circuit loss; 分类号 TM131.3 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真被引量：1: 4; 作者胡媛代月花陈军宁柯导明刘琦; 机构安徽大学电子科学与技术学院; 出处《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1406-1411,共6页; 基金国家自然科学基金(60576066)资助.; 文摘对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性.; 关键词异质双栅场效应晶体管速度过冲效应漂移-扩散的扩展方程 LDMOS器件; Keywords dual material gate field effect transistor （dmg mosfet） velocity overshoot effect enhanced diffusion-drift equation LDMOS device; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型源电极的DMDG隧穿场效应晶体管: 5; 作者柯亚威施敏; 机构南通大学电子信息学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期760-765,共6页; 基金江苏省自然科学研究基金资助项目(BK2012656) 江苏高校品牌专业建设工程资助项目(PPZY2015B135); 文摘研究了一种新型源电极的双物质双栅隧穿场效应晶体管（NSE-DMDG-TFET）,该器件结合了新型源电极和双物质栅的优点,其中新型源电极由传统的欧姆接触电极和高功函数浮空肖特基接触电极构成,该肖特基接触电极可有效抬升其电极下的能带、增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区、减小隧穿距离,提高了开态电流和开关电流比,获得了更小的亚阈值摆幅。运用Silvaco TCAD软件完成器件仿真,并优化了该肖特基接触电极与栅电极的间距、栅金属功函数等参数。仿真结果表明：在室温下,该隧穿场效应晶体管的开态电流为3. 22×10^-6A/μm,关态电流为5. 71×10^-17A/μm,开关电流比可达5. 64×10^10,亚阈值摆幅为34. 22 mV/dec。; 关键词新型源电极双物质栅隧穿场效应晶体管(TFET) 亚阈值摆幅开关电流比; Keywords novel source electrode dual-material gate tunneling field-effect transistor （TFET） subthreshold swing on/off current ratio; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究	杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型	李尊朝罗诚王闯苗治聪张莉丽	《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能	周晓敏马后成高大威	《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真	胡媛代月花陈军宁柯导明刘琦	《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种新型源电极的DMDG隧穿场效应晶体管	柯亚威施敏	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料