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X波段高功率InP/InGaAs单行载流子光电二极管
1
作者
杨大宝
刘波
+3 位作者
周幸叶
许婧
邢东
冯志红
《半导体技术》
北大核心
2025年第10期1001-1005,共5页
为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速...
为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速电子通过异质结界面,从而起到缓解异质结电子积聚的作用,增大了芯片的3 dB带宽;在吸收层和收集层间增加一层n型掺杂InP崖层,以增强异质结界面的电场,有效缓解了芯片空间电荷效应。为提高器件的高功率输出性能,将芯片阳极结直径增大到40μm,以增加芯片的散热面积;将背入射式芯片以倒装焊方式安装到300μm厚的金刚石基片上,以提高其散热性能。经测试,在1.55μm波长的激光照射下,该CC-MUCT-PD芯片的响应度在-6 V偏压下达到0.7 A/W,在10 GHz处脉冲输出功率为313 mW。
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关键词
高输出功率
电荷补偿(
cc
)改进型单行载流子(
mutc
)光电二极管(
pd
)
高斯掺杂
背入射
金刚石基底
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职称材料
题名
X波段高功率InP/InGaAs单行载流子光电二极管
1
作者
杨大宝
刘波
周幸叶
许婧
邢东
冯志红
机构
固态微波器件与电路全国重点实验室
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第10期1001-1005,共5页
文摘
为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速电子通过异质结界面,从而起到缓解异质结电子积聚的作用,增大了芯片的3 dB带宽;在吸收层和收集层间增加一层n型掺杂InP崖层,以增强异质结界面的电场,有效缓解了芯片空间电荷效应。为提高器件的高功率输出性能,将芯片阳极结直径增大到40μm,以增加芯片的散热面积;将背入射式芯片以倒装焊方式安装到300μm厚的金刚石基片上,以提高其散热性能。经测试,在1.55μm波长的激光照射下,该CC-MUCT-PD芯片的响应度在-6 V偏压下达到0.7 A/W,在10 GHz处脉冲输出功率为313 mW。
关键词
高输出功率
电荷补偿(
cc
)改进型单行载流子(
mutc
)光电二极管(
pd
)
高斯掺杂
背入射
金刚石基底
Keywords
high output power
charge-compensated
(
cc
)
modified
uni-traveling-carrier
(
mutc
)
photodiode
(
pd
)
Gaussian doping
back-illuminated
diamond substrate
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
X波段高功率InP/InGaAs单行载流子光电二极管
杨大宝
刘波
周幸叶
许婧
邢东
冯志红
《半导体技术》
北大核心
2025
0
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