面向多值逻辑计算的基于CNFET的三元逻辑单元库设计

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作者 王蕾 王洪 +3 位作者 王耀 朱晓章 杨智杰 唐玉华 《计算机工程与科学》 北大核心 2025年第7期1152-1161,共10页

相比二值逻辑,三元逻辑具有更多的逻辑状态,因而基于三元逻辑的电路具有面积小、利用率高、传输效率高和安全性强等优点。利用常见的碳纳米管场效应晶体管(CNFET)搭建了基本三元逻辑门电路,设计了一个逻辑完备的三元逻辑库,提出了减小CN... 相比二值逻辑,三元逻辑具有更多的逻辑状态,因而基于三元逻辑的电路具有面积小、利用率高、传输效率高和安全性强等优点。利用常见的碳纳米管场效应晶体管(CNFET)搭建了基本三元逻辑门电路,设计了一个逻辑完备的三元逻辑库,提出了减小CNFET的物理信道长度L ch和源/漏极长度L s/L d的方法来降低转换延迟时间,还以构建的三元逻辑库为基础,设计搭建了一个一位乘法器电路,通过HSPICE仿真,验证了各电路的性能以及降低转换延迟时间的方法的有效性。与之前的三元1-bit乘法器相比,所设计的电路平均转换延迟时间降低了47 ps。在实际电路应用中,所构建的三元逻辑单元库可以用于更高阶电路的电路综合和物理设计,提出的降低三元电路转换延迟时间的方法为未来以高性能微处理器和人工智能芯片为代表的超大规模集成电路提供了思路。 展开更多

关键词 碳纳米管场效应管 三元逻辑 多值逻辑

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基于CNFET的高性能三值SRAM-PUF电路设计

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作者 汪鹏君 龚道辉 +1 位作者 张会红 康耀鹏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期1090-1095,共6页

通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical Unclonable Functions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随机电... 通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical Unclonable Functions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随机电流,并对其电流进行失配分析;然后结合三值SRAM单元的电流竞争得到随机的、不可克隆的三值输出信号"0"、"1"和"2".在32nm CNFET标准模型库下,采用HSPICE对所设计的三值SRAM-PUF电路进行Monte Carlo仿真,分析其随机性、唯一性等性能.模拟结果表明所设计的三值SRAM-PUF电路归一化随机性偏差和唯一性偏差均为0.03%,且与传统二值CMOS设计的PUF电路相比工作速度提高33%,激励响应对数量为原来的(1.5)n倍. 展开更多

关键词 碳纳米管场效应晶体管 三值逻辑 SRAM-PUF 随机性 唯一性

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基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计 被引量：1

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作者 龚道辉 汪鹏君 +1 位作者 康耀鹏 张会红 《华东理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期248-253,共6页

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;... 通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;其次结合输入输出信号分离方法,提高放大差分信号速度;然后利用使能信号控制电路状态,降低三值灵敏放大器功耗。采用32nm CNFET标准模型库进行HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确;芯片成品率高达96.48%,具有较强的稳定性,且与利用CMOS设计的二值灵敏放大器相比工作速度提高64%,功耗降低83.4%。 展开更多

关键词 碳纳米场效应晶体管 三值灵敏放大器 成品率 高速低功耗

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基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器

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作者 蔡铭嫣 张九龄 +3 位作者 陈智峰 廖文丽 陈译 陈铖颖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期732-741,757,共11页

碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机... 碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机数发生器利用慢时钟振荡器对快时钟振荡器进行采样获取随机源,通过在慢时钟振荡器中添加电阻热噪声以增加环形振荡器的相位抖动,经单比特频数测试、重叠子序列检测等随机性测试,证实本设计提高了熵源的非相关性与不可预测性。碳基真随机数发生器的最高工作频率达到7.04 MHz,功耗为1.98 mW,版图面积为2.3 mm×1.5 mm。输出序列通过了随机性检验,适用于现代密码系统的纳米级芯片。 展开更多

