a-Si双栅TFT对电泳显示器响应速度的改善 被引量：4

1

作者 杨澍 荆海 +1 位作者 付国柱 马凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期565-571,共7页

第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在... 第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在保持开态电流基本不变的情况下有效减小关态漏电流。SPICE模拟结果证明,双栅结构使关态漏电流减小一倍左右。为了衡量该结构对缩短电泳显示器响应时间的作用,建立了响应时间t与漏电流Ioff之间的函数关系。通过Matlab模拟,证明双栅结构在漏电流为20pA时可将响应时间从380ms降至320ms;漏电流为35pA时可将响应时间从530ms降至360ms,帧频由2Hz提高到3Hz。根据建立的t-Ioff关系,指出降低电泳粒子半径和增大存储电容是进一步提高电泳显示器响应速度的关键。 展开更多

关键词 电泳显示器 不定形硅双栅薄膜晶体管 漏电流 响应时间 SPICE模拟

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析 被引量：1

2

作者 张彤 王丽杰 +3 位作者 许武 郭小军 赵毅 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第4期286-292,共7页

在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于O... 在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。 展开更多

关键词 OLED a-si tft 有源驱动 穿通效应 布图设计 仿真模拟

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析 被引量：10

3

作者 徐小丽 刘如 +1 位作者 郭小军 苏翼凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期565-568,共4页

非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿... 非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿真结果做了分析和比较。该研究方法为像素电路的设计提供了一定理论依据。 展开更多

关键词 AMOLED 非晶硅 非晶氧化铟镓锌 多晶硅 薄膜晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

TFT-LCD网点Mura的研究和改善 被引量：2

4

作者 张定涛 李文彬 +5 位作者 姚立红 郑云友 李伟 宋泳珍 袁明 张光明 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期860-867,共8页

为解决116.8cm(46in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和... 为解决116.8cm(46in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1%HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验。研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响。确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大。最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08%。 展开更多

关键词 色斑 薄膜晶体管 非晶硅 缺陷分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种新型a-IGZO TFT集成栅极驱动电路设计 被引量：2

5

作者 徐宏霞 邹忠飞 董承远 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期996-1001,共6页

在传统集成栅驱动电路中采用非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)后会造成信赖性的降低,经过分析确定原因为驱动TFT阈值电压漂移。本文提出了一种改进的集成栅驱动电路,通过对驱动TFT栅节点电压的稳定控制,获得了较大的驱动TFT阈值电压... 在传统集成栅驱动电路中采用非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)后会造成信赖性的降低,经过分析确定原因为驱动TFT阈值电压漂移。本文提出了一种改进的集成栅驱动电路,通过对驱动TFT栅节点电压的稳定控制,获得了较大的驱动TFT阈值电压漂移冗余度(从原来的不到±-3V扩大到±-9V),克服了a-IGZO TFT阈值电压漂移所造成的电路失效,稳定了集成栅驱动电路并延长了液晶显示器面板的寿命。 展开更多

关键词 非晶铟镓锌氧(a-IGZO) 薄膜晶体管(tft) 集成栅极驱动(GIA)

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于喷墨打印的In_2O_3/IGZO TFT的电学性能

6

作者 梁坤 邵霜霜 +3 位作者 罗慢慢 谢建军 赵建文 崔铮 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期349-355,共7页

利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面... 利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度;嵌入的In_2O_3层薄膜能减小IGZO与In_2O_3间的界面缺陷,明显提高In_2O_3/IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能及其偏压稳定性。随着IGZO中In含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In_2O_3与IGZO间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In的比例有利于获得较高器件性能的In_2O_3/IGZO异质结沟道TFT。 展开更多

关键词 非晶铟镓锌氧化物(IGZO) 喷墨打印 IN2O3 异质结沟道层 薄膜晶体管(tft)

在线阅读 下载PDF 职称材料

薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究 被引量：5

7

作者 张少强 徐重阳 +4 位作者 邹雪城 赵伯芳 周雪梅 王长安 戴永兵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期53-56,共4页

