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中国立井冻结井壁技术的发展与展望 被引量:1
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作者 杨维好 黄书翔 +8 位作者 王衍森 李伟 杨志江 任彦龙 韩涛 张驰 张涛 骆汀汀 张雨 《煤炭学报》 北大核心 2025年第1期92-114,共23页
分析了“深部化”和“大型化”趋势对中国深井井筒的设计、施工与运维带来的严峻挑战。总结经验教训,指出冻结法是复杂条件下深井井筒施工最主要的地层堵水与加固工法。回顾了2002年以前国内外冻结井壁技术的状况。概述了2002年以来我国... 分析了“深部化”和“大型化”趋势对中国深井井筒的设计、施工与运维带来的严峻挑战。总结经验教训,指出冻结法是复杂条件下深井井筒施工最主要的地层堵水与加固工法。回顾了2002年以前国内外冻结井壁技术的状况。概述了2002年以来我国在400~800 m深厚土层中和在500~1000 m深厚富水岩层中冻结井壁技术取得的重大突破及其应用情况,包括:冻结井筒C60~C100、CF80~CF110高承载力混凝土井壁设计与施工技术,深厚土层中冻结井壁破裂灾害防治技术,深厚富水岩层中低渗漏单层井壁技术等。针对2002年以来中国冻结井壁技术的发展,总结了井壁材料的进步;介绍了横截面、纵剖面井壁结构的发展;归纳了对土层的初始水平水土压力、内层井壁承受的水压、冻结压力、富水岩层中孔隙水引起的井壁水力荷载、井壁竖直附加力等的新认识;简述了井壁力学模型,高径向承载力井壁和内层可缩井壁的力学特性,双层复合井壁之内、外壁厚度的设计理论,含水岩层中单层井壁厚度的设计理论和内层可缩井壁的设计理论等的新进展;介绍了大厚度井壁裂漏机理及防裂技术、井壁腐蚀破坏及防治技术、信息化施工技术,以及内层可缩井壁和低渗漏单层井壁的施工工艺。针对我国在1500 m超深土层中以及3000 m深厚富水岩层中冻结井壁技术将面临的挑战,指出应重点研究:深厚土层中冻结井筒掘进期间浅部外壁破裂新机理,超深土的力学特性,高强、高性能筑壁材料与构件,超高承载力井壁结构及其力学特性,超深冻结井壁设计理论与施工技术等。 展开更多
关键词 深厚土层 深厚富水岩层 立井 冻结法凿井 冻结井壁 井壁结构 井壁材料 井壁外载 冻结壁 力学特性 设计理论 施工技术
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垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体的数值模拟分析 被引量:10
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作者 马雁冰 刘滔 +4 位作者 邹鹏程 姜军 高文峰 罗川旭 林文贤 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第4期240-245,共6页
利用FIDAP数值软件,详细地模拟分析了垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体过程,讨论了碲锌镉材料潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布的影响,分析了5 K/cm、10 K/cm、15 K/cm三种不同温度梯度条件对固液界面的影响。结果表明:在所采用的... 利用FIDAP数值软件,详细地模拟分析了垂直Bridgman法生长碲锌镉晶体过程,讨论了碲锌镉材料潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布的影响,分析了5 K/cm、10 K/cm、15 K/cm三种不同温度梯度条件对固液界面的影响。结果表明:在所采用的模型计算条件下,潜热释放及熔体对流对安瓿边界的温场分布有很小的影响;在生长初期和末期,固液界面变化比较剧烈;随着温度梯度的加大,在生长中期,界面凹向固态区的趋势减小,界面凹向液态区的趋势加大。 展开更多
关键词 CDZNTE FIDAP 垂直bridgman 数值模拟
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垂直Bridgman法多组元晶体生长的多场耦合模型 被引量:1
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作者 陆军 李恒 +4 位作者 苏燕兵 白博峰 王跃社 王国祥 郭烈锦 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期582-586,共5页
对垂直Bridgman法多组元晶体生长的准稳态模型所采用的Boussinesq线性密度假设进行了改进,基于密度的Taylor展开式,得到了熔体密度随温度、浓度变化的非线性函数关系并引入到模型中,改进后的准稳态模型(PSSM)能揭示晶体生长过程的非线... 对垂直Bridgman法多组元晶体生长的准稳态模型所采用的Boussinesq线性密度假设进行了改进,基于密度的Taylor展开式,得到了熔体密度随温度、浓度变化的非线性函数关系并引入到模型中,改进后的准稳态模型(PSSM)能揭示晶体生长过程的非线性本质.明确了模型的边界条件,得到了晶体生长的完整数学描述.改进后的PSSM以及已获得的多组元晶体准确物性为晶体生长的多场耦合定量数值模拟研究奠定了基础. 展开更多
关键词 垂直bridgman 多场耦合 准稳态模型
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垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征
