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(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减: 1; 作者张振中申德振 +6 位作者张吉英单崇新张立功杨春雷吕有明刘益春范希武《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期257-260,共4页; 为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZ... 展开更多; 关键词低维半导体结构超快速激子衰减 (CdZnTe znsete)/ZnTe复合量子阱泵浦-探测光开关全光计算机; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究: 2; 作者方再利李国华 +4 位作者韩和相丁琨陈晔彭中灵袁诗鑫《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期28-32,共5页; 测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激... 展开更多; 关键词 TE 等电子陷阱光致发光谱锌硒碲三元化合物 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体静压 znsete/ZnSe ZNSE 硒化锌量子阱; 在线阅读下载PDF 职称材料

LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究: 3; 作者王晓华单崇新 +5 位作者张振中张吉英范希武吕有明刘益春申德振《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期371-374,共4页; 用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱,得到两个发光峰(记为I1,I2),分析认为高能侧的峰为Zn0 9Cd0 1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0 ... 展开更多; 关键词 LP-MOCVD 复合量子阱低压金属有机化学气相沉积光致发光谱激子发光半导体材料 (ZnCdTe znsete)/ZnTe 隧穿几率; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnSeTe薄膜的分子束外延生长被引量：1: 4; 作者任敬川刘超 +1 位作者崔利杰曾一平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期461-466,共6页; 研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品... 展开更多; 关键词 znsete 分子束外延(MBE) II-VI族半导体晶体质量电学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减: 1; 作者张振中申德振张吉英单崇新张立功杨春雷吕有明刘益春范希武; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期257-260,共4页; 基金国家攀登计划国家自然科学重大基金(69896260) +2 种基金国家自然科学基金(60077015) 中科院百人计划中科院创新工程资助项目; 文摘为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间。; 关键词低维半导体结构超快速激子衰减 (CdZnTe znsete)/ZnTe复合量子阱泵浦-探测光开关全光计算机; Keywords (CdZnTe,znsete)/ZnTe complex quantum wells exciton decay pump-probe; 分类号 O471.3 [理学—半导体物理] TP38 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究: 2; 作者方再利李国华韩和相丁琨陈晔彭中灵袁诗鑫; 机构中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期28-32,共5页; 基金国家自然科学基金 (批准号 6 9776 0 12 )资助项目~~; 文摘测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3; 关键词 TE 等电子陷阱光致发光谱锌硒碲三元化合物 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体静压 znsete/ZnSe ZNSE 硒化锌量子阱; Keywords Te isoelectronic traps pressure photoluminescence; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] O471.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究: 3; 作者王晓华单崇新张振中张吉英范希武吕有明刘益春申德振; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期371-374,共4页; 基金国家攀登计划国家自然科学重大基金(69896260) +2 种基金中科院创新工程中科院百人计划国家自然科学基金资助项目; 文摘用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱,得到两个发光峰(记为I1,I2),分析认为高能侧的峰为Zn0 9Cd0 1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0 2Te0 8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量,当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。; 关键词 LP-MOCVD 复合量子阱低压金属有机化学气相沉积光致发光谱激子发光半导体材料 (ZnCdTe znsete)/ZnTe 隧穿几率; Keywords complex quantum well tunneling rate photoluminescence spectra; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnSeTe薄膜的分子束外延生长被引量：1: 4; 作者任敬川刘超崔利杰曾一平; 机构中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期461-466,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61376058); 文摘研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品呈现出单一的闪锌矿晶体结构。在450和550℃氮气氛保护下对Zn Se0.70Te0.30样品做了快速热退火处理,退火后发现其晶体质量和表面形貌都得到了明显改善：双晶X射线摇摆曲线（DCXRC）（004）衍射峰的半峰宽（FWHM）从0.707 7°降低至0.571 9°,表面均方根粗糙度从2.44 nm降低至1.34 nm。采用点In电极做室温Hall测试的结果显示,本征ZnSeTe薄膜表面In电极之间的电阻值很高,外延薄膜呈现载流子浓度很低的高阻状态。; 关键词 znsete 分子束外延(MBE) II-VI族半导体晶体质量电学性能; Keywords znsete molecular beam epitaxy （MBE） II-VI semiconductor crystalline quality electrical property; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减	张振中申德振张吉英单崇新张立功杨春雷吕有明刘益春范希武	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究	方再利李国华韩和相丁琨陈晔彭中灵袁诗鑫	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究	王晓华单崇新张振中张吉英范希武吕有明刘益春申德振	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	ZnSeTe薄膜的分子束外延生长	任敬川刘超崔利杰曾一平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料