不同梯度掺杂透射式GaAs光电阴极的平均时间衰减常数及瞬态响应理论研究

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作者 蔡志鹏 黄文登 +2 位作者 杨创华 娄本浊 何军锋 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第5期398-407,共10页

计算了透射式GaAs负电子亲和势光电阴极在不同掺杂梯度下的平均时间衰减常数τ',分析认为,阴极吸收层厚度L、掺杂梯度对τ'影响占主要地位,且随L、掺杂梯度的增大逐渐减小;仿真涉及的两种掺杂方式,吸收层浓度的e指数掺杂方式和... 计算了透射式GaAs负电子亲和势光电阴极在不同掺杂梯度下的平均时间衰减常数τ',分析认为,阴极吸收层厚度L、掺杂梯度对τ'影响占主要地位,且随L、掺杂梯度的增大逐渐减小;仿真涉及的两种掺杂方式,吸收层浓度的e指数掺杂方式和e指数电场掺杂方式,没有发现它们对τ'的影响。当L~0.2-0.5μm较小时,光子能量E_(hv)对τ'的影响较大。随光子能量E_(hv)进一步增大,它对τ'的影响逐渐减小;在L、E_(hv)变化过程中,发现了L、E_(hv)对τ'的影响的动态竞争关系,分析认为,二者竞争的实质是,初时刻表面光电子浓度与体内光电子浓度分布的动态竞争,共同影响了τ'的变化,且这种竞争关系,不是二者简单的叠加关系,而是出现一种复杂的、交替占主导的、此消彼长的变化关系,随着L增大,E_(hv)由主导逐渐过渡到占次要地位,而L由次要地位过渡到占主导地位。同时,基于τ'仿真得到了阴极在不同掺杂方式、不同掺杂梯度下的时间响应特性—T_(m)和FWHM,它们均随掺杂梯度的增大而逐渐减小,而e指数电场掺杂方式具有优异的响应特性。该仿真结果为透射式GaAs光电阴极在高速摄影、电子源、光电倍增管以及像增强器的应用研究提供了必要的理论基础和数据支持。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 梯度掺杂 平均时间衰减常数 最优系数因子 时间响应

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掺杂n^(+) GaAs的热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段的研究

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作者 洪阳 张志强 +2 位作者 孙国琛 郑从兵 刘佳琦 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期143-147,共5页

本文主要通过理论设计和性能测试,研究了热电堆的半导体臂n^(+)GaAs的掺杂浓度对热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段工作性能的影响。该类传感器基于微波功率-热-电转换原理工作,其中热电堆是由半导体臂n^(+)GaAs和金属臂Au构成。通过建... 本文主要通过理论设计和性能测试,研究了热电堆的半导体臂n^(+)GaAs的掺杂浓度对热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段工作性能的影响。该类传感器基于微波功率-热-电转换原理工作,其中热电堆是由半导体臂n^(+)GaAs和金属臂Au构成。通过建立理论分析模型,探究了灵敏度、信噪比与掺杂浓度之间的关系,以指导传感器的结构设计,并基于GaAs MMIC工艺制备了四种n^(+)GaAs掺杂浓度下MEMS微波功率传感器。实验结果表明:当n^(+)GaAs掺杂浓度分别为2.4×10^(18) cm^(-3)、8.5×10^(17) cm^(-3)、3.2×10^(17) cm^(-3)和1.9×10^(17) cm^(-3)时,测量的灵敏度在30 GHz分别为15.21μV/mW、17.86μV/mW、74.36μV/mW和142.34μV/mW,而其在38 GHz分别为10.91μV/mW、17.88μV/mW、48.94μV/mW和98.59μV/mW,该结果表明灵敏度随掺杂浓度增大而减小;信噪比在30 GHz分别为8.58×10^(5) W^(-1)、6.13×10^(5) W^(-1)、1.38×10^(6) W^(-1)和2.08×10^(6) W^(-1),而其在38 GHz分别为6.44×10^(5) W^(-1)、6.13×10^(5) W^(-1)、1.11×10^(6) W^(-1)和1.47×10^(6) W^(-1),该结果表明信噪比随掺杂浓度的增大先减小再增大。 展开更多

