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Enhanced efficiency and stability in Sn-based perovskite solar cells with secondary crystallization growth
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作者 Zhixin Jin Bin-Bin Yu +7 位作者 Min Liao Di Liu Jingwei Xiu Zheng Zhang Efrat Lifshitz Jiang Tang Haisheng Song Zhubing He 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第3期414-421,共8页
The conversion efficiencies reported for Tin(Sn)halide-based perovskite solar cells(PSCs)fall a large gap behind those of lead halide-based PSCs,mainly because of poor film quality of the former.Here we report an effi... The conversion efficiencies reported for Tin(Sn)halide-based perovskite solar cells(PSCs)fall a large gap behind those of lead halide-based PSCs,mainly because of poor film quality of the former.Here we report an efficient strategy based on a simple secondary crystallization growth(SCG)technique to improve film quality for tin halide-based PSCs by applying a series of functional amine chlorides on the perovskite surface.They were discovered to enhance the film crystallinity and suppress the oxidation of Sn^(2+)remarkably,hence reduce trap state density and non-irradiative recombination in the absorber films.Furthermore,the SCG film holds the band levels matching better with carrier transport layers and herein favoring charge extraction at the device interfaces.Consequently,a champion device efficiency of 8.07% was achieved alo ng with significant enhancements in VOC and JSC,in contrast to 5.35% of the control device value.Moreover,the SCG film-based devices also exhibit superior stability comparing with the control one.This work explicitly paves a novel and general strategy for developing high performance lead-free PSCs. 展开更多
关键词 tin based perovskite solar cells Secondary crystallization growth Amine chloride Non-irradiative recombination Energy band levels matching
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TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长 被引量:3
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作者 孔明 劳技军 +2 位作者 张慧娟 戴嘉维 李戈扬 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期324-328,共5页
研究了TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长效应,采用磁控溅射法制备了一系列不同厚度SiC和TiN的TiN/SiC纳米多层膜以及TiN、SiC单层膜.利用透射电子显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和X射线能量色散谱仪分析了多层膜的微结构.结果表... 研究了TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长效应,采用磁控溅射法制备了一系列不同厚度SiC和TiN的TiN/SiC纳米多层膜以及TiN、SiC单层膜.利用透射电子显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和X射线能量色散谱仪分析了多层膜的微结构.结果表明,尽管TiN和SiC的单层膜分别以纳米晶态和非晶态存在,但由TiN和SiC通过交替沉积形成的纳米多层膜却能够生长成为晶体完整性良好的柱状晶并呈现强烈的择优取向,显示了一种异质材料晶体生长的相互促进作用.纳米多层膜中的晶体互促生长效应与新沉积层原子在先沉积层表面上的移动性有重要关系. 展开更多
关键词 tin/SiC纳米多层膜 晶体生长 共格界面 立方碳化硅
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文石型碳酸钙晶须的制备研究 被引量:26
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作者 陈华雄 宋永才 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期197-200,共4页
