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ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究
被引量：
4
1
作者
钟永强
郑家贵
+7 位作者
冯良桓
蔡伟
蔡亚平
张静全
黎兵
雷智
李卫
武莉莉
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期598-601,共4页
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小...
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。
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关键词
znte
多晶
薄膜
光电子能谱
退火
cu
xTe
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职称材料
ZnTe薄膜性能研究
被引量：
1
2
作者
杨富
南景宇
+3 位作者
蔡道林
刘伟东
孟旭东
冯浩
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期135-137,共3页
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相。室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计...
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相。室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计算出光能隙。
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关键词
znte
:
cu
薄膜
共蒸发法
退火
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职称材料
CdTe太阳电池背接触层的XPS研究
3
作者
杨帆
钟永强
+8 位作者
郑家贵
冯良桓
蔡伟
蔡亚平
张静全
黎兵
雷智
李卫
武莉莉
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期904-907,共4页
采用共蒸发法在不同条件下制备了ZnTe和ZnTe∶Cu多晶薄膜,通过XRD和XPS研究了它们的结构和各元素的浓度分布。结果表明,不同衬底温度下沉积的薄膜,结构无明显变化,利用XPS溅射剖析获得了薄膜中各成分浓度随溅射时间变化的分布图,发现不...
采用共蒸发法在不同条件下制备了ZnTe和ZnTe∶Cu多晶薄膜,通过XRD和XPS研究了它们的结构和各元素的浓度分布。结果表明,不同衬底温度下沉积的薄膜,结构无明显变化,利用XPS溅射剖析获得了薄膜中各成分浓度随溅射时间变化的分布图,发现不同条件下制备的薄膜,溅射速率不同,各成分随溅射时间的变化也不相同。薄膜中Cu的浓度随溅射时间增加而快速增加,并达到一极大值,然后快速下降。根据Cu浓度的变化研究了ZnTe层对Cu原子的阻挡作用,通过对Cu浓度随时间变化分布图的比较,作者认为,用70℃制备ZnTe,而后在常温下制备ZnTe∶Cu的复合膜作为CdTe太阳电池的背接触层,能有效阻挡Cu原子的扩散,提高电池效率。
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关键词
CDTE太阳电池
光电子能谱
znte/znte∶cu多晶薄膜
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职称材料
题名
ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究
被引量：
4
1
作者
钟永强
郑家贵
冯良桓
蔡伟
蔡亚平
张静全
黎兵
雷智
李卫
武莉莉
机构
四川大学材料科学系
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期598-601,共4页
基金
国家"863"重点项目(2003AA513010)
国家自然科学基金项目(50076030)
教育部博士点基金项目(20050610024)资助
文摘
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。
关键词
znte
多晶
薄膜
光电子能谱
退火
cu
xTe
Keywords
znte
polycrystalline films
XPS
Anneal
cu
Te
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
ZnTe薄膜性能研究
被引量：
1
2
作者
杨富
南景宇
蔡道林
刘伟东
孟旭东
冯浩
机构
河北北方学院物理系
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期135-137,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(50076030)
河北省教 育厅自然基金资助项目(2004402)。
文摘
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相。室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计算出光能隙。
关键词
znte
:
cu
薄膜
共蒸发法
退火
Keywords
znte
：
cu
films
co-evaporation technique
anneal
分类号
TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
CdTe太阳电池背接触层的XPS研究
3
作者
杨帆
钟永强
郑家贵
冯良桓
蔡伟
蔡亚平
张静全
黎兵
雷智
李卫
武莉莉
机构
四川大学材料科学系
中国工程物理研究院
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期904-907,共4页
基金
国家“863”重点项目(2003AA513010)
教育部博士点基金项目(20050610024)
四川省应用基础项目(2006J13-083)资助
文摘
采用共蒸发法在不同条件下制备了ZnTe和ZnTe∶Cu多晶薄膜,通过XRD和XPS研究了它们的结构和各元素的浓度分布。结果表明,不同衬底温度下沉积的薄膜,结构无明显变化,利用XPS溅射剖析获得了薄膜中各成分浓度随溅射时间变化的分布图,发现不同条件下制备的薄膜,溅射速率不同,各成分随溅射时间的变化也不相同。薄膜中Cu的浓度随溅射时间增加而快速增加,并达到一极大值,然后快速下降。根据Cu浓度的变化研究了ZnTe层对Cu原子的阻挡作用,通过对Cu浓度随时间变化分布图的比较,作者认为,用70℃制备ZnTe,而后在常温下制备ZnTe∶Cu的复合膜作为CdTe太阳电池的背接触层,能有效阻挡Cu原子的扩散,提高电池效率。
关键词
CDTE太阳电池
光电子能谱
znte/znte∶cu多晶薄膜
Keywords
CdTe
lar cells
XPS study
znte/
znte
：
cu
films
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究
钟永强
郑家贵
冯良桓
蔡伟
蔡亚平
张静全
黎兵
雷智
李卫
武莉莉
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
ZnTe薄膜性能研究
杨富
南景宇
蔡道林
刘伟东
孟旭东
冯浩
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
CdTe太阳电池背接触层的XPS研究
杨帆
钟永强
郑家贵
冯良桓
蔡伟
蔡亚平
张静全
黎兵
雷智
李卫
武莉莉
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
已选择
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