关键词 碳纳米管场效应晶体管(CNTFET) 紧凑模型 真随机数发生器(TRNG) 振荡器 时钟抖动

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面向深空探测任务的长寿命碳纳米管阴极研究

5

作者 陈泽宣 肖东阳 +1 位作者 杜欢欢 宋培义 《深空探测学报（中英文）》 CSCD 北大核心 2024年第2期124-131,共8页

针对深空探测对长寿命碳纳米管场发射阴极的应用需求,从CNTs场发射阴极失效的机制分析出发,提出了长寿命CNTs场发射阴极的性能优化方案。采用图形化设计的CNTs发射簇结构可有效降低CNTs发射体表面的场强屏蔽效应,提升阴极的有效发射面积... 针对深空探测对长寿命碳纳米管场发射阴极的应用需求,从CNTs场发射阴极失效的机制分析出发,提出了长寿命CNTs场发射阴极的性能优化方案。采用图形化设计的CNTs发射簇结构可有效降低CNTs发射体表面的场强屏蔽效应,提升阴极的有效发射面积,避免电流集中于部分CNTs从而引起热量累积。提出一种转移键合工艺,将CNTs发射体与衬底的接触由分子力维持转变为金属层熔融键合,提高阴极的机械稳定性并降低了电/热阻抗。在高真空环境下对样机进行性能测试,优化后的CNTs场发射阴极样机实现了0~1 mA的电流范围、<2μA的电流分辨率与1μA/Hz^(1/2)@0.01~1 Hz的噪声水平,并通过了>550 h的连续发射试验,证明了阴极优化后的长周期稳定性。 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射阴极 阵列化设计 边缘效应 转移键合工艺

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单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究 被引量：3

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作者 刘兴辉 张俊松 +7 位作者 王绩伟 曾凡光 李新 敖强 王震 王振世 马迎 王瑞玉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期636-641,共6页

为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了... 为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了CNTFET输出特性、转移特性、跨导、亚阈值摆幅、开关态电流比等电学特性;在等效栅氧化层厚度相同的情况下,对比了采用不同栅介质材料时上述电学特性在数值上的差异,发现随栅介质介电常数的增加,漏感应势垒降低效应变得显著,这不但导致开态时从源注入到漏的电子浓度增加、电流增大,也导致关态电流增大,开关态的电流比减少。研究还发现在通常的栅源和漏源电压下,沟道中出现热电子。 展开更多

关键词 碳纳米管 场效应晶体管 环绕栅 漏感应势垒降低 热电子

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面向SWCNT-FET制造的介电泳装配技术 被引量：3

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作者 吴成东 许可 +1 位作者 田孝军 董再励 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1072-1075,共4页

针对单壁碳纳米管(SWCNT)场效应晶体管(FET)制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配.对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用COMSOL多物理场耦合软件模拟了介电泳驱动电场... 针对单壁碳纳米管(SWCNT)场效应晶体管(FET)制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配.对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用COMSOL多物理场耦合软件模拟了介电泳驱动电场,并做了大量装配实验,获得了高效装配SWCNT所需的实验参数.AFM扫描观测及电特性测试验证了这种方法的有效性,同时也为其他一维纳米材料纳电子器件的装配制造提供了借鉴. 展开更多

关键词 单壁碳纳米管 场效应晶体管 介电泳 COMSOL软件 原子力显微镜 纳电子器件

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碳纳米管场致发射中的空间电荷效应 被引量：5

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作者 张强 陈泽祥 +2 位作者 朱炳金 王小菊 于涛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期567-572,共6页

采用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法成功制备以碳纳米管束为单元的场致发射阵列,获得很好的场致发射电流发射特性,在电流密度较大时,发现I-V特性偏离由Fowler-Nordheim公式计算出的结果。采用Electron Beam Simulation(EBS)软件... 采用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法成功制备以碳纳米管束为单元的场致发射阵列,获得很好的场致发射电流发射特性,在电流密度较大时,发现I-V特性偏离由Fowler-Nordheim公式计算出的结果。采用Electron Beam Simulation(EBS)软件进行模拟分析发现:在电流密度较低时,I-V特性能很好与F-N公式吻合。但碳纳米管尖端电流密度大于106A/cm2时,碳纳米管尖端处的有效电场强度受空间电荷的影响比较明显,进而对碳纳米管的场致发射特性显现出不可忽略的影响,此时碳纳米管的发射电流密度开始受到空间电荷的限制。 展开更多

关键词 空间电荷效应 碳纳米管 场致发射 微波等离子体化学气相沉积

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碳纳米管阵列的气相沉积制备及场发射特性 被引量：3

9

作者 张琦锋 于洁 +4 位作者 宋教花 张耿民 张兆祥 薛增泉 吴锦雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第4期409-413,共5页

运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm,长度约4～5μm,且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V·μm... 运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm,长度约4～5μm,且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V·μm-1,表明碳纳米管具有很强的场发射能力.利用场发射显微镜观察了碳纳米管阵列的场发射像,发现碳纳米管阵列的场发射主要集中在样品薄膜的边缘部位.这是由于碳纳米管密度过大而产生的屏蔽效应所致. 展开更多

关键词 碳纳米管阵列 气相沉积 制备 场发射特性 屏蔽效应

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碳纳米管/金属接触改善方法的研究进展 被引量：3

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作者 陈长鑫 金铁凝 张亚非 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期449-457,共9页

