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聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响: 1; 作者李相辉张祥龙 +3 位作者孟妮聂申奥邱宇轩何彦刚《半导体技术》北大核心 2024年第2期131-137,共7页; 在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了... 展开更多; 关键词浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(CMP) 二氧化硅(SiO_(2)) 氮化硅(Si_(3)n_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用高长径比β-Si_(3)N_(4)晶须模压制备氮化硅多孔陶瓷及性能研究被引量：1: 2; 作者史卓涛智强 +3 位作者白宇松李凤王波杨建锋《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2022年第4期644-651,共8页; 为改善多孔氮化硅的抗弯强度和耐高温性,通过常压烧结制备β-Si_(3)N_(4)晶须,将其压制成型后采用酚醛树脂浸渍碳化,再通过SiO蒸汽与残留碳反应实现碳热还原过程,制备α-Si_(3)N_(4)搭接的β-Si_(3)N_(4)晶须多孔陶瓷,并研究了β-Si_(3)... 展开更多; 关键词 β-si_(3)n_(4)晶须多孔氮化硅有效搭接; 在线阅读下载PDF 职称材料

氰酸酯树脂/表面多步接枝改性γ-Si_(3)N_(4)复合材料制备及性能被引量：1: 3; 作者胡明祝保林《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期21-27,共7页; 通过硅烷偶联剂A-1120对立方氮化硅(γ-Si_(3)N_(4))粒子进行表面初步接枝,再以甲基丙烯酸甲酯(MMA)单体对经过初步接枝的γ-Si_(3)N_(4)粒子进行表面二次接枝,实现了对该粒子的表面多步接枝改性。将改性后粒子加入氰酸酯树脂(CE)中,制... 展开更多; 关键词立方氮化硅(γ-si_(3)n_(4)) 氰酸酯树脂表面接枝改性力学性能热稳定性介电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体: 4; 作者赵丽艳刘耀耀 +4 位作者杨静思韩江则李昆杰赵瑞红赵佳赛《粉末冶金技术》北大核心 2025年第1期61-70,共10页; 以硅粉为原料,采用直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体,研究了氮化温度、升温速率、硅粉粒径及稀释剂用量对氮化硅陶瓷粉体的影响。结果表明,原料硅粉不添加稀释剂,反应温度为1400℃时,在1100~1400℃温度区间将升温速率控制在5℃·... 展开更多; 关键词氮化硅直接氮化法陶瓷粉体升温速率 α-si_(3)n_(4); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响: 1; 作者李相辉张祥龙孟妮聂申奥邱宇轩何彦刚; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室; 出处《半导体技术》北大核心 2024年第2期131-137,共7页; 基金国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007) 河北省自然科学基金(F2018202133)。; 文摘在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了聚甲基丙烯酸(PMAA)对SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率以及二者去除速率选择比的影响,分析了PMAA在影响SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率过程中的作用机理。结果表明,PMAA的加入可以降低SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率,当PMAA的质量分数为120×10^(-6)时,SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率分别为185.4 nm/min和3.0 nm/min,去除速率选择比为61。抛光后SiO_(2)与Si_(3)N_(4)晶圆表面有较好的表面粗糙度,分别为0.290 nm和0.233 nm。; 关键词浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(CMP) 二氧化硅(SiO_(2)) 氮化硅(Si_(3)n_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比; Keywords shallow trench isolation(STI) chemical mechanical polishing(CMP) silica(SiO_(2)) silicon nitride(Si_(3)n_(4)) polymethacrylic acid(PMAA) removal rate selectivity; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用高长径比β-Si_(3)N_(4)晶须模压制备氮化硅多孔陶瓷及性能研究被引量：1: 2; 作者史卓涛智强白宇松李凤王波杨建锋; 机构西安交通大学金属材料强度国家重点实验室; 出处《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2022年第4期644-651,共8页; 基金国家重点研发计划(2017YFB0310300) 国家自然科学基金(51672209)。; 文摘为改善多孔氮化硅的抗弯强度和耐高温性,通过常压烧结制备β-Si_(3)N_(4)晶须,将其压制成型后采用酚醛树脂浸渍碳化,再通过SiO蒸汽与残留碳反应实现碳热还原过程,制备α-Si_(3)N_(4)搭接的β-Si_(3)N_(4)晶须多孔陶瓷,并研究了β-Si_(3)N_(4)的晶须尺寸、成型压力和浸渍次数对多孔陶瓷性能的影响。