关键词 MEMS 微波功率传感器 掺杂n^(+)gaas 灵敏度 信噪比

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Zn、Si掺杂GaAs纳米线的发光性能

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作者 郎天宇 王海珠 +2 位作者 于海鑫 王登魁 马晓辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期234-241,共8页

为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs... 为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs纳米线具有更优异的发光质量,带隙随温度的变化规律符合Varshni公式,发光来源为自由激子复合(α>1)。而Zn掺杂纳米线的发光峰出现极大展宽,发光来源为缺陷或杂质相关跃迁(α<1),峰位随激发功率的变化规律与P^(1/3)成正比。结合透射电子显微镜(TEM)测试结果进一步表明,Zn掺杂纳米线中出现了纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混合结构,是导致GaAs纳米线发光质量变差的主要原因。 展开更多

关键词 材料 发光性能 金属有机物化学气相沉积 掺杂gaas纳米线

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VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制 被引量：5

4

作者 牛沈军 王建利 兰天平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期503-505,共3页

结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料。

关键词 gaas晶体 VB-gaas技术 硅掺杂

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GaAs光电阴极p型掺杂浓度的理论优化 被引量：6

5

作者 杜晓晴 常本康 宗志园 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期195-198,共4页

为了获得高量子效率的GaAs光电阴极 ,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长 ,且电子表面逸出几率大 ,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求 ,需要进行优化。本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线 ,并计算了不同p型掺杂浓度下的... 为了获得高量子效率的GaAs光电阴极 ,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长 ,且电子表面逸出几率大 ,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求 ,需要进行优化。本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线 ,并计算了不同p型掺杂浓度下的电子表面逸出几率 ,在此基础上计算了不同阴极厚度的GaAs光电阴极的理论量子效率随掺杂浓度的变化曲线。计算结果表明 ,p型掺杂浓度在～ 6× 1 0 1 8cm-3 时可获得最大量子效率 ,掺杂浓度对量子效率的限制随阴极厚度的增大而增大。 展开更多

关键词 gaas 光电阴极 掺杂 量子效率 扩散长度 逸出几率 P型

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LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文) 被引量：4

6

作者 金敏 徐家跃 +3 位作者 房永征 何庆波 周鼎 申慧 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期594-598,共5页

采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主... 采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。 展开更多

关键词 gaas 晶体生长 坩埚下降法 硅掺杂 孪晶

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MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究 被引量：8

7

作者 邹继军 常本康 杜晓晴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期401-404,共4页

本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2μm^3μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得... 本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2μm^3μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度。在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上。梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变。一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化。 展开更多

关键词 分子束外延 梯度掺杂 gaas光电阴极 量子效率 激活

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不同变掺杂结构GaAs光电阴极的光谱特性分析 被引量：3

8

作者 牛军 乔建良 +2 位作者 常本康 杨智 张益军 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期3007-3010,共4页

为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到... 为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到了体现变掺杂结构贡献程度的变掺杂系数K值。研究发现,同一阴极材料对不同波段的入射光,其掺杂结构产生的作用效果各不相同。同时,不同掺杂结构光电阴极对于相同波段范围内的入射光,其作用效果也不相同。产生这些差别的根本原因,是由于不同掺杂结构下,材料中内建电场的位置和强度不同而造成的。该研究为评判不同掺杂方式下光电阴极的结构性能提供了有效的分析手段,对研究阴极变掺杂结构的优化设计具有非常重要的应用价值。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 变掺杂 内建电场 量子效率

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GaInP_2/GaAs/Ge级联电池隧道结的结构设计及金属有机化学汽相淀积生长研究 被引量：3