碳纳米管(CNT)由于其独特结构和优异特性已被广泛用来构筑各种纳米器件.而CNT与电极间的接触在CNT器件中扮演着重要的作用,是器件性能的关键影响因素.采用何种有效的方法来改善CNT与金属电极间的接触一直是CNT器件研究中的一个重要方面... 碳纳米管(CNT)由于其独特结构和优异特性已被广泛用来构筑各种纳米器件.而CNT与电极间的接触在CNT器件中扮演着重要的作用,是器件性能的关键影响因素.采用何种有效的方法来改善CNT与金属电极间的接触一直是CNT器件研究中的一个重要方面.本文综述了近年来CNT/金属接触改善方法的研究进展,结合本课题组的研究对目前有代表性的接触改善方法进行介绍.阐述了各种改善方法的原理和加工工艺,讨论了采用这些方法获得的接触特性和器件性能,并对各方法的特点进行了比较. 展开更多

关键词 碳纳米管(CNT) 碳纳米管/金属接触 接触电阻 碳纳米管场效应晶体管(CNTFET) 综述

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碳纳米管的快速糖基化及用于糖-凝集素特异性识别作用的研究 被引量：2

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作者 付群 吴明红 +1 位作者 焦正 王德庆 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期525-529,共5页

将含糖基的简单两亲分子N-十八烷基麦芽糖酰胺(N-n-Octadecyl-D-maltonamide,NOMA)非共价修饰到单壁碳纳米管(SWNT)表面形成糖-碳纳米管复合体(NOMA-SWNT),谱学和形态学结果表明,NOMA不仅能快速、高效地吸附到SWNT表面,而且能有效地改善... 将含糖基的简单两亲分子N-十八烷基麦芽糖酰胺(N-n-Octadecyl-D-maltonamide,NOMA)非共价修饰到单壁碳纳米管(SWNT)表面形成糖-碳纳米管复合体(NOMA-SWNT),谱学和形态学结果表明,NOMA不仅能快速、高效地吸附到SWNT表面,而且能有效地改善SWNT在水溶液中的分散性能.以NOMA-SWNT管束为导通沟道构建了碳纳米管场效应管(CNTFET)器件,检测了麦芽糖和伴刀豆凝集素蛋白(Con A)的特异性识别作用.检测器件在每个修饰阶段的电学性能的变化证明了NOMA对SWNT的非共价糖基化修饰及用CNTFET来检测糖-凝集素特异性识别作用的可能性. 展开更多

关键词 单壁碳纳米管 糖基化 糖-碳纳米管复合物 碳纳米管场效应管 糖-凝集素识别

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一种基于碳纳米管场发射的发光二极管 被引量：3

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作者 田进寿 许蓓蕾 +2 位作者 王俊峰 周军兰 郭宝平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1148-1150,共3页

制作了一个基于碳纳米管场发射的发光二极管 ,实验结果表明 ,这种发光二极管驱动场强低 ,亮度高 ,能够满足常用显示器和发光管的亮度要求 。

关键词 边界元法 碳纳米管 发光二极管 场屏蔽效应

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碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较 被引量：1

13

作者 周海亮 赵天磊 +1 位作者 张民选 郝跃 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期77-82,共6页

由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与... 由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs)也不尽相同。器件尺寸缩小特性研究是研究其应用前景的重要方式,而之前对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的研究并没考虑带间隧穿对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的影响。采用非平衡格林函数方法,对比研究了带间隧穿对C-CNFETs与T-CNFETs尺寸缩小特性的影响。研究结果表明两者存在较大差异、甚至截然相反的尺寸缩小特性。有利于为碳纳米管场效应管器件设计提供重要指导,以获取面积、速度、功耗之间的合理折中。 展开更多

关键词 碳纳米管场效应管 尺寸缩小特性 带间隧穿 非平衡格林函数 量子电容

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碳纳米管薄膜气流热电发电机性能测试分析 被引量：2

14

作者 卢江雷 王广龙 +3 位作者 孙连峰 高凤岐 余芳 王钢 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第8期37-39,共3页

基于碳纳米管薄膜的热电特性,设计了一种新型的薄膜式气流热电发电机。当热气流在碳纳米管薄膜材料表面流动时,在薄膜平面内形成温度梯度,通过塞贝克效应将热能直接转换为电能。利用浮动催化化学气相沉积法制备了导电性较好的透明碳纳... 基于碳纳米管薄膜的热电特性,设计了一种新型的薄膜式气流热电发电机。当热气流在碳纳米管薄膜材料表面流动时,在薄膜平面内形成温度梯度,通过塞贝克效应将热能直接转换为电能。利用浮动催化化学气相沉积法制备了导电性较好的透明碳纳米管薄膜,建立了气流热电发电机实验模型,对其输出电压进行了测试。实验表明:与传统的固定热源热电发电机相比,该气流热电发电机的输出电压较高。提出了集流体动力、流固耦合换热、热电效应于一体的多物理场耦合发电机制,对该实验结果进行了解释。碳纳米管薄膜气流热电发电机容易集成加工,可解决微光机电系统的电源问题,具有广阔的应用前景和实用价值。 展开更多

