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ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响
被引量：
13
1
作者
刘磁辉
朱俊杰
+4 位作者
林碧霞
陈宇林
彭聪
杨震
傅竹西
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期218-222,共5页
利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 ...
利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 0 0℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0 2 1eV的中心 ,且其隙态密度要比 85 0℃退火的大。同时 ,测量了两个样品的PL谱。发现 10 0 0℃退火可消除一些影响发光强度的深能级 ,对改善晶格结构 ,提高样品的发光强度有利。
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关键词
深能级瞬态谱
DLTS
PL谱
光致发光谱
发光强度
ZnO/p-Si异质结
半导体材料
深能级
氧化锌/磷-硅异质结
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职称材料
硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究
被引量：
2
2
作者
彭超
雷志锋
+2 位作者
张鸿
张战刚
何玉娟
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期2187-2194,共8页
本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于...
本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于辐射诱生缺陷导致的复合电流增加。最后,基于深能级瞬态谱开展了NPN晶体管发射结的缺陷测试,发现辐射会导致缺陷密度的增加和缺陷能级的改变。
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关键词
双极晶体管
总剂量效应
深能级瞬态谱
辐射损伤缺陷
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职称材料
题名
ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响
被引量：
13
1
作者
刘磁辉
朱俊杰
林碧霞
陈宇林
彭聪
杨震
傅竹西
机构
中国科学技术大学物理系
中国科学技术大学少年班
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期218-222,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 5 9872 0 37)
安徽省自然科学基金资助项目 ( 986 415 5 0 )
文摘
利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 0 0℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0 2 1eV的中心 ,且其隙态密度要比 85 0℃退火的大。同时 ,测量了两个样品的PL谱。发现 10 0 0℃退火可消除一些影响发光强度的深能级 ,对改善晶格结构 ,提高样品的发光强度有利。
关键词
深能级瞬态谱
DLTS
PL谱
光致发光谱
发光强度
ZnO/p-Si异质结
半导体材料
深能级
氧化锌/磷-硅异质结
Keywords
deep level transient spectrum
(DLTS)
photoluminescence (PL)
spectrum
defect
and new donor
分类号
O482.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究
被引量：
2
2
作者
彭超
雷志锋
张鸿
张战刚
何玉娟
机构
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期2187-2194,共8页
文摘
本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于辐射诱生缺陷导致的复合电流增加。最后,基于深能级瞬态谱开展了NPN晶体管发射结的缺陷测试,发现辐射会导致缺陷密度的增加和缺陷能级的改变。
关键词
双极晶体管
总剂量效应
深能级瞬态谱
辐射损伤缺陷
Keywords
bipolar transistor
total ionize dose effect
deep level transient spectrum
irradiation damage
分类号
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响
刘磁辉
朱俊杰
林碧霞
陈宇林
彭聪
杨震
傅竹西
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
13
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究
彭超
雷志锋
张鸿
张战刚
何玉娟
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
在线阅读
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职称材料
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