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层... 本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致． 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 有源层厚度 空间电行层

在线阅读 下载PDF 职称材料

有源OLED像素电路的设计与仿真 被引量：4

8

作者 黄金英 安吉宇 +3 位作者 张志伟 赵玉环 荆海 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期318-323,共6页

设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路,并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程,详细分析了源(Source)电压VDD、存储电容Cs,以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的... 设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路,并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程,详细分析了源(Source)电压VDD、存储电容Cs,以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响。仿真结果表明,此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流,并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题。 展开更多

关键词 有源OLED 非晶硅薄膜晶体管 像素驱动电路 仿真

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真 被引量：5

9

作者 刘远 姚若河 李斌 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期15-18,33,共5页

针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为... 针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响. 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 不饱和输出电流 数值仿真 空间电荷限制传导 漏致势垒降低

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种有源有机发光显示屏(AM-OLED)驱动电路的设计 被引量：2

10

作者 司玉娟 冯凯 +1 位作者 郎六琪 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期257-261,共5页

介绍一种有源有机发光显示屏(AM OLED)的驱动电路的设计方法。像素驱动电路采用常用的两管电路结构,依据此像素驱动电路,提出一种利用多晶硅TFT将部分外围驱动电路集成于衬底的设计方法和电路结构。采用互补的多晶硅TFT管设计屏上移位... 介绍一种有源有机发光显示屏(AM OLED)的驱动电路的设计方法。像素驱动电路采用常用的两管电路结构,依据此像素驱动电路,提出一种利用多晶硅TFT将部分外围驱动电路集成于衬底的设计方法和电路结构。采用互补的多晶硅TFT管设计屏上移位寄存器,传输门等模块,将部分外围驱动电路集成于OLED显示屏的衬底上,极大地减小了数据信号线的数目,降低了屏内信号线布线和屏外驱动电路的复杂程度。进一步讨论了利用复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计驱动AM OLED显示屏专用集成芯片的设计方案。 展开更多

关键词 有源有机发光显示器 多晶硅 薄膜晶体管 驱动电路 复杂可编程逻辑器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型 被引量：1

11

作者 恩云飞 刘远 +2 位作者 何玉娟 师谦 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期135-140,共6页

基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄... 基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄漏电流模型.实验结果验证了所提关态电流物理模型的准确性,曲线拟合良好. 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 关态电流 泄漏电流 反向亚阈电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶硅薄膜晶体管的热阻模型

12

作者 刘远 姚若河 李斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期28-33,共6页

基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。... 基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温。最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 热阻 自热效应 温度分布

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶硅材料研究进展

13

作者 陈光华 《材料导报》 EI CAS CSCD 1994年第4期1-4,共4页

介绍了非晶硅薄膜的结构特点和在光电应用方面具有的独特性能,给出了非晶硅器件和材料制备的研究现状。

关键词 氢化非晶硅 非晶硅基合金膜 非晶硅材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

氢等离子体辅助固相晶化多晶硅薄膜的初步研究 被引量：1

14

作者 刘政鹏 李娟 +2 位作者 刘宁 景月月 熊绍珍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第19期19050-19053,共4页

提出一种氢等离子辅助固相晶化(hydrogen plasma assisted solid phase crystallization,H-SPC)多晶硅的新颖技术。这一晶化技术能够明显缩短晶化时间,同时有效钝化多晶硅薄膜的缺陷态。首先对氢等离子辅助SPC技术与传统SPC技术进行比... 提出一种氢等离子辅助固相晶化(hydrogen plasma assisted solid phase crystallization,H-SPC)多晶硅的新颖技术。这一晶化技术能够明显缩短晶化时间,同时有效钝化多晶硅薄膜的缺陷态。首先对氢等离子辅助SPC技术与传统SPC技术进行比较分析,进而研究了晶化过程中各种工艺条件对多晶硅晶化质量的影响并进行了物理机制的初步分析。 展开更多

关键词 氢等离子体 多晶硅薄膜 固相晶化 薄膜晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展 被引量：1