采用碳酸化法在MgCl2 Ca(OH) 2 CO2 体系中合成了文石型碳酸钙晶须 ,研究了碳酸钙晶须的成型原因 ,分析了pH值、氢氧化钙的纯度对晶须生长的影响 ,运用SEM和XRD对晶须的形貌和组成进行了表征。结果表明 :Mg(OH) 2 沉淀促使文石相碳酸... 采用碳酸化法在MgCl2 Ca(OH) 2 CO2 体系中合成了文石型碳酸钙晶须 ,研究了碳酸钙晶须的成型原因 ,分析了pH值、氢氧化钙的纯度对晶须生长的影响 ,运用SEM和XRD对晶须的形貌和组成进行了表征。结果表明 :Mg(OH) 2 沉淀促使文石相碳酸钙异相成核 ,取向生长成针状 ;控制pH值不超过 8 5 。 展开更多
关键词 文石型碳酸钙晶须 制备工艺 碳酸化法 氢氧化钙 PH值
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Sn晶须的转向生长机制
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作者 郝虎 史耀武 +3 位作者 夏志东 雷永平 郭福 李晓延 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期378-381,共4页
为深刻理解Sn晶须转向生长现象的本质并建立其生长机制,利用稀土相CeSn3与ErSn3易氧化的特性实现了Sn晶须的加速生长,采用扫描电镜观察了Sn晶须在快速生长过程中展现出的生长行为.实验结果表明,时效过程中在稀土相的表面生长出大量的Sn... 为深刻理解Sn晶须转向生长现象的本质并建立其生长机制,利用稀土相CeSn3与ErSn3易氧化的特性实现了Sn晶须的加速生长,采用扫描电镜观察了Sn晶须在快速生长过程中展现出的生长行为.实验结果表明,时效过程中在稀土相的表面生长出大量的Sn晶须,一些Sn晶须的生长方向发生连续改变,少数Sn晶须在转向生长的同时出现变截面生长现象.Sn晶须根部的受力不均是其产生转向生长的原因,而Sn原子的供给速率与Sn晶须生长速率的不协调是Sn晶须产生变截面生长的原因. 展开更多
关键词 无铅钎料 稀土 SN晶须 转向生长
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金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长
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作者 杨光义 吴仁兵 +5 位作者 陈建军 高明霞 翟蕊 吴玲玲 林晶 潘颐 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1042-1046,共5页
以过渡族金属硅化物为溶剂,采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征,利用X射... 以过渡族金属硅化物为溶剂,采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征,利用X射线衍射仪(XRD)对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征,并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明,Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶,FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须,而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后,仅有石墨相析出. 展开更多
关键词 碳化硅单晶 液相法 晶体生长 过渡族金属硅化物 碳化硅晶须
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电子设备用固定电容器标准IEC 60384-1:2016与GB/T 2693-2001差异分析 被引量:1
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作者 刘学孔 薛超 张玉芹 《信息技术与标准化》 2019年第4期48-51,共4页
对比电子设备用固定电容器标准IEC60384-1:2016与GB/T2693-2001,分析两者在稳态湿热试验、加速稳态湿热试验的试验条件、试验方法等方面的主要差异,重点阐述了新增项目晶(锡)须生长的危害及试验方案,为修订GB/T2693-2001提供支撑。
关键词 子设备用固定电容器 总规范 稳态湿热 晶(锡)须生长
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磷石膏渣水热合成硫酸钙晶须的试验研究 被引量:12
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作者 王舒州 陈德玉 +1 位作者 何玉龙 吴传龙 《非金属矿》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期4-7,共4页
利用工业废渣磷石膏作为主要原料,通过外掺少量纯天然石膏晶种形成复合体系,在聚四氟乙烯高压反应罐中采用水热压法合成硫酸钙晶须。运用控制变量法,研究了该复合体系在不同反应温度、反应时间、料浆质量分数、原料粒度条件下对合成的... 利用工业废渣磷石膏作为主要原料,通过外掺少量纯天然石膏晶种形成复合体系,在聚四氟乙烯高压反应罐中采用水热压法合成硫酸钙晶须。运用控制变量法,研究了该复合体系在不同反应温度、反应时间、料浆质量分数、原料粒度条件下对合成的硫酸钙晶须形貌的影响。分别采用激光粒度分布仪(LSPSDA)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对样品的粒度分布、物相和形貌进行分析。结果表明:磷石膏水热合成硫酸钙晶须的最佳工艺条件为:反应温度135℃、反应时间4 h、料浆质量分数2.5%、原料粒度为45~80μm。采用氯化镁为晶型助长剂,在此条件下可制备出晶型均匀、平均长径比75、平均直径0.5μm半水硫酸钙晶须产品。 展开更多
关键词 磷石膏 硫酸钙晶须 晶型助长剂 水热合成法
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无铅镀层锡晶须问题的研究进展 被引量:2
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作者 刘萌 冼爱平 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期314-323,328,共11页
