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a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析
被引量：
7
1
作者
林鸿生
马雷
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期470-475,495,共7页
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )...
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c-
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关键词
太阳能电池
a-si/c-si异质结结构
牛顿-拉普森解法
氢化非晶硅隙态密度
载流子收集
物理模型
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职称材料
异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电特性研究
2
作者
郭晨
姚伟
+1 位作者
孙子元
钱康文
《智能建筑与智慧城市》
2019年第10期46-48,共3页
异质结(c-Si/a-Si)双面组件的实际发电性能受各种因素影响,该文重点就组件距离地面高度和背面檁条遮挡对组件发电量的影响进行研究。结果表明,兼顾组件安装难度和组件发电量增益两方面因素,组件下边缘距离地面高度设定为1.5 m较为合适...
异质结(c-Si/a-Si)双面组件的实际发电性能受各种因素影响,该文重点就组件距离地面高度和背面檁条遮挡对组件发电量的影响进行研究。结果表明,兼顾组件安装难度和组件发电量增益两方面因素,组件下边缘距离地面高度设定为1.5 m较为合适。通过长期发电量跟踪对比,支架背面无菱条遮挡时,异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电量平均增益为4.15%。
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关键词
光伏发电
异质
结
(
c-si
/
a-si
)
双面发电
安装方式
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职称材料
非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟
被引量：
2
3
作者
胡志华
廖显伯
+4 位作者
刁宏伟
曾湘波
徐艳月
张世斌
孔光临
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第z1期9-13,共5页
运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)异质结太阳电池的光伏特性.通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较,得出导带补偿小部分(0.18eV),价带补偿大部分(0.5eV)的基...
运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)异质结太阳电池的光伏特性.通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较,得出导带补偿小部分(0.18eV),价带补偿大部分(0.5eV)的基本结论.同时还证实,界面态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF).最后计算了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论效率Eff=27%(AM1.5 100MW/cm2 0.40～1.10μm波段).
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关键词
太阳电池
a-si
:H
/c-si
异质
结
计算机模拟
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职称材料
题名
a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析
被引量：
7
1
作者
林鸿生
马雷
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期470-475,495,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目 (No.698760 2 4)
文摘
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c-
关键词
太阳能电池
a-si/c-si异质结结构
牛顿-拉普森解法
氢化非晶硅隙态密度
载流子收集
物理模型
Keywords
heterojunction solar cell
Newton-Raphson sol ution technique
density of states in
a-si
:H
carrier collection
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电特性研究
2
作者
郭晨
姚伟
孙子元
钱康文
机构
中国电建华东勘测设计研究院有限公司
晋能清洁能源科技有限公司
出处
《智能建筑与智慧城市》
2019年第10期46-48,共3页
文摘
异质结(c-Si/a-Si)双面组件的实际发电性能受各种因素影响,该文重点就组件距离地面高度和背面檁条遮挡对组件发电量的影响进行研究。结果表明,兼顾组件安装难度和组件发电量增益两方面因素,组件下边缘距离地面高度设定为1.5 m较为合适。通过长期发电量跟踪对比,支架背面无菱条遮挡时,异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电量平均增益为4.15%。
关键词
光伏发电
异质
结
(
c-si
/
a-si
)
双面发电
安装方式
Keywords
PV power generation
heterojunction(
c-si
/a—Si)
two-sided power generation
installation mode
分类号
F42 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟
被引量：
2
3
作者
胡志华
廖显伯
刁宏伟
曾湘波
徐艳月
张世斌
孔光临
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第z1期9-13,共5页
基金
国家重点基础研究发展规划(973)资助项目(G2000028201)
文摘
运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)异质结太阳电池的光伏特性.通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较,得出导带补偿小部分(0.18eV),价带补偿大部分(0.5eV)的基本结论.同时还证实,界面态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF).最后计算了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论效率Eff=27%(AM1.5 100MW/cm2 0.40～1.10μm波段).
关键词
太阳电池
a-si
:H
/c-si
异质
结
计算机模拟
分类号
TK511+.4 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析
林鸿生
马雷
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
异质结(c-Si/a-Si)双面组件发电特性研究
郭晨
姚伟
孙子元
钱康文
《智能建筑与智慧城市》
2019
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟
胡志华
廖显伯
刁宏伟
曾湘波
徐艳月
张世斌
孔光临
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
在线阅读
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职称材料
已选择
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