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作者 黄东阳 黄浩天 +3 位作者 潘明艳 徐子骞 贾宁 齐红基 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期190-196,共7页
本文采用自主设计的垂直布里奇曼(VB)炉,通过动态模拟与实验深度耦合迭代优化的方法,建立了生长炉模型,通过优化生长炉的温场得到最佳温场,并根据模拟最佳温场对实际温场进行优化改造,成功生长出直径3英寸(1英寸=2.54 cm)的氧化镓(β-Ga... 本文采用自主设计的垂直布里奇曼(VB)炉,通过动态模拟与实验深度耦合迭代优化的方法,建立了生长炉模型,通过优化生长炉的温场得到最佳温场,并根据模拟最佳温场对实际温场进行优化改造,成功生长出直径3英寸(1英寸=2.54 cm)的氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶。进一步加工得到最大尺寸为直径2.5英寸的(100)面β-Ga_(2)O_(3)晶圆,并对β-Ga_(2)O_(3)晶体的结晶质量和光学性能进行了表征测试。测试结果表明,β-Ga_(2)O_(3)晶体具有较高结晶质量,其紫外截止边为257.5 nm,对应光学带隙为4.78 eV,晶体的劳埃衍射斑点清晰、对称,摇摆曲线半峰全宽(FWHM)最小为39.6″。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 垂直布里奇曼法 晶体生长 高结晶质量 宽禁带半导体
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环境条件对Bridgman法晶体生长过程的影响(英文)
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作者 张海斌 邓群 +2 位作者 任国浩 刘高联 宫波 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期741-746,共6页
本文对不同环境条件时Bridgman法晶体生长过程进行计算,并对不同条件对生长过程的影响加以讨论。较大的温度梯度、较大的换热系数和适量的底部冷却是Bridgman法晶体生长的必备条件,也是工艺优化的重要方向。
关键词 环境条件 bridgman 晶体 生长过程 温度梯度 换热系数 底部冷却
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垂直Bridgman法生长氟化钙晶体的数值分析 被引量:1
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作者 姚静 周海 +3 位作者 卢一民 万汉城 王晓阳 李建 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期640-644,共5页
利用Fluent软件,模拟计算了垂直Bridgman法大尺寸氟化钙晶体生长的具体过程,研究了晶体生长过程中的热传递和熔体对流传热,分析了固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和... 利用Fluent软件,模拟计算了垂直Bridgman法大尺寸氟化钙晶体生长的具体过程,研究了晶体生长过程中的热传递和熔体对流传热,分析了固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和径向温度梯度的影响。分析结果表明:熔体对流传热的效果随晶体生长的不断进行逐渐减弱;固相、液相和坩埚的热导率的差异对坩埚中心轴的轴向温度分布和轴向温度梯度以及界面处的径向温度分布和径向温度梯度有重要影响;晶体的结晶速度和坩埚的下降速度存在不一致性。 展开更多
关键词 氟化钙(CaF2) Fluent软件 垂直bridgman 数值模拟
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垂直Bridgman法生长CaF_2单晶传热过程的数值分析 被引量:1
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作者 姚静 周海 +1 位作者 卢一民 万汉城 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期48-53,共6页
采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析,准稳态模型简化模拟计算过程.研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响,讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响.研究表明:晶体生长过程中界面凸度发生变化... 采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析,准稳态模型简化模拟计算过程.研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响,讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响.研究表明:晶体生长过程中界面凸度发生变化;晶体生长速率与坩埚下降速率不一致;25 K/cm为合适的梯度区温度梯度;晶体内部辐射传热对单晶生长传热过程有重要影响.计算结果表明,3个时期的固相等温线的曲率小于液相的.根据数值模拟结果进行了晶体生长实验,生长出的晶体完整,透明,无宏观缺陷. 展开更多