全球电子封装行业的无铅化趋势,使得镀层锡晶须自发生长的问题变得十分突出。由于晶须的导电性可以引起高密度封装引脚之间短路,从而使电子产品失效甚至引发灾难性的事故,因此研究并阐明锡晶须生长机理、探索有效抑制锡晶须生长的手段... 全球电子封装行业的无铅化趋势,使得镀层锡晶须自发生长的问题变得十分突出。由于晶须的导电性可以引起高密度封装引脚之间短路,从而使电子产品失效甚至引发灾难性的事故,因此研究并阐明锡晶须生长机理、探索有效抑制锡晶须生长的手段、寻找合适的锡晶须生长加速实验方法评估电子产品的可靠性,成为当前亟需解决的问题。本文从锡晶须问题的由来,锡晶须的危害、锡晶须生长的机理、影响锡晶须生长的因素、抑制锡晶须生长的方法和锡晶须生长加速实验方法等几个方面,对锡晶须问题尤其是近年来这方面的研究进展作一简要评述,并提出一些需要研究的课题。 展开更多
关键词 电镀 锡晶须 生长机理 无铅焊料 综述
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ZnO纳米晶须的形态控制及其结构表征
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作者 侯娟 刘爱华 +3 位作者 郭进进 刘玫 孔德敏 满宝元 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第2期90-95,共6页
采用激光分子束外延法先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,在不同的氧气体积流量和生长温度下,用热蒸发法在镀有Zn薄膜的Si(111)衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分... 采用激光分子束外延法先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,在不同的氧气体积流量和生长温度下,用热蒸发法在镀有Zn薄膜的Si(111)衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的成分、微结构和形貌进行了表征。Zn薄膜在高温下被氧化,并为晶体生长提供均匀的成核点,有利于形成一定大小和数量的ZnO晶核。研究结果表明,氧气体积流量和生长温度对ZnO纳米晶须的形貌有一定的影响。 展开更多
关键词 ZnO纳米晶须 氧气体积流量 生长温度 热蒸发法 Zn薄膜
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宇航用元器件锡晶须生长研究 被引量:6
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作者 王群勇 刘燕芳 +2 位作者 白桦 吴文章 孙旭朋 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期13-17,22,共6页
通过分析锡晶须的研究历史,将锡晶须的研究归结为三个阶段:早期对锡晶须现象的研究、锡晶须生长机理的研究和减缓锡晶须生长方法的研究。比较了锡晶须长度及密度的测量方法。总结了目前抑制锡晶须生长的方法:在不同基底材料上采用不同... 通过分析锡晶须的研究历史,将锡晶须的研究归结为三个阶段:早期对锡晶须现象的研究、锡晶须生长机理的研究和减缓锡晶须生长方法的研究。比较了锡晶须长度及密度的测量方法。总结了目前抑制锡晶须生长的方法:在不同基底材料上采用不同厚度镀锡层;使用Ni、In等阻挡层;对镀层表面进行热处理和回流处理;避免使用纯锡镀层,镀层合金化;在镀层表面覆盖保形涂层。 展开更多
关键词 宇航用元器件 锡晶须 失效模式 生长机理 减缓 检测方法
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“8”字形碱式硫酸镁晶须生长机制研究 被引量:3
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作者 吴健松 简艺 《盐科学与化工》 2021年第7期21-24,共4页
研究了“8”字形碱式硫酸镁(5Mg(OH)_(2)·MgSO_(4)·3H_(2)O)晶须生长机制。晶须样品采用SEM及XRD作形貌和属性分析,采用拉曼光谱指认了生长基元的结构。结合表征结果,提出了“8”字形碱式硫酸镁晶须生长过程为:生长基元[Mg-(O... 研究了“8”字形碱式硫酸镁(5Mg(OH)_(2)·MgSO_(4)·3H_(2)O)晶须生长机制。晶须样品采用SEM及XRD作形貌和属性分析,采用拉曼光谱指认了生长基元的结构。结合表征结果,提出了“8”字形碱式硫酸镁晶须生长过程为:生长基元[Mg-(OH)_(4)]^(2-)先在一维方向上联结为大维度的{[Mg-(OH)_(4)]^(2-)}_(2)生长基元,{[Mg-(OH)_(4)]^(2-)}_(2)再通过垂直的空间关系与SO_(4)^(2-)相联结,由于硫酸根的硫氧双键平面与硫氧单键平面是垂直关系,致使与SO 2-4联结的晶列也处于垂直关系,晶列上的羟基再通过氢键相吸引旋转而成为“8”字形结构。 展开更多
关键词 拓展的ACP机制 晶体生长机制 晶须生长机制 碱式硫酸镁晶须
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三水碳酸镁晶体形貌的调控研究 被引量:1
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作者 郭彦彦 《盐科学与化工》 CAS 2023年第4期9-13,共5页
采用共沉淀法,用工业级卤水和纯碱制备棒状三水碳酸镁晶须。在一定反应时间和一定进料方式下探究晶体形貌的影响因素,得到最适宜条件为:反应温度35℃,卤水浓度1.5 mol/L,陈化时间60 min。在该条件下制备出的MgCO_(3)·3H_(2)O产品... 采用共沉淀法,用工业级卤水和纯碱制备棒状三水碳酸镁晶须。在一定反应时间和一定进料方式下探究晶体形貌的影响因素,得到最适宜条件为:反应温度35℃,卤水浓度1.5 mol/L,陈化时间60 min。在该条件下制备出的MgCO_(3)·3H_(2)O产品表面光滑,晶体发育完整,长度达到30μm。同时探究了40℃下小颗粒悬浮物和添加剂对MgCO_(3)·3H_(2)O产品形貌的影响,发现在40℃下小颗粒沉淀物对产品形貌有一定影响,但影响程度不大,而添加剂在40℃下则可以促进MgCO_(3)·3H_(2)O的晶体形成。 展开更多
关键词 卤水 三水碳酸镁 晶须 添加剂 晶体生长
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