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CMOS图像传感器高一致性自适应斜坡电路设计方法
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作者 郭仲杰 李林 +3 位作者 许睿明 刘绥阳 余宁梅 杨媛 《电子科技大学学报》 北大核心 2025年第6期801-809,共9页
针对大面阵CMOS图像传感器(CIS)多斜坡发生器之间、多列之间由于后端布线寄生引起的非一致性问题,提出了一种基于分布式积分型的高一致性自适应斜坡电路设计方法。通过分析误差引入的根源,采用平均电压技术、自适应负反馈动态调节技术... 针对大面阵CMOS图像传感器(CIS)多斜坡发生器之间、多列之间由于后端布线寄生引起的非一致性问题,提出了一种基于分布式积分型的高一致性自适应斜坡电路设计方法。通过分析误差引入的根源,采用平均电压技术、自适应负反馈动态调节技术、数字相关双采样相结合的高精度补偿技术,完成了斜坡信号非一致性校准方案设计。实验结果表明,与现有的全局斜坡和分块式多斜坡相比,提出的斜坡产生电路DNL为+0.000636 LSB/-0.0006 LSB,INL为+0.3292 LSB/-0.7386LSB,实现了斜坡信号的高精度;将各斜坡信号之间的不一致性降低为0.4%LSB,列固定模式噪声(CFPN)降低为0.000037%,而整个芯片仅增加了0.6%的面积和0.5%的功耗,该方法为超大面阵CMOS图像传感器斜坡信号的一致性提供了有效的解决方案。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 单斜ADC 自适应斜坡信号发生器 斜坡非一致性误差校正
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