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介电层粗糙对电容式RF MEMS开关down态电容退化的影响
被引量：
3
1
作者
李君儒
高杨
+2 位作者
何婉婧
蔡洵
黄振华
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期205-210,共6页
电容式RF MEMS开关在控制高功率射频信号时会发生自锁失效,由于开关桥膜与介电层之间的粗糙接触,开关的down态电容会发生退化,因此很难建立开关自锁失效阈值功率的高保真预测模型。提出了3D电磁-等效电路仿真对比建模的方法。建立开关...
电容式RF MEMS开关在控制高功率射频信号时会发生自锁失效,由于开关桥膜与介电层之间的粗糙接触,开关的down态电容会发生退化,因此很难建立开关自锁失效阈值功率的高保真预测模型。提出了3D电磁-等效电路仿真对比建模的方法。建立开关的3D电磁仿真模型,仿真得到具有任一表面粗糙度水平的介电层粗糙开关的隔离度(S21)曲线;再建立同一开关的等效电路模型,通过调谐其down态电容值,使得仿真得到的S21曲线与3D电磁模型仿真结果尽可能吻合;此时,可以确定一组根据开关3D电磁仿真模型设定的表面粗糙度水平与等效电路模型调谐好的down态电容值的关系;改变开关介电层的表面粗糙度水平,并重复上述步骤,确定了任一开关的介电层表面粗糙度与开关down态电容退化的关系。采用文献的down态电容实测数据,初步验证了该方法的可行性和合理性。并利用所得的开关down态电容随介电层表面粗糙度退化的特性,对简化的(介电层光滑)开关自锁失效阈值功率解析计算式进行了修订,可扩展用于预测介电层粗糙开关的功率容量。
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关键词
电容
式开关
介电层粗糙
自锁
down态电容退化
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职称材料
题名
介电层粗糙对电容式RF MEMS开关down态电容退化的影响
被引量：
3
1
作者
李君儒
高杨
何婉婧
蔡洵
黄振华
机构
西南科技大学信息工程学院
中国工程物理研究院电子工程研究所
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室
重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期205-210,共6页
基金
中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金项目(ZZ14001
2012CJMZZ00009)
+5 种基金
重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室访问学者基金项目
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金项目(2013MS04)
中国工程物理研究院电子工程研究所创新基金项目(S20141203)
西南科技大学研究生创新基金项目(14YCX107
14YCX109
14YCX111)
文摘
电容式RF MEMS开关在控制高功率射频信号时会发生自锁失效,由于开关桥膜与介电层之间的粗糙接触,开关的down态电容会发生退化,因此很难建立开关自锁失效阈值功率的高保真预测模型。提出了3D电磁-等效电路仿真对比建模的方法。建立开关的3D电磁仿真模型,仿真得到具有任一表面粗糙度水平的介电层粗糙开关的隔离度(S21)曲线;再建立同一开关的等效电路模型,通过调谐其down态电容值,使得仿真得到的S21曲线与3D电磁模型仿真结果尽可能吻合;此时,可以确定一组根据开关3D电磁仿真模型设定的表面粗糙度水平与等效电路模型调谐好的down态电容值的关系;改变开关介电层的表面粗糙度水平,并重复上述步骤,确定了任一开关的介电层表面粗糙度与开关down态电容退化的关系。采用文献的down态电容实测数据,初步验证了该方法的可行性和合理性。并利用所得的开关down态电容随介电层表面粗糙度退化的特性,对简化的(介电层光滑)开关自锁失效阈值功率解析计算式进行了修订,可扩展用于预测介电层粗糙开关的功率容量。
关键词
电容
式开关
介电层粗糙
自锁
down态电容退化
Keywords
RF MEMS
capacitive switch
rough dielectric
latching
degradation of down-state capacitance
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
介电层粗糙对电容式RF MEMS开关down态电容退化的影响
李君儒
高杨
何婉婧
蔡洵
黄振华
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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