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近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究
被引量：
3
1
作者
李锦
郑毓峰
+2 位作者
戴康
徐金宝
陈树义
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期195-199,共5页
采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe...
采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.
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关键词
Te
结构
电性能
近距离升华
CDTE薄膜
css
技术
太阳电池
碲化镉
碲
掺杂
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职称材料
题名
近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究
被引量：
3
1
作者
李锦
郑毓峰
戴康
徐金宝
陈树义
机构
新疆大学物理系
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期195-199,共5页
基金
国家自然科学基金(59862002)
文摘
采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.
关键词
Te
结构
电性能
近距离升华
CDTE薄膜
css
技术
太阳电池
碲化镉
碲
掺杂
Keywords
close-spaced-sublimation
(
css
)
technique
CdTe thin films
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究
李锦
郑毓峰
戴康
徐金宝
陈树义
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
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