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Ga^(3+):KTP晶体c向电导率的研究 被引量:2
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作者 臧和贵 常新安 +2 位作者 张书峰 陈学安 肖卫强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期378-380,共3页
采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较。结果发现,Ga3+:KTP晶体... 采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较。结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上。文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨。 展开更多
关键词 Ga^3+:KTP晶体 分配系数 c向电导率
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单掺Rb^+和Cs^+的KTP晶体生长及其电导率(英文) 被引量:2
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作者 常新安 臧和贵 +2 位作者 陈学安 肖卫强 张书峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1052-1055,共4页
采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K6溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为0.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长。... 采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K6溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为0.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长。通过掺Rb+或Cs+,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350~1100nm范围内的光透过性质未受影响。 展开更多
关键词 掺质KTP晶体 生长习性 分配系数 透过 c向电导率
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