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基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计被引量：1: 1; 作者齐文正林敏 +2 位作者杨根庆董业民黄水根《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期178-183,共6页; 基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构。利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压... 展开更多; 关键词互补金属氧化物半导体(cmos) 无线保真(WiFi) 功率放大器(pa) 线性度共源共栅; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计被引量：2: 2; 作者徐乐陶李 +1 位作者刘宏田彤《传感器与微系统》 CSCD 2019年第3期63-66,共4页; 基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高... 展开更多; 关键词互补金属氧化物半导体功率放大器片上变压器模拟预失真高线性度; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器被引量：1: 3; 作者夏庆贞李东泽 +2 位作者常虎东孙兵刘洪刚《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期96-102,共7页; SOI CMOS工艺具有高的截止频率和良好的温度稳定性,能够满足微波毫米波雷达收发芯片在多种应用场景下的使用要求.采用90 nm SOI CMOS工艺,设计一种A类无输出阻抗匹配网络Stacked-FET功率放大器,改善了功率放大器的饱和输出功率和可靠性... 展开更多; 关键词 SOI cmos 功率放大器信号发生器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于65-nm CMOS工艺的W波段两路电流合成型功率放大器的设计: 4; 作者黄占秋张旭 +1 位作者赵晨曦康凯《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期425-430,共6页; 采用三级差分共源结构设计了一种基于65-nm CMOS工艺的W波段功率放大器,并利用两路电流型功率合成结构进行功率合成以提升输出功率.为了同时实现单差分转换、阻抗匹配、直流供电,匹配网络采用变压器结构.仿真结果显示,在1 V的电源电压下... 展开更多; 关键词 cmos工艺功率放大器功率合成 W波段; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计被引量：1: 1; 作者齐文正林敏杨根庆董业民黄水根; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期178-183,共6页; 基金中国科学院重点部署项目(KGFZD-135-16-015); 文摘基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构。利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压的相位,进而弥补了共源共栅结构的劣势,增加了整个系统的线性度和增益。另外,使用外部数字信号控制每级偏置的大小来适应不同的输出需求。整个结构采用电源电压:第一级为1.8 V,后两级为3.3 V,芯片面积为1.93 mm×1.4 mm。利用Candence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器进行仿真。结果表明,在2.4 GHz的工作频点,功率放大器的饱和输出功率为24.9 d Bm,最大功率附加效率为22%,小信号增益达到28 d B。; 关键词互补金属氧化物半导体(cmos) 无线保真(WiFi) 功率放大器(pa) 线性度共源共栅; Keywords complementary metal oxide semiconductor（cmos） wireless fidelity（WiFi） power amplifier（pa） linearization cascode; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计被引量：2: 2; 作者徐乐陶李刘宏田彤; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院大学; 出处《传感器与微系统》 CSCD 2019年第3期63-66,共4页; 基金上海经信委资金资助项目(13XI-32) 国家科技重大专项项目(2011ZX02506-004); 文摘基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高集成度和高线性度的功率放大器芯片。芯片面积为1. 08 mm×1. 37 mm。仿真结果表明:在2. 4 GHz的工作频点,功率放大器的-1 d B输出功率为22. 9 d Bm,功率附加效率为23. 5%,小信号增益为27. 2 d B,三阶交调失真为-35. 6 d Bc。; 关键词互补金属氧化物半导体功率放大器片上变压器模拟预失真高线性度; Keywords complementary metal-oxide-semiconductor(cmos)power amplifier(pa) on-chip transformer analog predistortion high linearity; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器被引量：1: 3; 作者夏庆贞李东泽常虎东孙兵刘洪刚; 机构中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心中国科学院大学; 出处《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期96-102,共7页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFA0202304,2016YFA0201903) 国家自然科学基金资助项目(61674168,61504165) 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成重点实验室开放项目。; 文摘 SOI CMOS工艺具有高的截止频率和良好的温度稳定性,能够满足微波毫米波雷达收发芯片在多种应用场景下的使用要求.采用90 nm SOI CMOS工艺,设计一种A类无输出阻抗匹配网络Stacked-FET功率放大器,改善了功率放大器的饱和输出功率和可靠性.基于此功率放大器设计并实现了一款24 GHz信号发生器电路.通过电磁场仿真分析研究了Dummy金属对片上螺旋电感性能的影响.经流片加工测试,结果表明,该信号发生器电路能够输出22.2~24.7 GHz的信号,平均输出功率为8.83 dBm,峰值输出功率为10.5 dBm.在偏1 MHz和10 MHz处压控振荡器的相位噪声分别为-91 dBc/Hz和-123 dBc/Hz.芯片面积为1.4 mm×1.4 mm.; 关键词 SOI cmos 功率放大器信号发生器; Keywords Silicon-On-Insulator complementary Metal Oxide Semiconductor(SOI cmos) power amplifiers signal generators; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于65-nm CMOS工艺的W波段两路电流合成型功率放大器的设计: 4; 作者黄占秋张旭赵晨曦康凯; 机构电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期425-430,共6页; 基金国家自然科学基金(61931007,62025106) 国家重点研发计划(2020YFB1805003)。; 文摘采用三级差分共源结构设计了一种基于65-nm CMOS工艺的W波段功率放大器,并利用两路电流型功率合成结构进行功率合成以提升输出功率.为了同时实现单差分转换、阻抗匹配、直流供电,匹配网络采用变压器结构.仿真结果显示,在1 V的电源电压下,该功率放大器的小信号增益为12.7~15.7 dB,3-dB带宽为84~104 GHz,饱和输出功率为14.6 dBm,峰值功率附加效率为9.7%.该功率放大器具有良好的大信号性能,且芯片的核心面积仅为0.115 mm 2.; 关键词 cmos工艺功率放大器功率合成 W波段; Keywords cmos power amplifier(pa) power combining W-band; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计	齐文正林敏杨根庆董业民黄水根	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计	徐乐陶李刘宏田彤	《传感器与微系统》 CSCD	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器	夏庆贞李东泽常虎东孙兵刘洪刚	《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于65-nm CMOS工艺的W波段两路电流合成型功率放大器的设计	黄占秋张旭赵晨曦康凯	《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料