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氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响
被引量：
1
1
作者
高秀秀
柯攀
戴小平
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第3期217-221,236,共6页
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175...
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175℃下进行了阈值电压和漏源电流的测试,并结合仿真探讨了SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对25℃和175℃结温下阈值电压的影响以及沟道迁移率和库仑散射温度指数对漏源电流的影响。实验和仿真结果表明,随着NO退火温度的降低,漏源电流的温度系数由负转正,且沟道迁移率中库仑散射温度指数增加;高温N_(2)退火对静态电参数没有影响;界面空穴陷阱能级宽度对阈值电压的高温漂移量起主要作用;漏源电流随沟道迁移率的增加呈非线性增长。
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关键词
4H-SIC
双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(
dimosfet
)
界面陷阱
沟道迁移率
库仑散射
温度指数
TCAD仿真
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职称材料
题名
氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响
被引量：
1
1
作者
高秀秀
柯攀
戴小平
机构
湖南国芯半导体科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第3期217-221,236,共6页
基金
湖南省科技创新计划项目(2018XK2202)。
文摘
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175℃下进行了阈值电压和漏源电流的测试,并结合仿真探讨了SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对25℃和175℃结温下阈值电压的影响以及沟道迁移率和库仑散射温度指数对漏源电流的影响。实验和仿真结果表明,随着NO退火温度的降低,漏源电流的温度系数由负转正,且沟道迁移率中库仑散射温度指数增加;高温N_(2)退火对静态电参数没有影响;界面空穴陷阱能级宽度对阈值电压的高温漂移量起主要作用;漏源电流随沟道迁移率的增加呈非线性增长。
关键词
4H-SIC
双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(
dimosfet
)
界面陷阱
沟道迁移率
库仑散射
温度指数
TCAD仿真
Keywords
4H-SiC
double
implanted
metal-oxide-semiconductor
field
effect
transistor
(
dimosfet
)
interface trap
channel mobility
Coulomb scattering
temperature index
TCAD simulation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响
高秀秀
柯攀
戴小平
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
1
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