关键词 CAF2 有限元法 垂直bridgman 数值模拟 传热 温度场
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Numerical investigation of temperature gradient-induced thermal stress for steel–concrete composite bridge deck in suspension bridges 被引量:7
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作者 WANG Da DENG Yang +1 位作者 LIU Yong-ming LIU Yang 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第1期185-195,共11页
A3D finite element model(FEM)with realistic field measurements of temperature distributions is proposed to investigate the thermal stress variation in the steel–concrete composite bridge deck system.First,a brief lit... A3D finite element model(FEM)with realistic field measurements of temperature distributions is proposed to investigate the thermal stress variation in the steel–concrete composite bridge deck system.First,a brief literaturereview indicates that traditional thermal stress calculation in suspension bridges is based on the2D plane structure with simplified temperature profiles on bridges.Thus,a3D FEM is proposed for accurate stress analysis.The focus is on the incorporation of full field arbitrary temperature profile for the stress analysis.Following this,the effect of realistic temperature distribution on the structure is investigated in detail and an example using field measurements of Aizhai Bridge is integrated with the proposed3D FEM model.Parametric studies are used to illustrate the effect of different parameters on the thermal stress distribution in the bridge structure.Next,the discussion and comparison of the proposed methodology and simplified calculation method in the standard is given.The calculation difference and their potential impact on the structure are shown in detail.Finally,some conclusions and recommendations for future bridge analysis and design are given based on the proposed study. 展开更多
关键词 suspension bridge steel–concrete composite bridge deck vertical temperature gradient finite element method thermal stress
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高温垂直Bridgman法生长Zn_(1-x)Mg_xTe晶体
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作者 刘国和 李焕勇 +2 位作者 张海洋 王小军 靳英坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期727-732,共6页
