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闪锌矿结构GaN、AlN和合金Ga_(1-x)Al_xN光学性质计算 被引量:1
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作者 何国敏 王仁智 郑永梅 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期300-302,共3页
闪锌矿结构GaN、AlN和合金Ga1-xAlxN光学性质计算何国敏王仁智郑永梅(厦门大学物理学系厦门361005)随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究,工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重视.宽带... 闪锌矿结构GaN、AlN和合金Ga1-xAlxN光学性质计算何国敏王仁智郑永梅(厦门大学物理学系厦门361005)随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究,工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重视.宽带隙半导体GaN和AlN正是目前蓝紫... 展开更多
关键词 闪锌矿结构 氮化镓 氮化铝 光学性质 GaAlN合金
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全原子经验赝势法模拟InAs/InAsSbⅡ类超晶格 被引量:1
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作者 马玲丽 詹锋 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第6期2462-2469,共8页
为了研究InAs/InAs1-xSbxⅡ类超晶格结构的物理特性,首次采用全原子的经验赝势方法对InAs/InAs1-xSbx结构进行模拟,并对体系的近带边能级、单粒子波函数和带边跃迁矩阵元进行了计算。结果表明,量子限制效应造成超晶格带隙的宽化;超晶格... 为了研究InAs/InAs1-xSbxⅡ类超晶格结构的物理特性,首次采用全原子的经验赝势方法对InAs/InAs1-xSbx结构进行模拟,并对体系的近带边能级、单粒子波函数和带边跃迁矩阵元进行了计算。结果表明,量子限制效应造成超晶格带隙的宽化;超晶格中基态电子主要局域在InAs层,基态空穴主要局域在合金层,与相关体材料及I型超晶格所做的对比结果表明,电子、空穴的物理分离效应是造成体系载流子寿命较长的重要原因;将带边跃迁矩阵元作为衡量载流子寿命的重要元素,针对固定波段的超晶格系统进行优化,最终得到带边跃迁矩阵元更小的体系(163?) InAs/(82?) InAs0. 72Sb0. 28结构,其跃迁矩阵元是0. 010 684 3 a.u.。 展开更多
关键词 Ⅱ型超晶格 全原子经验赝势 跃迁矩阵元
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