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a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析被引量：2: 1; 作者林鸿生马雷《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页; 基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效... 展开更多; 关键词光诱导性能衰退 a-si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法稳定性 a-si:h太阳能电池硅太阳能电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究: 2; 作者张文理陈光华 +6 位作者何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期67-70,共4页; 采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加... 展开更多; 关键词 a-si:h薄膜沉积速率键合模式光致衰退; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素: 3; 作者马占洁陈光华 +7 位作者何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期98-100,共3页; 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,... 展开更多; 关键词 a-si:h 光衰退稳定性氢运动微晶硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析: 4; 作者林鸿生段开敏《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期245-248,共4页; 通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H... 展开更多; 关键词 a-si:h光诱导性能衰退 a-si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析被引量：2: 1; 作者林鸿生马雷; 机构中国科学技术大学物理系; 出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (No .698760 2 4); 文摘基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。; 关键词光诱导性能衰退 a-si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法稳定性 a-si:h太阳能电池硅太阳能电池; Keywords light induced degradation in a Si∶h,Density of states in a Si∶h,Newton Raphson solution; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究: 2; 作者张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅; 机构北京工业大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期67-70,共4页; 文摘采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.; 关键词 a-si:h薄膜沉积速率键合模式光致衰退; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素: 3; 作者马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥; 机构北京工业大学兰州大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期98-100,共3页; 文摘用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性.最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜.; 关键词 a-si:h 光衰退稳定性氢运动微晶硅; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析: 4; 作者林鸿生段开敏; 机构中国科学技术大学物理系; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期245-248,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 5 9872 0 3 7); 文摘通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。; 关键词 a-si:h光诱导性能衰退 a-si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法; Keywords light induced degradation in a Si∶h density of states in a Si∶h Newton Raphson solution; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析	林鸿生马雷	《真空科学与技术》 CSCD 北大核心	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究	张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素	马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析	林鸿生段开敏	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料