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(SO+2O)/Cu(100)NEXAFS谱反常共振峰结构的研究
1
作者
朱萍
唐景昌
何江平
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期349-354,共6页
利用多重散射团簇 (MSC)方法对 (SO + 2O) /Cu( 1 0 0 )的硫 1s和氧 1s近边X射线吸收精细结构 (NEXAFS)谱的理论分析和利用DV Xα 方法对该系统的团簇电子结构研究 ,揭示了该系统NEXAFS谱反常共振结构的物理起源 .SO和衬底的相互作用使...
利用多重散射团簇 (MSC)方法对 (SO + 2O) /Cu( 1 0 0 )的硫 1s和氧 1s近边X射线吸收精细结构 (NEXAFS)谱的理论分析和利用DV Xα 方法对该系统的团簇电子结构研究 ,揭示了该系统NEXAFS谱反常共振结构的物理起源 .SO和衬底的相互作用使π 分裂为二个轨道方向相互垂直的π 与衬底的耦合态 .NEXAFS谱的反常共振结构对应于 1s电子跃迁到这二个π
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关键词
X射线精细结构
多重散射团簇方法
吸附系统
反常共振峰结构
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职称材料
Al在Si(111)面上吸附的ASED—MO研究
2
作者
周煦炎
《浙江大学学报（自然科学版）》
CSCD
1991年第6期622-628,共7页
本文使用分子簇模型和原子交迭和电子离域-分子轨道(ASED—MO)方法,计算Al吸附在Si(111)面上不同位置的键长和键能(吸附能)。按照总能量最小原则,对铝吸附在硅表面层的顶位、中心位、再构中心位、迭位、再构迭位和桥位的不同位置,分别...
本文使用分子簇模型和原子交迭和电子离域-分子轨道(ASED—MO)方法,计算Al吸附在Si(111)面上不同位置的键长和键能(吸附能)。按照总能量最小原则,对铝吸附在硅表面层的顶位、中心位、再构中心位、迭位、再构迭位和桥位的不同位置,分别计称出Al—Si的键长为2.38、2.55、2.71、2.68、2.61和2.49×10^(-10)m;各位置对应的吸附能分别为0.72、0.37、0.40、0.01、1.02和0.62eV。另一方面,根据Al_3Si_(26)H_(26)分子簇的计算结果,得出3个铝原子吸附在Si(111)面上的最佳位置为相邻的双折(桥位)位置,同时由能量计算表明铝的复盖率为3/7单原子层。
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关键词
AL
SI
吸附
ased-mo
法
分子筛
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职称材料
CO在NiO(100)面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析
3
作者
庄飞
程成
+2 位作者
汪雷
何江平
唐景昌
《浙江大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
2001年第1期35-41,共7页
用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性...
用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于
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关键词
近边X射线吸收精细结构
多重散射团簇理论
可靠性因子
一氧化碳
氧化镍
表面吸附
半导体表面结构
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职称材料
题名
(SO+2O)/Cu(100)NEXAFS谱反常共振峰结构的研究
1
作者
朱萍
唐景昌
何江平
机构
浙江大学物理系和硅材料科学国家重点实验室
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期349-354,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 1 9974 0 3 6)
文摘
利用多重散射团簇 (MSC)方法对 (SO + 2O) /Cu( 1 0 0 )的硫 1s和氧 1s近边X射线吸收精细结构 (NEXAFS)谱的理论分析和利用DV Xα 方法对该系统的团簇电子结构研究 ,揭示了该系统NEXAFS谱反常共振结构的物理起源 .SO和衬底的相互作用使π 分裂为二个轨道方向相互垂直的π 与衬底的耦合态 .NEXAFS谱的反常共振结构对应于 1s电子跃迁到这二个π
关键词
X射线精细结构
多重散射团簇方法
吸附系统
反常共振峰结构
Keywords
SO+2O)/Cu(100)
adsorption
system
X ray absorption fine structure
multiple scattering
cluster
method
discrete variational X α
method
分类号
O647.3 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
Al在Si(111)面上吸附的ASED—MO研究
2
作者
周煦炎
机构
浙江大学物理系
出处
《浙江大学学报（自然科学版）》
CSCD
1991年第6期622-628,共7页
基金
国家自然科学基金
浙大研究生基金的资助
文摘
本文使用分子簇模型和原子交迭和电子离域-分子轨道(ASED—MO)方法,计算Al吸附在Si(111)面上不同位置的键长和键能(吸附能)。按照总能量最小原则,对铝吸附在硅表面层的顶位、中心位、再构中心位、迭位、再构迭位和桥位的不同位置,分别计称出Al—Si的键长为2.38、2.55、2.71、2.68、2.61和2.49×10^(-10)m;各位置对应的吸附能分别为0.72、0.37、0.40、0.01、1.02和0.62eV。另一方面,根据Al_3Si_(26)H_(26)分子簇的计算结果,得出3个铝原子吸附在Si(111)面上的最佳位置为相邻的双折(桥位)位置,同时由能量计算表明铝的复盖率为3/7单原子层。
关键词
AL
SI
吸附
ased-mo
法
分子筛
Keywords
cluster
,
ased-mo method
,
adsorption
分类号
O647.3 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
CO在NiO(100)面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析
3
作者
庄飞
程成
汪雷
何江平
唐景昌
机构
浙江大学物理系硅材料国家重点实验室
出处
《浙江大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
2001年第1期35-41,共7页
文摘
用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于
关键词
近边X射线吸收精细结构
多重散射团簇理论
可靠性因子
一氧化碳
氧化镍
表面吸附
半导体表面结构
Keywords
near edge X\|ray
adsorption
fine structure (NEXAFS)
multiple\|scattering
cluster
(MSC)
method
R\|factor
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
O647.31 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(SO+2O)/Cu(100)NEXAFS谱反常共振峰结构的研究
朱萍
唐景昌
何江平
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
在线阅读
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职称材料
2
Al在Si(111)面上吸附的ASED—MO研究
周煦炎
《浙江大学学报（自然科学版）》
CSCD
1991
0
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职称材料
3
CO在NiO(100)面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析
庄飞
程成
汪雷
何江平
唐景昌
《浙江大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
2001
0
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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