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反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应
被引量：
9
1
作者
杜川华
詹峻岭
徐曦
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期321-324,共4页
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果。分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状...
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果。分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态,因此存在功能失效的可能性。但就整体而论,反熔丝FPGA抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模CMOS集成电路。
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关键词
反熔丝
fpga
延时电路
辐射效应
Γ剂量率
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职称材料
反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计
被引量：
2
2
作者
杜川华
詹峻岭
+1 位作者
许献国
袁国火
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期1247-1250,共4页
针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"...
针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"的加固电路,通过γ射线瞬时电离辐射试验证明:该加固电路实现了瞬时电离辐射状态下FPGA内部重要数据的实时保存与恢复,成功规避了FPGA电路的瞬时电离辐射效应。
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关键词
反熔丝现场可编程门阵列
Γ射线
瞬时电离辐射效应
铁电存储器
信息保存与恢复
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职称材料
题名
反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应
被引量：
9
1
作者
杜川华
詹峻岭
徐曦
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期321-324,共4页
基金
国防科技基础研究基金资助课题
文摘
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果。分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态,因此存在功能失效的可能性。但就整体而论,反熔丝FPGA抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模CMOS集成电路。
关键词
反熔丝
fpga
延时电路
辐射效应
Γ剂量率
Keywords
antifuse
-
based
fpga
Delay cireuits
Radiation effeet
γ dose rate
分类号
TL843 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计
被引量：
2
2
作者
杜川华
詹峻岭
许献国
袁国火
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期1247-1250,共4页
文摘
针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"的加固电路,通过γ射线瞬时电离辐射试验证明:该加固电路实现了瞬时电离辐射状态下FPGA内部重要数据的实时保存与恢复,成功规避了FPGA电路的瞬时电离辐射效应。
关键词
反熔丝现场可编程门阵列
Γ射线
瞬时电离辐射效应
铁电存储器
信息保存与恢复
Keywords
antifuse - based fpga
γ
-
ray
transient ionizing radiation effects
FRAM
information saving and resume
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应
杜川华
詹峻岭
徐曦
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
9
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职称材料
2
反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计
杜川华
詹峻岭
许献国
袁国火
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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职称材料
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参考文献
引证文献
统计分析
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