采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe(5N)、Mg(5N)和Te(7N)为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体。分别采用X射线衍射、紫外可见分光光度计和红外光谱仪研究了晶体的结构及光学性质,通过PL谱和化学腐蚀... 采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe(5N)、Mg(5N)和Te(7N)为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体。分别采用X射线衍射、紫外可见分光光度计和红外光谱仪研究了晶体的结构及光学性质,通过PL谱和化学腐蚀的方法分析了晶体的结晶质量。结果表明:所生长的晶体具有立方相结构,晶格常数为0.61585 nm,略大于ZnTe晶格常数,晶锭中质量最好部分的晶片红外和紫外透过率接近60%,室温下其禁带宽度约为2.37 eV。77 K温度下,PL谱中存在A和B两个主要的发光带,位错腐蚀坑密度在105cm-2数量级。 展开更多
关键词 高温垂直bridgman Zn1-xMgxTe晶体 透过率 腐蚀坑密度
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镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
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作者 张颖武 边义午 +3 位作者 陈晨 周春锋 王云彪 兰天平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期708-712,725,共6页
由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗... 由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。 展开更多
关键词 6英寸 垂直梯度凝固(VGF)法 锗单晶 镓硼共掺 电阻率 均匀性
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CsPbBr_(3)晶体生长及变温霍尔效应研究
11
作者 王杰 金致远 +3 位作者 彭静 张绍卿 黄巍 何知宇 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期5101-5105,5113,共6页
以定向凝固法提纯的CsPbBr_(3)多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸为∅30 mm×70 mm的CsPbBr_(3)单晶。采用ICP-OES对提纯后的多晶测试表明,提纯后的CsPbBr_(3)多晶中杂质含量减少了28.7%。经XRD和EDS对切割得到的晶片分析发现... 以定向凝固法提纯的CsPbBr_(3)多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸为∅30 mm×70 mm的CsPbBr_(3)单晶。采用ICP-OES对提纯后的多晶测试表明,提纯后的CsPbBr_(3)多晶中杂质含量减少了28.7%。经XRD和EDS对切割得到的晶片分析发现,晶片的晶面方向属{210}晶面族,晶体中Cs、Pb、Br_(3)种元素分布均匀,原子百分含量符合化学计量比。采用傅里叶红外光谱仪和紫外-可见分光光度计对晶体的透过率测试显示,生长晶体在500~4000 cm^(-1)波数范围内的红外透过率超过75%,紫外短波截止边为552 nm,拟合计算出对应的禁带宽度为2.246 eV。选取7个不同温度点对CsPbBr_(3)单晶进行变温霍尔效应测试发现,生长晶体为P型导电,在250~300 K和300~350 K之间晶体中主要的载流子散射机制分别为声学波散射和电离杂质散射,在150~250 K温度范围内,更符合多种散射机构共同作用的散射机制。进一步拟合载流子浓度p与1/T的关系,计算获得晶体中杂质电离能ΔE_(A)=0.3042 eV。 展开更多
关键词 晶体生长 CsPbBr_(3)单晶 垂直布里奇曼法 变温霍尔 散射机制
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尺寸效应对坩埚下降法生长氟化钙晶体影响机制的数值模拟分析 被引量:1
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作者 施宇峰 王鹏飞 +1 位作者 穆宏赫 苏良碧 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第6期973-981,共9页
高质量大尺寸氟化钙晶体是深紫外光刻、空天相机等高端应用不可或缺的光学材料,同时制备高质量大尺寸晶体也是晶体生长领域的难题。本文以数值手段分别模拟了3、7和20英寸(1英寸=2.54 cm)氟化钙晶体在不同生长阶段的传热、流动及相变过... 高质量大尺寸氟化钙晶体是深紫外光刻、空天相机等高端应用不可或缺的光学材料,同时制备高质量大尺寸晶体也是晶体生长领域的难题。本文以数值手段分别模拟了3、7和20英寸(1英寸=2.54 cm)氟化钙晶体在不同生长阶段的传热、流动及相变过程。结果表明,晶体尺寸增加大幅加强熔体流动强度,而且造成坩埚外壁散热部分的面积急剧增加,由此引发固液界面局部凹陷、径向温差增大、晶体边缘-中心温差翻转、生长界面附近的轴向温梯大幅衰减等问题。此外,本文还就大尺寸氟化钙晶体生长中的坩埚下降速率和发热体功率的优化控制策略进行了探讨。 展开更多
关键词 CaF_(2)晶体 坩埚下降法 尺寸效应 数值模拟 固液界面 温度梯度
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温跃层边界提取的组合算法 被引量:1
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作者 马志川 李倩倩 曹守莲 《应用声学》 CSCD 北大核心 2024年第3期661-668,共8页
