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漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
1
作者
吴晓鹏
杨银堂
+1 位作者
董刚
高海霞
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期26-30,共5页
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间...
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.
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关键词
漏极接触孔到栅间距
静电放电
栅接地N型金属氧化物半导体
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职称材料
题名
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
1
作者
吴晓鹏
杨银堂
董刚
高海霞
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期26-30,共5页
基金
国家部委预研究基金资助项目(9140A23060111)
陕西省科技统筹创新工程计划资助项目(2011KTCQ01-19)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K5051325011)
文摘
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.
关键词
漏极接触孔到栅间距
静电放电
栅接地N型金属氧化物半导体
Keywords
drain contact to gate space （dcgs）
electrostatic discharge （ESD）
gate
grounded NMOS（GGNMOS）
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
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被引量
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1
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
吴晓鹏
杨银堂
董刚
高海霞
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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