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聚丙烯腈纳米纤维毡上生长ZnSe纳米晶的结构及发光特性
被引量：
2
1
作者
封燕
周正发
+2 位作者
徐卫兵
何典
黄国庆
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期760-763,共4页
通过静电纺丝制备聚丙烯腈(PAN)纳米纤维毡,采用水热法在二乙烯三胺和去离子水的混合溶剂中于180℃下制备ZnSe/聚丙烯腈纤维纳米毡复合材料。使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱等分析方法对ZnSe/聚丙烯腈复合材料进行表征。...
通过静电纺丝制备聚丙烯腈(PAN)纳米纤维毡,采用水热法在二乙烯三胺和去离子水的混合溶剂中于180℃下制备ZnSe/聚丙烯腈纤维纳米毡复合材料。使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱等分析方法对ZnSe/聚丙烯腈复合材料进行表征。结果表明,ZnSe/聚丙烯腈复合材料的形貌较复杂,既有直径10～100 nm,长度50～500 nm的纳米捧,也存在4～10μm左右的ZnSe微米花。260 nm波长光激发下ZnSe/聚丙烯腈复合材料的发射光谱包括位于351 nm(3.55 eV)的弱近紫外激子峰和位于427 nm(2.91 eV)的宽谱带缺陷发光峰,二者相对于ZnSe晶体的本征发射带468 nm均有明显的蓝移效应。
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关键词
znse纳米晶
聚丙烯腈
静电纺丝
光致发光
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职称材料
铜掺杂对硒化锌量子点光电子特性的影响
2
作者
赵杰
梁关东
+3 位作者
李明豫
翟瑞祥
王文刚
李葵英
《燕山大学学报》
CAS
北大核心
2018年第3期252-258,共7页
利用水相合成法制备Cu:Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:Zn Se量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响。结果表明,掺铜后Cu:Zn Se量子点主...
利用水相合成法制备Cu:Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:Zn Se量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响。结果表明,掺铜后Cu:Zn Se量子点主带隙电荷转移跃迁产生的SPV响应强度比未掺铜Zn Se量子点高一倍。Cu:Zn Se量子点对应的主带隙表面光伏响应峰发生明显红移,表明铜掺杂态的电子能级位于导带底附近,并具有受体能级特征。研究发现,由于掺杂Cu2+离子导致Zn Se量子点光学带隙变小,而且变小的程度随掺杂量的增加而有所提高。实验证实,由于Cu2+离子的引入,Zn Se量子点立方闪锌矿结构(111)晶面X射线衍射峰出现分叉现象,它们分别对应于立方硒铜矿(101)和(102)晶面。
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关键词
znse纳米晶
CU掺杂
表面光电压谱
场诱导表面光电压谱
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职称材料
题名
聚丙烯腈纳米纤维毡上生长ZnSe纳米晶的结构及发光特性
被引量：
2
1
作者
封燕
周正发
徐卫兵
何典
黄国庆
机构
合肥工业大学 高分子科学与工程系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期760-763,共4页
基金
国家自然科学基金(20776034)
文摘
通过静电纺丝制备聚丙烯腈(PAN)纳米纤维毡,采用水热法在二乙烯三胺和去离子水的混合溶剂中于180℃下制备ZnSe/聚丙烯腈纤维纳米毡复合材料。使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱等分析方法对ZnSe/聚丙烯腈复合材料进行表征。结果表明,ZnSe/聚丙烯腈复合材料的形貌较复杂,既有直径10～100 nm,长度50～500 nm的纳米捧,也存在4～10μm左右的ZnSe微米花。260 nm波长光激发下ZnSe/聚丙烯腈复合材料的发射光谱包括位于351 nm(3.55 eV)的弱近紫外激子峰和位于427 nm(2.91 eV)的宽谱带缺陷发光峰,二者相对于ZnSe晶体的本征发射带468 nm均有明显的蓝移效应。
关键词
znse纳米晶
聚丙烯腈
静电纺丝
光致发光
Keywords
zinc elenide nanocrystal
polyacrylonitrile
electrospinning
photoluminescence
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
铜掺杂对硒化锌量子点光电子特性的影响
2
作者
赵杰
梁关东
李明豫
翟瑞祥
王文刚
李葵英
机构
燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
出处
《燕山大学学报》
CAS
北大核心
2018年第3期252-258,共7页
基金
河北省自然科学基金资助项目(E2017203029
E2013203296)
文摘
利用水相合成法制备Cu:Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:Zn Se量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响。结果表明,掺铜后Cu:Zn Se量子点主带隙电荷转移跃迁产生的SPV响应强度比未掺铜Zn Se量子点高一倍。Cu:Zn Se量子点对应的主带隙表面光伏响应峰发生明显红移,表明铜掺杂态的电子能级位于导带底附近,并具有受体能级特征。研究发现,由于掺杂Cu2+离子导致Zn Se量子点光学带隙变小,而且变小的程度随掺杂量的增加而有所提高。实验证实,由于Cu2+离子的引入,Zn Se量子点立方闪锌矿结构(111)晶面X射线衍射峰出现分叉现象,它们分别对应于立方硒铜矿(101)和(102)晶面。
关键词
znse纳米晶
CU掺杂
表面光电压谱
场诱导表面光电压谱
Keywords
znse
nanocrystals
Cu-doped
surface photovoltage
field induced surface photovoltage
分类号
O649 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚丙烯腈纳米纤维毡上生长ZnSe纳米晶的结构及发光特性
封燕
周正发
徐卫兵
何典
黄国庆
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
铜掺杂对硒化锌量子点光电子特性的影响
赵杰
梁关东
李明豫
翟瑞祥
王文刚
李葵英
《燕山大学学报》
CAS
北大核心
2018
0
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职称材料
已选择
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