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基于BiLSTM代理模型的RFID标签天线快速多目标设计 被引量:3
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作者 洪涛 贺则昊 +2 位作者 王翠 陈家焱 周娟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期21-27,共7页
为快速完成超高频(UHF)标签天线多目标设计,构建了基于双向长短期记忆(BiLSTM)神经网络的新型天线性能预测代理模型,并使用带精英策略的非支配排序遗传算法(NSGA-II)配合静态惩罚对RFID标签天线进行多目标寻优。首先按照RFID标签天线延... 为快速完成超高频(UHF)标签天线多目标设计,构建了基于双向长短期记忆(BiLSTM)神经网络的新型天线性能预测代理模型,并使用带精英策略的非支配排序遗传算法(NSGA-II)配合静态惩罚对RFID标签天线进行多目标寻优。首先按照RFID标签天线延伸的趋势将天线结构序列化并依次输入BiLSTM网络结构,结合响应集训练出适用于RFID标签天线的代理模型。进一步地,为最大程度搜索可行域内,尤其是可行域边界的所有标签天线形式,在NSGA-II算法中引入静态惩罚,最终完成RFID标签天线低回波损耗、小型化、宽频带的多目标快速设计。设计实例表明,该方法在超高频RFID标签天线领域的预测精度、计算代价等方面综合表现优于现有天线设计方法,具有适用性和实用价值。 展开更多
关键词 射频识别 超高频 代理模型 双向长短期记忆 多目标天线设计
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宽带双向微带天线设计 被引量:7
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作者 李伟文 陈杰良 +1 位作者 游佰强 黄天赠 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第2期49-52,共4页
针对室内走廊或狭长街道小功率基站应用要求,采用微带结构设计了一款具有双向辐射特性的宽带线极化低剖面天线。天线辐射元为平行四边形结构,馈电点在其几何中心,通过在靠近馈点两侧开两个反对称L形槽,实现了宽带双向辐射特性。低剖面... 针对室内走廊或狭长街道小功率基站应用要求,采用微带结构设计了一款具有双向辐射特性的宽带线极化低剖面天线。天线辐射元为平行四边形结构,馈电点在其几何中心,通过在靠近馈点两侧开两个反对称L形槽,实现了宽带双向辐射特性。低剖面原型天线的相对带宽为5.8%,两端射方向增益约为4.3dBi,在工作频带内天线辐射场为有一定倾角的线极化。该天线结构可置于小功率基站内部,有助于减少系统体积。 展开更多
关键词 微带贴片天线 双向天线 宽带天线 低剖面天线 线极化
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共面波导馈电圆极化微带天线研究 被引量:1
3
作者 张前悦 王光明 任卫华 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2007年第3期33-35,共3页
对一种结构新颖的共面波导馈电圆极化微带天线进行了研究。天线的辐射单元采用两个方形贴片,简并分离单元分别附加在两个方形贴片的不同边沿,共面波导开路终端通过耦合对两个方形贴片进行馈电。整个天线具有对称的结构,抑制了共面波导... 对一种结构新颖的共面波导馈电圆极化微带天线进行了研究。天线的辐射单元采用两个方形贴片,简并分离单元分别附加在两个方形贴片的不同边沿,共面波导开路终端通过耦合对两个方形贴片进行馈电。整个天线具有对称的结构,抑制了共面波导中的偶模分量,产生了两个同旋向的圆极化辐射波。分析并设计了这种天线单元,天线的实测-10 dB回波损耗带宽达到11.6%,圆极化带宽达到1.86%,在前、后两个方向上均辐射左旋圆极化(LHCP)波。理论设计结果与实测结果吻合较好。 展开更多
关键词 双定向天线 圆极化 共面波导
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基于130 nm CMOS工艺的X/Ku波段有源双向可衰减真延时电路
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作者 史佳惠 康炜 +1 位作者 程国枭 吴文 《微波学报》 CSCD 北大核心 2023年第S01期156-159,共4页
本文采用130 nm CMOS工艺设计了一个X/Ku波段的有源双向可衰减的真延时(true time delay,TTD)电路。本设计由7个真延时单元、6个有源双向开关、6位衰减器和数字控制电路组成。为了减小功耗并拓宽带宽,采用了基于LC的人工传输线(artifici... 本文采用130 nm CMOS工艺设计了一个X/Ku波段的有源双向可衰减的真延时(true time delay,TTD)电路。本设计由7个真延时单元、6个有源双向开关、6位衰减器和数字控制电路组成。为了减小功耗并拓宽带宽,采用了基于LC的人工传输线(artificial transmission lines,ATL)进行延时。使用宽带双向有源双刀双掷(double-pole double-throw,DPDT)开关来补偿开关和延时单元的损耗;在参考信号路径上使用T型和π型衰减器,以最小化时延控制过程中的幅度变化。前仿真结果显示该电路具有0-508 ps的延时,4 ps的最小有限位,以及6-18 GHz的带宽,支持双向操作,实现了31.5 dB的衰减器覆盖范围,最小步进为0.5 dB,功耗为281 mW,且在发送和接收端的增益变化仅为-3.6±3.6 dB。 展开更多
关键词 真时延 CMOS 有源开关 双向放大器 宽带相控阵天线
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