结果表明:添加烧结助剂Y_(2)O_(3)与采用松装方式有利于提高β-Si_(3)N_(4)晶须长径比,其平均长径比为13.8,最高可达25.7。成型时增加压力可以提高材料的致密度和晶须的定向程度,增加晶须搭接点的数量,降低气孔率,从而有利于改善材料的强度。增加浸渍次数提高碳热还原后α-Si_(3)N_(4)的含量,1~3次浸渗提高了氮化硅晶须的搭接程度,因而强度大幅度增加,超过三次浸渍后晶须之间实现了有效搭接。因此,材料强度由于气孔率的降低而小幅增加,120 MPa成型的样品五次浸渍后其气孔率和抗弯强度分别为41.0%和213.4 MPa。; 关键词 β-si_(3)n_(4)晶须多孔氮化硅有效搭接; Keywords β-si_(3)n_(4)whiskers porous silicon nitride effective overlap; 分类号 TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氰酸酯树脂/表面多步接枝改性γ-Si_(3)N_(4)复合材料制备及性能被引量：1: 3; 作者胡明祝保林; 机构渭南师范学院环境与生命科学学院华南师范大学(汕尾校区)材料与新能源学院; 出处《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期21-27,共7页; 基金国家级新农科项目、陕西省新农科项目:《地方高校农业资源与环境专业产学研协同创新育人机制探索与实践》广西省科技厅重点项目(2017AB53025) 陕西省教育厅专项基金(201118197)。; 文摘通过硅烷偶联剂A-1120对立方氮化硅(γ-Si_(3)N_(4))粒子进行表面初步接枝,再以甲基丙烯酸甲酯(MMA)单体对经过初步接枝的γ-Si_(3)N_(4)粒子进行表面二次接枝,实现了对该粒子的表面多步接枝改性。将改性后粒子加入氰酸酯树脂(CE)中,制备了CE/γ-Si_(3)N_(4)复合材料,考察了CE/γ-Si_(3)N_(4)复合体系的黏度变化,表征了复合材料的力学性能、热稳定性和介电性能。结果表明,经表面多步接枝后γ-Si_(3)N_(4)粒子的加入,使复合材料的综合性能得到了改善,一方面其力学性能、热稳定性、介电性能较纯CE固化物得以提高,另一方面,复合体系的黏度较低,更有利于复合材料固化工艺的优化。当经过两次表面接枝改性的γ-Si_(3)N_(4)(记作SN3)粒子用量达到CE单体质量5%时,复合材料的冲击强度由纯CE固化物的8.42 kJ/m^(2)提高到15.84 kJ/m^(2),提升了88.12%;当SN3粒子用量达到6%时,弯曲强度由82.56 MPa提高到156.53 MPa,提升了89.60%,复合材料热失重5%的温度由392.6℃上升到467.8℃,提高了19.2%,600℃质量保持率由51.5%上升至67.2%,提高了30.5%,介电常数增大23.8%,介电损耗正切值减小63.2%。; 关键词立方氮化硅(γ-si_(3)n_(4)) 氰酸酯树脂表面接枝改性力学性能热稳定性介电性能; Keywords cubic silicon nitride(γ-si_(3)n_(4)) cyanate ester resin surface grafting modification mechanical property thermal stability dielectric property; 分类号 TQ323 [化学工程—合成树脂塑料工业] TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体: 4; 作者赵丽艳刘耀耀杨静思韩江则李昆杰赵瑞红赵佳赛; 机构河北科技大学化学与制药工程学院; 出处《粉末冶金技术》北大核心 2025年第1期61-70,共10页; 基金河北省高等学校科学技术研究重点项目(ZD2021320)。; 文摘以硅粉为原料,采用直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体,研究了氮化温度、升温速率、硅粉粒径及稀释剂用量对氮化硅陶瓷粉体的影响。结果表明,原料硅粉不添加稀释剂,反应温度为1400℃时,在1100~1400℃温度区间将升温速率控制在5℃·min^(−1),硅粉完全氮化,制备得到粒径均匀的(396~458 nm)类球状氮化硅材料,材料分散性好,α相质量分数高达95.02%。研究表明,随着氮化温度的升高,硅粉直接氮化反应呈现出明显的阶段性。在相同反应时间下,最佳氮化温度为1400℃,反应温度过高或过低都会影响硅粉界面α-Si_(3)N_(4)向β-Si_(3)N_(4)转变与内部氮化反应的竞争关系,影响α-Si_(3)N_(4)含量。升温速率为控制反应进程的关键因素,最佳升温速率为5℃·min^(−1),当升温速率过快或者过慢时,氮化硅α相到β相的转化程度超过内部反应程度,硅粉反应不完全。适宜的球磨时间能够减小原料硅粉的粒度,增加比表面积,同时增加硅粉与氮气接触面积,有利于提高氮化率,增加α-Si_(3)N_(4)质量分数。添加α-Si_(3)N_(4)粉末稀释剂能降低硅粉中的氧含量和氮化温度,加速氮化过程,促进产物中α-Si_(3)N_(4)的形成,还能吸收硅和氮之间反应释放的额外热量,起到受热体的作用。; 关键词氮化硅直接氮化法陶瓷粉体升温速率 α-si_(3)n_(4); Keywords silicon nitride direct nitriding method ceramic powders heating rate α-si_(3)n_(4); 分类号 TF123 [冶金工程—粉末冶金] TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响	李相辉张祥龙孟妮聂申奥邱宇轩何彦刚	《半导体技术》北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	利用高长径比β-Si_(3)N_(4)晶须模压制备氮化硅多孔陶瓷及性能研究	史卓涛智强白宇松李凤王波杨建锋	《陶瓷学报》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氰酸酯树脂/表面多步接枝改性γ-Si_(3)N_(4)复合材料制备及性能	胡明祝保林	《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体	赵丽艳刘耀耀杨静思韩江则李昆杰赵瑞红赵佳赛	《粉末冶金技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料