检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律: 1; 作者袁妍妍介万奇 +1 位作者高俊宁査钢强《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期890-893,共4页; 采用近空间升华法(close-spaced sublima-tion,CSS),以CdZnTe化合物粉料为原料制备了CdZnTe薄膜,采用XRD、SEM、紫外光谱仪等对其进行了性能表征,并研究了不同生长温度对薄膜生长速率、结构、Zn含量和光学特性的影响规律。研究结果表明... 展开更多; 关键词 CdZnTe薄膜近空间升华法太阳能电池形貌结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究被引量：3: 2; 作者李锦郑毓峰 +2 位作者戴康徐金宝陈树义《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期195-199,共5页; 采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe... 展开更多; 关键词 Te 结构电性能近距离升华 CDTE薄膜 css技术太阳电池碲化镉碲掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能被引量：4: 3; 作者郑华靖张静全 +3 位作者冯良桓蔡伟郑家贵谢二庆《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期59-62,共4页; 在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中,薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜。通过分析近空间沉积的物理机制,测量近空间... 展开更多; 关键词 CDTE 近空间升华(css) 多晶薄膜太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

近空间升华沉积CdTe多晶薄膜过程的研究: 4; 作者郑华靖张静全 +2 位作者冯良桓郑家贵谢二庆《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期58-62,共5页; 研究了近空间升华(CSS)沉积CdTe多晶薄膜的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,分析了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系,优化了升温过程,在此基础上制备出了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成太阳电池.同... 展开更多; 关键词 CDTE太阳电池近空间升华多晶薄膜沉积过程; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律: 1; 作者袁妍妍介万奇高俊宁査钢强; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期890-893,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50902113 50902114 50772091); 文摘采用近空间升华法(close-spaced sublima-tion,CSS),以CdZnTe化合物粉料为原料制备了CdZnTe薄膜,采用XRD、SEM、紫外光谱仪等对其进行了性能表征,并研究了不同生长温度对薄膜生长速率、结构、Zn含量和光学特性的影响规律。研究结果表明,薄膜的生长速率随着生长温度的升高而增大,且温度>528℃时生长速率迅速增大;不同温度下制备的CdZnTe薄膜结构均为立方相,且都表现出沿(111)晶面的择优生长,高温时择优取向更强一些;晶粒尺寸随着温度升高而增大,在438℃时颗粒尺寸约为1μm,而568℃时约为20μm;薄膜禁带宽度受温度影响不大,在1.49～1.51eV之间。; 关键词 CdZnTe薄膜近空间升华法太阳能电池形貌结构; Keywords Cd1-xZnxTe films close-spaced sublimation（css） solar cell morphology instructure; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究被引量：3: 2; 作者李锦郑毓峰戴康徐金宝陈树义; 机构新疆大学物理系; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期195-199,共5页; 基金国家自然科学基金(59862002); 文摘采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.; 关键词 Te 结构电性能近距离升华 CDTE薄膜 css技术太阳电池碲化镉碲掺杂; Keywords close-spaced-sublimation(css) technique CdTe thin films; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能被引量：4: 3; 作者郑华靖张静全冯良桓蔡伟郑家贵谢二庆; 机构兰州大学物理科学与技术学院四川大学材料科学与工程学院; 出处《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期59-62,共4页; 基金国家863计划资助项目(2003AA513010); 文摘在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中,薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜。通过分析近空间沉积的物理机制,测量近空间沉积装置内温度分布,对升温过程、气压与薄膜初期成核的关系进行讨论。研究结果表明,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe,此外,还有CdS和SnO2:F衍射峰,CdTe晶粒随气压增加有减小趋势;随气压的增加,透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动。在此基础上制备出转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成电池。; 关键词 CDTE 近空间升华(css) 多晶薄膜太阳电池; Keywords CdTe close-spaced sublimation(css) polycrystalline thin film solar cells; 分类号 TK511.4 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近空间升华沉积CdTe多晶薄膜过程的研究: 4; 作者郑华靖张静全冯良桓郑家贵谢二庆; 机构兰州大学物理科学与技术学院四川大学材料科学与工程学院兰州大学物理科学与技术学院; 出处《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期58-62,共5页; 基金国家自然科学基金，科技部科研项目; 文摘研究了近空间升华(CSS)沉积CdTe多晶薄膜的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,分析了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系,优化了升温过程,在此基础上制备出了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成太阳电池.同时结果表明:近空间升华制备CdTe多晶薄膜的物理过程主要是,CdTe升华前升温,CdTe源升华分解为Cd、Te2,Cd、Te2在衬底上化合沉积以及衬底上的CdTe反升华等过程.在正常的近空间升华过程中,CdTe的蒸汽压远小于保护气体的气压.后者对对成核的晶粒方向几乎没有影响,但它通过改变分子平均自由程来影响Cd、Te2分子的扩散,从而影响薄膜的生长速率.; 关键词 CDTE太阳电池近空间升华多晶薄膜沉积过程; Keywords solar cells of CdTe, close-spaced sublimation （css）, polycrystalline thin film, depositing process; 分类号 TQ174.62 [化学工程—陶瓷工业] TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律	袁妍妍介万奇高俊宁査钢强	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究	李锦郑毓峰戴康徐金宝陈树义	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2003	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能	郑华靖张静全冯良桓蔡伟郑家贵谢二庆	《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	近空间升华沉积CdTe多晶薄膜过程的研究	郑华靖张静全冯良桓郑家贵谢二庆	《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料