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不同浓度下V掺杂Mg_(2) Si的第一性原理研究 被引量:1
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作者 梁前 谢泉 +1 位作者 王熠欣 罗祥燕 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第3期111-117,共7页
本文用基于密度泛函理论的超软赝势平面波方法,分别计算了四种V掺杂模型Mg_(2-x)V_(x)Si(x=0,0.25,0.5,0.75 )的电子结构和光学性质,并对其能带图、态密度图和光学性质进行了分析. 结果表明,V掺杂之后会使Mg_(2) Si由其原本的半导体性... 本文用基于密度泛函理论的超软赝势平面波方法,分别计算了四种V掺杂模型Mg_(2-x)V_(x)Si(x=0,0.25,0.5,0.75 )的电子结构和光学性质,并对其能带图、态密度图和光学性质进行了分析. 结果表明,V掺杂之后会使Mg_(2) Si由其原本的半导体性变为半金属性,在费米能级处出现了杂质能级,态密度图也显示V元素的3d轨道的贡献在费米能级附近占据主导地位,Mg_(2) Si的光学性质随着V元素的掺入也发生了改变. 该文为Mg_(2) Si材料在电子器件和光学器件方面的应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 Mg_(2)si V掺杂 第一性原理 电子结构 光学性质
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Li掺杂α-Bi_(2)O_(3)电子结构和光电性质的 第一性原理研究
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作者 马一涵 张文清 +1 位作者 陈长鹏 杨蕾 《中北大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第5期503-509,共7页
α-Bi_(2)O_(3)是一种新型光催化材料,则改善α-Bi_(2)O_(3)在可见光范围内的光吸收率,对其在污水处理和环境治理方面的应用具有重要意义。本文采用第一性原理密度泛函理论对Li掺杂α-Bi_(2)O_(3)的晶体结构、电子结构、光学性质进行了... α-Bi_(2)O_(3)是一种新型光催化材料,则改善α-Bi_(2)O_(3)在可见光范围内的光吸收率,对其在污水处理和环境治理方面的应用具有重要意义。本文采用第一性原理密度泛函理论对Li掺杂α-Bi_(2)O_(3)的晶体结构、电子结构、光学性质进行了计算研究。结果表明,Li掺杂α-Bi_(2)O_(3)的体系结构较为稳定,有较小的结构变形。本征α-Bi_(2)O_(3)是带隙值为2.85eV的间接带隙半导体,Li掺杂后由于Li 2s态电子的影响,促使价带能级杂化,体系禁带宽度减小为1.131 eV,导带下方出现了杂质能级,便于电子跃迁,降低氧化还原反应所需光子能量,提高光催化效率。Li掺杂使α-Bi_(2)O_(3)对可见光的吸收范围由400.00nm~478.76nm延伸至400.00nm~800.00nm,拓宽了α-Bi_(2)O_(3)的可见光吸收范围,吸收边界发生红移。研究结果阐明了Li掺杂α-Bi_(2)O_(3)光催化性能得到提高的理论原因,为Li掺杂α-Bi_(2)O_(3)在光催化领域中的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 Li掺杂 α-Bi_(2)O_(3) 第一性原理 电子结构 光学性质 晶体结构
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