常用的几种温跃层边界提取方法的适用性有限。为进一步提高温跃层边界提取方法的适用性,该文提出一种用于海洋温跃层边界提取的组合算法,该算法基于调整判定阈值后的垂直梯度法和一种改进函数模型几何形态后的拟阶梯函数逼近法。为验证... 常用的几种温跃层边界提取方法的适用性有限。为进一步提高温跃层边界提取方法的适用性,该文提出一种用于海洋温跃层边界提取的组合算法,该算法基于调整判定阈值后的垂直梯度法和一种改进函数模型几何形态后的拟阶梯函数逼近法。为验证该算法对于温跃层边界提取的适用性、客观性,利用中国Argo实时资料中心发布的全球海洋Argo网格资料集(BOA_Argo),选取2018年夏季0◦∼30◦N、135◦E∼165◦E所在的太平洋区域的温度剖面数据进行处理。结果表明,该算法对低纬度海区温度剖面拟合质量较好,拟合均方根误差普遍低于1.3◦C,而且提取到的温跃层上下边界在纬向更平缓,然而对于中高纬度海区的温度剖面,组合算法处理效果不佳,直接通过垂直梯度法进行温跃层边界提取效果更好。 展开更多
关键词 温跃层 BOA_Argo 拟阶梯函数逼近法 垂直梯度法
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VB/VGF法制备掺FeInP晶体的电阻率均匀性
14
作者 韩家贤 韦华 +5 位作者 刘汉保 惠峰 雷云 何永彬 唐康中 王茺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期825-831,共7页
针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化... 针对4.5英寸(1英寸≈2.54 cm)掺Fe InP晶体普遍存在的轴向和径向电学参数分布不均匀问题,深入研究了晶体生长工艺参数对电学参数分布的影响。结合垂直布里奇曼(VB)法和垂直梯度凝固(VGF)法,利用六段温区控制及坩埚线性下降的装置,优化了坩埚的旋转和下降速度,以调节掺杂剂Fe在熔体中的分凝、固液界面形状及晶体头部与尾部的生长速度。这些措施不仅改善了晶体的固液界面形状,使其由较凹变得平缓,同时实现了晶体生长速率的合理匹配与温度梯度的精确控制,显著提升了晶体的位错密度和电学参数的均匀性。与传统VGF法相比,VB/VGF法掺Fe InP晶体的轴向电阻率差值降低了259%,径向电阻率均匀性提高了2.0%~7.1%。 展开更多
关键词 INP 晶体生长 垂直布里奇曼(VB)法 垂直梯度凝固(VGF)法 电阻率 均匀性
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VGF法磷化铟单晶炉加热器对炉内热场分布影响的研究
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作者 艾家辛 万洪平 +1 位作者 钱俊兵 韦华 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期781-791,共11页
磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体,在通信、航空航天和人工智能等领域具有广泛的应用。InP单晶生长质量的优劣取决于其生长炉内热场的稳定与温控。InP晶体工业生产中广泛采用的垂直梯度凝固(VGF)法是在磷化铟单晶生长炉中构建高温... 磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体,在通信、航空航天和人工智能等领域具有广泛的应用。InP单晶生长质量的优劣取决于其生长炉内热场的稳定与温控。InP晶体工业生产中广泛采用的垂直梯度凝固(VGF)法是在磷化铟单晶生长炉中构建高温、封闭、稳定及可控的热场,但因炉内缺乏直接观测和完整的参数监测手段,利用计算机数值仿真对炉内晶体生长的温度场进行科学分析,以获取最佳的生长温控条件,俨然成为有效且重要的方法。本文基于ANSYS有限元软件及炉内元件实测参数,建立了InP单晶生长系统热场三维物理和数学模型,基于磷化铟单晶生长过程中的温度离散数据,对所建模型对比和验证,获得了与实际生产温度数据吻合良好的效果(温度偏差控制在3%以内),验证了所建模型的有效性。基于此模型,本文对生产条件下四段加热器温度波动对热场分布影响进行了探讨,并对炉内四段加热器的温度波动对炉内低温区、高温区及料管中心温度影响规律进行了研究,所得结论对揭示工业生产过程中InP单晶炉热场的分布规律及调节方法具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 磷化铟单晶 垂直梯度凝固法 热场 数值模拟 半导体 晶体生长
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反向传播神经网络的太平洋海域温跃层反演
16
作者 丁加豪 李倩倩 +1 位作者 毕德凯 刘胜君 《应用声学》 CSCD 北大核心 2024年第3期669-677,共9页
温跃层是反映海洋温度场的重要指标。针对太平洋中东部海域复杂多变的水文情况以及传统温跃层分析模式的局限性,该文基于BOA_Argo历史网格,通过BP神经网络,建立温度剖面的经验正交系数与海面遥感数据、少量深度处海水温度之间的非线性... 温跃层是反映海洋温度场的重要指标。针对太平洋中东部海域复杂多变的水文情况以及传统温跃层分析模式的局限性,该文基于BOA_Argo历史网格,通过BP神经网络,建立温度剖面的经验正交系数与海面遥感数据、少量深度处海水温度之间的非线性映射关系,实现海洋垂向温度剖面的实时反演,最后利用垂向梯度法获得海洋温跃层的相关参数。实验结果表明,相比于传统方法,该方法反演得到的跃层深度与测量值更加吻合,其中上层深度平均反演误差从10.3 m下降到5.7 m,下层深度平均反演误差从16.8 m下降到8.8 m。 展开更多
