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一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源
被引量：
2
1
作者
黄国城
尹韬
+3 位作者
朱渊明
许晓冬
张亚朝
杨海钢
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第8期2122-2128,共7页
该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS...
该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS工艺设计并流片，测试结果表明，该电路的工作电源电压为1．8μV，静态电流约为13μA。低频处电源抑制比（PSRR）约等于-100dB，在小于1kHz频率范围内PSRR均优于-93dB。并且其片上面积仅为0．013mm2。
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关键词
CMOS基准电路
非带隙基准电路
预调制电路
超级源极跟随器
电源抑制比
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职称材料
采用AB类源跟随器的无片外电容快速瞬态响应LDO
被引量：
9
2
作者
姚方舟
张章
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2022年第4期475-480,共6页
文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅...
文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅极电容的充放电电流,具有摆率增强的作用,增强瞬态响应。缓冲级采用AB类超级源跟随器,实现了动态电流提升,且不会降低电源电压要求或增加静态功耗;同时,引入负反馈实现低阻抗转化将次极点推到更高的频率,提高环路的相位裕度。采用CSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明:输入电压为2.1~4.8 V时,该LDO的输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA;负载电流在2~300 mA之间变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为111、188 mV,响应时间分别为3.2、2.1μs。
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关键词
低压差线性稳压器(LDO)
摆率增强
快速瞬态响应
AB类超级源跟随器
无片外电容
缓冲级
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职称材料
题名
一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源
被引量：
2
1
作者
黄国城
尹韬
朱渊明
许晓冬
张亚朝
杨海钢
机构
中国科学院电子学研究所
中国科学院大学
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第8期2122-2128,共7页
基金
国家自然科学基金(61474120)
国家重点基础研究发展计划(2014CB744600)~~
文摘
该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS工艺设计并流片，测试结果表明，该电路的工作电源电压为1．8μV，静态电流约为13μA。低频处电源抑制比（PSRR）约等于-100dB，在小于1kHz频率范围内PSRR均优于-93dB。并且其片上面积仅为0．013mm2。
关键词
CMOS基准电路
非带隙基准电路
预调制电路
超级源极跟随器
电源抑制比
Keywords
CMOS reference circuit
Non-bandgap reference circuit
Pre-regulated circuit
super
source
follower
Power Supply Rejection Ratio （PSRR）
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
采用AB类源跟随器的无片外电容快速瞬态响应LDO
被引量：
9
2
作者
姚方舟
张章
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
出处
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2022年第4期475-480,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(U19A2053)。
文摘
文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅极电容的充放电电流,具有摆率增强的作用,增强瞬态响应。缓冲级采用AB类超级源跟随器,实现了动态电流提升,且不会降低电源电压要求或增加静态功耗;同时,引入负反馈实现低阻抗转化将次极点推到更高的频率,提高环路的相位裕度。采用CSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明:输入电压为2.1~4.8 V时,该LDO的输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA;负载电流在2~300 mA之间变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为111、188 mV,响应时间分别为3.2、2.1μs。
关键词
低压差线性稳压器(LDO)
摆率增强
快速瞬态响应
AB类超级源跟随器
无片外电容
缓冲级
Keywords
low dropout regulator(LDO)
slew rate enhancement
fast transient response
class-ab super source follower
capacitor-less
buffer stage
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源
黄国城
尹韬
朱渊明
许晓冬
张亚朝
杨海钢
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2016
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
采用AB类源跟随器的无片外电容快速瞬态响应LDO
姚方舟
张章
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2022
9
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职称材料
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