9

作者 王晋国 李晓婷 魏俊波 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期37-39,43,共4页

采用国产的低压金属有机化学汽相淀积(LP MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简写为LP MOCVD)设备,生长了GaInP2/GaAs/Ge双结级联电池隧道结,分析了隧道结结构的设计原理.利用霍耳测试仪、X射线双晶衍射仪、二次离子质谱仪,对隧道结... 采用国产的低压金属有机化学汽相淀积(LP MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简写为LP MOCVD)设备,生长了GaInP2/GaAs/Ge双结级联电池隧道结,分析了隧道结结构的设计原理.利用霍耳测试仪、X射线双晶衍射仪、二次离子质谱仪,对隧道结的重掺杂和互扩散特性进行了研究.结果表明,在生长温度为600℃,H2Se流量为3mL/min及隧道结N型层掺杂剂选用Se的条件下,可得到电子浓度为5×1019cm-3;而采用自掺C(通过不断改变五族元素与三族元素之比)可得到P型载流子浓度为1017～1021cm-3的GaAs隧道结.说明该生长方法可获得电池隧道结中高掺杂水平的PN结,并且能够达到抑制掺杂杂质互扩散现象的设计要求. 展开更多

关键词 gaas 隧道结 掺杂

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变掺杂GaAs光电阴极的研究进展 被引量：2

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作者 陈怀林 牛军 常本康 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第19期99-103,113,共6页

从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研... 从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研究是我国走自主创新道路、提高国内三代微光器件性能的有效途径。 展开更多

关键词 gaas 光电阴极 变掺杂

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GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应 被引量：2

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作者 徐家跃 王冰心 +1 位作者 金敏 房永征 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2632-2640,共9页

作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,... 作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了Ga As晶体坩埚下降法生长的研究成果。坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为Ga As晶体产业化的重要途径。掺杂不仅能调节Ga As晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响。本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂Ga As晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用。 展开更多

关键词 坩埚下降法 晶体生长 砷化镓晶体 掺杂

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低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究 被引量：2

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作者 宋淑芳 赵建建 +1 位作者 谭振 孙浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1252-1255,共4页

利用传输线方法(TLM)重点研究了低掺杂浓度(2×1017at/cm3)n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件:AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400℃,退火时间为1... 利用传输线方法(TLM)重点研究了低掺杂浓度(2×1017at/cm3)n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件:AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400℃,退火时间为120s时,欧姆接触电阻率为最低3.52×10-4Ωcm-2,这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定了基础。 展开更多

关键词 n型gaas 欧姆接触 低掺杂浓度

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用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料 被引量：3

13

作者 黄子乾 李肖 +1 位作者 潘彬 张岚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期433-435,共3页

采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高... 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。 展开更多

关键词 金属有机化合物气相淀积 GaInP/gaas双结叠层太阳电池 隧穿结 掺杂技术

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FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术 被引量：1

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作者 周春锋 杨连生 +2 位作者 刘晏凤 李延强 杜颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期313-316,共4页

研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单... 研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。 展开更多

关键词 铟和硅双掺杂 全液封 砷化镓单晶 液封直拉法

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GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光 被引量：2

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作者 郑卫民 吕英波 +2 位作者 宋淑梅 王爱芳 陶琳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期156-160,共5页

从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs／AlAs多量子阱，量子阱宽度为3—20nm，并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4... 从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs／AlAs多量子阱，量子阱宽度为3—20nm，并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4，20，40，80，120K不同温度下，分别对上述样品进行了光致发光谱测量，观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁，并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理，数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系，比较发现，理论计算和实验结果符合地较好。 展开更多

关键词 量子限制效应 δ-掺杂 gaas/AlAs多量子阱 光致发光谱

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n型掺杂GaAs中重空穴的飞秒动力学 被引量：1

16

作者 黄淳 张海潮 +3 位作者 文锦辉 郭冰 赖天树 林位株 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第5期397-400,共4页