关键词 碳纳米管薄膜 热电发电机 塞贝克效应 多场耦合 气流

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耦合场中小尺寸碳纳米管的组合扭转屈曲行为 被引量：1

15

作者 姚小虎 陈达 +2 位作者 孙玉刚 欧智成 李函洲 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期2031-2037,共7页

针对小尺寸碳纳米管在多物理场耦合作用下的组合扭转屈曲问题,提出了基于非局部理论耦合场作用下的力学模型,并研究了该模型的组合扭转屈曲行为。首先,采用连续弹性壳模型,引进热-电-力多场耦合作用下的本构关系,通过引入非局部弹性理... 针对小尺寸碳纳米管在多物理场耦合作用下的组合扭转屈曲问题,提出了基于非局部理论耦合场作用下的力学模型,并研究了该模型的组合扭转屈曲行为。首先,采用连续弹性壳模型,引进热-电-力多场耦合作用下的本构关系,通过引入非局部弹性理论来考虑小尺寸碳纳米管的尺度效应;然后针对多壁碳纳米管层间范德华力和周边弹性介质的影响,建立了基于非局部理论多场耦合作用下碳纳米管的屈曲控制方程。最后,在轴力组合扭转载荷及温度与电压变化影响的工况下,研究了各因素对碳纳米管组合扭转屈曲行为的影响。得到的结果显示了小尺寸碳纳米管组合扭转屈曲行为在多场耦合作用下的响应,揭示了各物理场与组合扭转屈曲行为的关系;同时指出非局部理论下的屈曲载荷与经典理论下的屈曲载荷比值总小于1,说明经典理论高估了小尺寸碳纳米管的组合扭转屈曲行为。 展开更多

关键词 碳纳米管 扭转屈曲 多场耦合 尺度效应

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单壁碳纳米管束的排布

16

作者 杨丹娜 王林 +3 位作者 张潇娴 王东卫 谌志强 李赛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期103-107,共5页

流体排布法是实现碳纳米管定向排列的一种简单的方法。采用流体排布法在具有浸润性图案化的基底上成功地对单壁碳纳米管(SWNTs)束进行了水平方向上的排布。将SWNTs悬浮液滴入光刻胶制成的微通道中,在流体剪切力作用下,弯曲的SWNTs在一... 流体排布法是实现碳纳米管定向排列的一种简单的方法。采用流体排布法在具有浸润性图案化的基底上成功地对单壁碳纳米管(SWNTs)束进行了水平方向上的排布。将SWNTs悬浮液滴入光刻胶制成的微通道中,在流体剪切力作用下,弯曲的SWNTs在一定程度上会被拉伸并且平行地排列在纳米级宽度的微通道中。将排列好的SWNTs阵列转移到一些不同间距的金电极对上面,制作成碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。CNTFET的电性能测试结果表明,制备的SWNTs束可以制造出不同电极间距同时具有良好电性能的CNTFET。 展开更多

关键词 单壁碳纳米管 微通道 毛细管力 碳纳米管场效应晶体管

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碳纳米管的电磁性能和表面修饰研究现状

17

作者 沈翔 龚荣洲 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期9-12,共4页

综述了碳纳米管的电磁性能和用金属及合金包覆碳纳米管的研究现状,介绍了碳纳米管的应用的最新进展如场效应晶体管、场发射器件等。展望了碳纳米管在微电子领域的发展趋势。

关键词 碳纳米管 电磁性能 表面修饰 CNTS 量子尺寸效应 超导特性

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电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究

18

作者 吕建伟 王万录 +3 位作者 廖克俊 王永田 万步勇 孔纪兰 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期149-152,共4页

由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注。对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目。笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法 (CVD)合... 由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注。对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目。笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法 (CVD)合成的。衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂。对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极。实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线。在栅压 2V时,其跨导约为 0. 5mA/V。并对获得的研究结果进行了讨论。 展开更多

关键词 碳纳米管 场效应晶体管 电解液栅极 I-V特性 跨导

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半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究

19

作者 张福海 牛文成 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页

本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。

关键词 氢离子敏感场效应晶体管(pH-ISFET) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(FET型pCO₂传感器)

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多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究 被引量：5

20

作者 周晓龙 柴扬 +5 位作者 李萍剑 潘光虎 孙晖 申自勇 张琦锋 吴锦雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1127-1131,共5页

以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳... 以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳米管.用其制备的场效应管在室温大气环境下稳定地表现为n型场效应特性,并且具有非常低的关闭状态电流(off-statecurrent)以及良好的负门电压对漏极电流的抑制作用,单位源漏偏压下漏极电流为100pA量级.实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构,使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称,从而实现了对漏电极的门电压调制. 展开更多

关键词 碳纳米管 掺杂 场效应管(FET) 输运

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