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平均键能模型的物理基础及该模型的应用
1
作者
柯三黄
王仁智
黄美纯
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第4期299-310,共12页
平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比...
平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比较,揭示了各模型之间的相互关系,并分析了平均键能模型的优点及其局限性。在此基础上,本文应用这一模型方法对二十七种异质界面的价带偏移值进行了全面的计算,并对结果进行了广泛的分析和比较。结果表明:(1)阳离子浅d轨道是影响价带偏移理论值的一个重要因素;(2)界面偶极子势是决定异质界面价带偏移值的一个关键要素;(3)在与实验的比较上,平均键能模型的准确性优于几种其它的模型方法;(4)平均键能模型不适用于不具有sp^3杂化特性的材料系统。
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关键词
能带不连续性
半导体
异质界面
平均键能
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职称材料
题名
平均键能模型的物理基础及该模型的应用
1
作者
柯三黄
王仁智
黄美纯
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
厦门大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第4期299-310,共12页
文摘
平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比较,揭示了各模型之间的相互关系,并分析了平均键能模型的优点及其局限性。在此基础上,本文应用这一模型方法对二十七种异质界面的价带偏移值进行了全面的计算,并对结果进行了广泛的分析和比较。结果表明:(1)阳离子浅d轨道是影响价带偏移理论值的一个重要因素;(2)界面偶极子势是决定异质界面价带偏移值的一个关键要素;(3)在与实验的比较上,平均键能模型的准确性优于几种其它的模型方法;(4)平均键能模型不适用于不具有sp^3杂化特性的材料系统。
关键词
能带不连续性
半导体
异质界面
平均键能
Keywords
band offsets
,
semiconductor heterointerfaces
,
ab initio calculations
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平均键能模型的物理基础及该模型的应用
柯三黄
王仁智
黄美纯
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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