本文采用ｆｓ脉冲饱和吸收光谱技术研究了室温下Ｓｉ掺杂ＧａＡｓ在电子激发态处于费密面附近时重空穴的超快弛豫特性．测量到重空穴的热化时间约为３００ｆｓ，与理论计算结果一致，表明重空穴－光学声子散射是主要的热化途径，并得到... 本文采用ｆｓ脉冲饱和吸收光谱技术研究了室温下Ｓｉ掺杂ＧａＡｓ在电子激发态处于费密面附近时重空穴的超快弛豫特性．测量到重空穴的热化时间约为３００ｆｓ，与理论计算结果一致，表明重空穴－光学声子散射是主要的热化途径，并得到光学形变势常数ｄ０为３１ｅＶ． 展开更多

关键词 N型掺杂 重空穴 弛豫 飞秒激光光谱 砷化镓

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不同结构的反射式GaAs光电阴极的光谱特性比较 被引量：3

17

作者 高频 张益军 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第7期429-432,共4页

利用分子束外延生长了三种结构的反射式GaAs光电阴极,其中一种为传统结构的反射式GaAs光电阴极,另外两种为具有GaAlAs缓冲层的均匀掺杂和梯度掺杂反射式GaAs光电阴极。激活后的光谱响应测试结果表明,与传统结构的反射式GaAs光电阴极相比... 利用分子束外延生长了三种结构的反射式GaAs光电阴极,其中一种为传统结构的反射式GaAs光电阴极,另外两种为具有GaAlAs缓冲层的均匀掺杂和梯度掺杂反射式GaAs光电阴极。激活后的光谱响应测试结果表明,与传统结构的反射式GaAs光电阴极相比,具有GaAlAs缓冲层的均匀掺杂反射式GaAs光电阴极的长波响应更好,而具有GaAlAs缓冲层的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极相比其它结构的反射式GaAs光电阴极能够获得更好的光电发射性能,光谱响应曲线更平坦,拟合光谱响应曲线结果表明其电子扩散长度和电子表面逸出几率都得到了增加,从而具有更高的积分灵敏度和长波响应。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 反射式 光谱响应 缓冲层 梯度掺杂

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变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征 被引量：1

18

作者 牛军 王萍 +1 位作者 钱芸生 常本康 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第7期592-595,共4页

确定阴极材料的光子吸收系数,是开展变掺杂GaAs光电阴极光电发射性能理论研究的重要条件之一。分析了变掺杂阴极的结构特点,提出了材料等效光子吸收系数的概念,并给出了等效光子吸收系数的计算方法。设计了变掺杂阴极样品并进行了阴极Cs... 确定阴极材料的光子吸收系数,是开展变掺杂GaAs光电阴极光电发射性能理论研究的重要条件之一。分析了变掺杂阴极的结构特点,提出了材料等效光子吸收系数的概念,并给出了等效光子吸收系数的计算方法。设计了变掺杂阴极样品并进行了阴极Cs、O激活实验,理论计算了材料的等效光子吸收系数并对激活后的阴极量子效率进行了拟合仿真,拟合曲线同实验曲线非常一致,证明了该计算方法的有效性。 展开更多

关键词 变掺杂 gaas光电阴极 光子吸收系数 量子效率

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调制掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)As/GaAs多量子阱结构的光致发光 被引量：2

19

作者 程兴奎 CHINV.W.L. +3 位作者 OSOTCHANT. TANSYEYT.L. VAUGHANM.R. GRIFFITHSG.J. 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期345-349,共5页

在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0... 在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起，由此确定DX中心有四个能级，其激活能分别为0．35、037、0．39、0． 展开更多

关键词 调制掺杂 多量子阱 光致发光 半导体 结构

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掺InGaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理 被引量：1

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作者 谢自力 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期38-40,49,共4页

比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。

关键词 掺铟 EL2缺陷 热处理 砷化镓晶体 IC

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