15

作者 岳兰 任达森 +1 位作者 罗胜耘 陈家荣 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-410,474,共11页

薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏... 薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。 展开更多

关键词 薄膜晶体管(tft) 非晶氧化物半导体(AOS) 沟道层 成膜技术 薄膜组分 掺杂

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器研究 被引量：1

16

作者 崔兴美 陈笋 丁士进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期481-486,共6页

非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜... 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器的结构、编程和擦除特性等文献报道进行了总结,重点讨论了该类存储器在通常情况下擦除效率低的原因及其改善措施。因此,对今后开发高性能a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器具有很好的指导意义。 展开更多

关键词 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO) 薄膜晶体管(tft) 存储器 系统面板(SoP) 柔性器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取 被引量：2

17

作者 殷晓文 严利民 龚露鸣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期746-750,共5页

非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level... 非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level=61 RPI模型,分离参数后线性提取了如阈值电压、场效应迁移特征电压、迁移率幂律参数、源漏电阻及饱和电压调制等特征参数。利用溶胶凝胶法制备了氢化铟锌氧化物(HIZO)作为有源层的薄膜晶体管,将实际测量曲线与仿真曲线进行研究比较,误差分析表明该方法能很好地拟合薄膜晶体管电学性能。 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管(tft) 归一化方法 RPI模型 参数提取

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于低温多晶硅-氧化物半导体混合集成的薄膜晶体管显示背板技术 被引量：3

18

作者 邓立昂 陈世林 +1 位作者 黄博天 郭小军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期420-431,共12页

低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供... 低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供了新的发展机遇,获得了产业界和学术界的广泛关注。本文系统地总结和分析了LTPO相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战。首先,讨论了分别针对液晶显示(Liquid crystal display,LCD)和有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示的LTPO背板的集成方式,进一步总结分析了实现LTPO集成的器件结构和工艺挑战。此外,针对有源矩阵OLED显示,分析了LTPO技术用于设计兼容低帧率和高帧率驱动、具有内部补偿功能的像素电路的优势,以及在超低帧率(如1 Hz)驱动情况下,TFT器件稳定性带来的影响和相关的补偿驱动方法。最后,对LTPO技术进一步发展的可能趋势进行了展望。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 低温多晶硅 氧化物半导体 有源矩阵有机发光二极管 液晶显示 低功耗

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响

19

作者 李小龙 黄鹏 +4 位作者 张慧娟 李栋 田雪雁 李良坚 刘政 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期109-114,共6页

目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同... 目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同厚度及折射率的非晶硅薄膜(Amorphous Silicon Film)。利用高温退火炉脱氢后进行准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA),完成非晶硅到多晶硅的转变。通过扫描电镜、原子力显微镜对多晶硅晶粒尺寸以及表面粗糙度进行分析,后续完成薄膜晶体管后利用I-V测试机台对器件特性进行测试。结果随着非晶硅薄膜厚度的增加,准分子激光晶化的最优能量密度(Optimal Energy Density,OED)以及工艺窗口(OED Margin)均增加,当膜层厚度大于等于47 nm时,OED Margin均为25 mJ/cm^2。当膜厚为47 nm时,多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.64,也处于较优的水平。非晶硅薄膜折射率为4.5时,形成的多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.45,远优于折射率为4.38时的多晶硅晶粒尺寸均匀性。折射率为4.5的非晶硅薄膜形成未掺杂的LTPS TFT(PMOS)迁移率为120.6 cm^2/(V?s),阈值电压为-1.4 V,关态电流为53 pA;折射率为4.38时的迁移率为112.4 cm^2/(V?s),阈值电压为-2.0 V,关态电流为71 pA。结论当非晶硅膜厚为47 nm时,准分子激光晶化的OED Margin以及晶化后的多晶硅晶粒尺寸均处于较优的水平。另外,提高非晶硅薄膜折射率同样有利于改善多晶硅晶粒尺寸均匀性以及薄膜晶体管转移特性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 准分子激光晶化 折射率 薄膜晶体管器件特性

在线阅读 下载PDF 职称材料