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MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
1
作者
李弋
谢自力
+3 位作者
刘斌
傅德颐
张荣
郑有炓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期158-160,170,共4页
使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8nm,解释了面内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬挂...
使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8nm,解释了面内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬挂键数目的差异导致了Ga原子这两个方向上的扩散长度不同,是面内各向异性的另一个重要原因。AFM结果显示a面GaN薄膜表面较平整,表面粗糙度均方根仅为3.9nm,表面沿[0001]方向起伏的条纹再次验证了a面GaN的面内各向异性。
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关键词
a面氮化镓
非极性
金属有机物化学气相沉积
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职称材料
题名
MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
1
作者
李弋
谢自力
刘斌
傅德颐
张荣
郑有炓
机构
南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期158-160,170,共4页
基金
国家"973"重点基础研究项目(2006CB6049)
国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103
+5 种基金
2006AA03A118
2006AA03Z411)
国家自然科学基金(60721063
60676057
60731160628)
江苏省创新学者攀登项目(BK2008019)
文摘
使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8nm,解释了面内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬挂键数目的差异导致了Ga原子这两个方向上的扩散长度不同,是面内各向异性的另一个重要原因。AFM结果显示a面GaN薄膜表面较平整,表面粗糙度均方根仅为3.9nm,表面沿[0001]方向起伏的条纹再次验证了a面GaN的面内各向异性。
关键词
a面氮化镓
非极性
金属有机物化学气相沉积
Keywords
a-plane GaN
non-polar
MOCVD
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
李弋
谢自力
刘斌
傅德颐
张荣
郑有炓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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