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氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究
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作者 余萍 《华东交通大学学报》 2008年第1期133-135,共3页
采用电子束反应蒸发法(REBE)生长钴掺杂的氧化锌(Zn1-xCoO x=0.1)薄膜,研究薄膜的铁磁特性.对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明:薄膜具有室温(300K)铁磁性;Zn1-xCoxO薄膜,无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面,其室温矫顽... 采用电子束反应蒸发法(REBE)生长钴掺杂的氧化锌(Zn1-xCoO x=0.1)薄膜,研究薄膜的铁磁特性.对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明:薄膜具有室温(300K)铁磁性;Zn1-xCoxO薄膜,无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面,其室温矫顽力均仅为6~7G,呈现典型的稀磁及磁各向同性特征;而对于多晶Zn1-CoxO薄膜,其室温矫顽力在200~370G之间展示出显著的磁化各向异性特征;同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理. 展开更多
关键词 电子束反应蒸发技术 Zn1-Cox0薄膜 铁磁特性
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Defect-Bound Carrier Mediated Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped ZnO Powders
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作者 文岐业 张怀武 +2 位作者 宋远强 杨青慧 John.Xiao 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第10期2955-2958,共4页
We prepare pure single-phase Co:ZnO powders introducing controllable interstitial Zni by Zn vapour annealing. The as-ground powder shows that no room-temperature ferromagnetism (RT-FM) exists, while the Zn vapour t... We prepare pure single-phase Co:ZnO powders introducing controllable interstitial Zni by Zn vapour annealing. The as-ground powder shows that no room-temperature ferromagnetism (RT-FM) exists, while the Zn vapour treated samples exhibit unambiguous RT-FM with a maximum magnetic moment of 0.2μB/Co. The FM of Co:ZnO strongly depends on the Zn diffusion process, suggesting that not only carriers but also Zni defects play an important role in mediating FM in diluted magnetic semiconductors. A new core-shell model is proposed to interpret the mixture behaviour of FM and paramagnetism observed in the Zn vapour annealed Co:ZnO powders. 展开更多
关键词 ELECTRIC PROPERTIES films ZN1-xcoxo ABSENCE
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