研究了光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路,实现了塑料光纤通信的高速单片集成光接收芯片。首先,根据工艺流程和参数,采用器件模拟软件对PD结构进行了建模,并对其光谱响应度和结电容进行了理论推导及仿真。基于Cadence/spectr...研究了光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路,实现了塑料光纤通信的高速单片集成光接收芯片。首先,根据工艺流程和参数,采用器件模拟软件对PD结构进行了建模,并对其光谱响应度和结电容进行了理论推导及仿真。基于Cadence/spectre软件和仿真得到的PD参数对由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成的后续放大电路进行了协同设计。采用0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺对单个PD以及PD和后续放大电路单片集成电路进行了流片、封装和测试。结果表明:PD的光谱响应曲线的峰值波长和仿真结果较一致,约为700nm,PD结构更适合短波长探测;PD的结电容随着反向电压的增大而减小,结电容越大,光接收芯片的带宽越小;对于650nm的入射光,在小于10-9的误码率条件下,光接收机的灵敏度为-14dBm;最后得到了150Mb/s速率的清晰眼图。实验结果显示,设计的高速单片集成光接收机可以应用于百兆速率光纤入户通信系统。展开更多
为提高0.35μm 30-0-50 V BCD(bipolar-CMOS-DMOS)工艺下50 V HVPMOS的电学性能,在不改变工艺流程的基础上,仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化.采用Silvaco公司的工艺与器件模拟软件,仿真分析了沟道长度、overlap尺寸、场氧...为提高0.35μm 30-0-50 V BCD(bipolar-CMOS-DMOS)工艺下50 V HVPMOS的电学性能,在不改变工艺流程的基础上,仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化.采用Silvaco公司的工艺与器件模拟软件,仿真分析了沟道长度、overlap尺寸、场氧化层长度及场极板长度对50 V HVPMOS器件电学性能的影响.根据仿真结果确定了优化后的结构尺寸,并结合流片测试结果验证了优化方案的可行性.测试结果表明,优化后50 V HVPMOS的开启电压降低到了-0.98 V,击穿电压提高到了-68 V,特征导通电阻降低了13.5%,饱和电流提高了13.1%,器件的安全工作范围增大,饱和区更加平滑,无明显kink效应.展开更多
文摘针对超密集网络(ultra dense network,UDN)中基站密集部署导致的严重层间干扰问题,构建了考虑频谱复用和共信道干扰条件下最大化系统总吞吐量问题模型,提出了一种基于块坐标下降(block coordinate descent,BCD)法的联合频谱资源优化(joint resource optimization based on BCD,JROBB)方法。该方法将原问题分解为分簇、子信道分配和功率分配三个子问题,通过BCD法迭代优化子信道分配和功率分配,逼近原问题的最优解。仿真分析表明,在复杂度提升有限的情况下,系统总吞吐量比现有典型算法平均至少提升22%,可以有效提升频谱利用率。
文摘研究了光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路,实现了塑料光纤通信的高速单片集成光接收芯片。首先,根据工艺流程和参数,采用器件模拟软件对PD结构进行了建模,并对其光谱响应度和结电容进行了理论推导及仿真。基于Cadence/spectre软件和仿真得到的PD参数对由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成的后续放大电路进行了协同设计。采用0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺对单个PD以及PD和后续放大电路单片集成电路进行了流片、封装和测试。结果表明:PD的光谱响应曲线的峰值波长和仿真结果较一致,约为700nm,PD结构更适合短波长探测;PD的结电容随着反向电压的增大而减小,结电容越大,光接收芯片的带宽越小;对于650nm的入射光,在小于10-9的误码率条件下,光接收机的灵敏度为-14dBm;最后得到了150Mb/s速率的清晰眼图。实验结果显示,设计的高速单片集成光接收机可以应用于百兆速率光纤入户通信系统。
文摘为提高0.35μm 30-0-50 V BCD(bipolar-CMOS-DMOS)工艺下50 V HVPMOS的电学性能,在不改变工艺流程的基础上,仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化.采用Silvaco公司的工艺与器件模拟软件,仿真分析了沟道长度、overlap尺寸、场氧化层长度及场极板长度对50 V HVPMOS器件电学性能的影响.根据仿真结果确定了优化后的结构尺寸,并结合流片测试结果验证了优化方案的可行性.测试结果表明,优化后50 V HVPMOS的开启电压降低到了-0.98 V,击穿电压提高到了-68 V,特征导通电阻降低了13.5%,饱和电流提高了13.1%,器件的安全工作范围增大,饱和区更加平滑,无明显kink效应.