关键词 温跃层 BP神经网络 经验正交函数 垂向梯度法
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优质碲锌镉单晶的生长及性能测试 被引量:7
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作者 巩锋 周立庆 +1 位作者 刘兴新 董瑞清 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期362-363,共2页
采用垂直布里奇曼法(VB)生长出直径为55mm、低位错密度、结构完好的碲锌隔单晶(Cd0.955Zn0.045Te)。通过位错腐蚀坑密度、傅立叶红外透射光谱、X Ray形貌、X射线双晶摇摆曲线对碲锌镉晶体的性能进行了研究。
关键词 生长 优质 傅立叶 密度 直径 形貌 单晶 摇摆曲线 晶体 垂直布里奇曼法
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碘化铅(PbI_2)单晶体的生长研究 被引量:7
18
作者 朱兴华 赵北君 +3 位作者 朱世富 金应荣 赵欣 杨晓龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期25-28,共4页
本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、... 本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为 1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了 (001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作。 展开更多
关键词 碘化铅 单晶体 bridgman 衍射谱 X射线衍射分析 气相 单质 原料 多晶 安瓿
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籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体 被引量:11
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作者 徐亚东 介万奇 +1 位作者 王涛 刘伟华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1180-1184,共5页
采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm^2的CdZeTe(CZT)晶锭。根据CZT晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量,进一步的拟合得出晶体生长过... 采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm^2的CdZeTe(CZT)晶锭。根据CZT晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量,进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1.30;分析了晶片在中红外波段内的红外透过率,发现波数在2000-4000cm^-1内透过率平直且较高,超过60%,而从2000cm^-1到500cm^-1随波数的减小透过率急速下降至零;由钝化后的Au/CZT晶片的I-V曲线,计算得到生长态C2T晶片的电阻率P达到1.8×10^9-2.6×10^10Ω·cm。 展开更多
关键词 CDZNTE 籽晶 垂直布里奇曼法 近红外光谱
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南海温跃层深度计算方法的比较 被引量:10
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作者 姜波 吴新荣 +1 位作者 丁杰 张榕 《海洋通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期64-73,共10页
基于1986-2008年的中国近海及邻近海域再分析产品(CORA)气候平均海温资料,分别运用S-T法、垂向梯度法和最大曲率点3种温跃层定义计算了南海温跃层上界深度,揭示了南海温跃层季节变化特征。对3种不同定义确定的温跃层上界深度进行比较发... 基于1986-2008年的中国近海及邻近海域再分析产品(CORA)气候平均海温资料,分别运用S-T法、垂向梯度法和最大曲率点3种温跃层定义计算了南海温跃层上界深度,揭示了南海温跃层季节变化特征。对3种不同定义确定的温跃层上界深度进行比较发现:采用不同定义计算南海温跃层上界深度存在差异,S-T法确定的温跃层上界深度最浅,垂向梯度法其次,最大曲率点法最深;在深水区(水深>200 m)运用S-T法计算的温跃层上界深度与垂向梯度法的结果比较一致,都与实际温跃层深度符合较好;在浅水区(水深<200 m),垂向梯度法和最大曲率点法可以准确判定无跃区,但对于温跃层深度计算,3种定义误差均较大。 展开更多
关键词 温跃层 S-T法 垂向梯度法 最大曲率点法
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