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钠离子电池负极用立方体ZnSe/SnSe@C复合材料的制备及电化学性能
1
作者 雷云平 李爱民 +2 位作者 冯丽 董雅倩 张耀辉 《机械工程材料》 北大核心 2025年第3期61-67,共7页
以氯化锌、四氯化锡和氢氧化钠为原料,聚乙二醇-4000为添加剂,通过室温水热反应制备纳米立方体ZnSn(OH)6前驱体,采用盐酸多巴胺包碳处理和高温硒化工艺制备立方体ZnSe/SnSe@C复合材料,研究了不同氯化锌和四氯化锡物质的量比(1∶1,1∶2,2... 以氯化锌、四氯化锡和氢氧化钠为原料,聚乙二醇-4000为添加剂,通过室温水热反应制备纳米立方体ZnSn(OH)6前驱体,采用盐酸多巴胺包碳处理和高温硒化工艺制备立方体ZnSe/SnSe@C复合材料,研究了不同氯化锌和四氯化锡物质的量比(1∶1,1∶2,2∶1)条件下制备复合材料的微观结构和物相组成,以及作为钠离子电池负极材料的电化学性能。结果表明:当氯化锌与四氯化锡的物质的量比为1∶2和2∶1时,复合材料中存在聚集的纳米颗粒,未发现碳均匀包覆的立方体颗粒,当氯化锌和四氯化锡的物质的量比为1∶1时,立方体形态规则,均匀分散,表面被一层碳均匀包覆;复合材料的物相均为ZnSe和SnSe的复合相,且具有较好的结晶性。当氯化锌和四氯化锡的物质的量比为1∶1时,在100 mA·g^(−1)电流密度下循环40圈后,复合材料的质量比容量仍可维持在410 mA·h·g^(−1),库伦效率约为94.6%,明显高于采用物质的量比为1∶2和2∶1的氯化锌和四氯化锡制备的复合材料,且在1 A·g^(−1)的大电流密度下循环200圈后,其质量比容量依然能够达到330 mA·h·g^(−1),库伦效率接近100%,该复合材料具有优异的循环稳定性。与氯化锌和四氯化锡物质的量比为1∶2和2∶1相比,物质的量比为1∶1的氯化锌和四氯化锡制备的复合材料具有较低的电荷转移阻抗和较快的离子扩散速率,表现出优异的电化学性能。 展开更多
关键词 立方体znse/SnSe@C复合材料 负极材料 钠离子电池 电化学性能
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ZnSe@氮掺杂多孔碳异质结构诱导的高效析氢性能
2
作者 张永伟 朱闯 +2 位作者 吴文斌 马永湧 杨恒 《无机化学学报》 北大核心 2025年第4期650-660,共11页
以锌基沸石咪唑酯骨架(Zn-based zeolitic imidazolate framework,Zn-ZIF)为前驱体,通过简单的一步热解策略制备出锌纳米粒子修饰的氮掺杂多孔碳(N-C)催化剂(Zn@N-C),进一步将其负载的Zn纳米粒子通过硒化反应转化为ZnSe纳米颗粒,构建出Z... 以锌基沸石咪唑酯骨架(Zn-based zeolitic imidazolate framework,Zn-ZIF)为前驱体,通过简单的一步热解策略制备出锌纳米粒子修饰的氮掺杂多孔碳(N-C)催化剂(Zn@N-C),进一步将其负载的Zn纳米粒子通过硒化反应转化为ZnSe纳米颗粒,构建出ZnSe@N-C异质结催化剂。采用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)对催化剂的组分、结构和形貌进行了表征,并通过电化学测试系统评估了2种催化剂在析氢反应(hydrogen evolution reaction,HER)中的催化活性和稳定性。结果表明:通过硒化处理,催化剂的形貌由规整的菱形十二面体(Zn@N-C)转变为结构塌陷、褶皱变形的十二面体(ZnSe@N-C),这增加了结构缺陷,从而引入了更多的催化活性位点。同时ZnSe和N-C基底间存在异质界面结构,这促进了电子的传输,提高了催化剂的活性。ZnSe@N-C在碱性HER过程中,在10 mA·cm^(-2)的电流密度下获得了165.8 mV的过电位,优于Zn@N-C(190.8 mV)。此外,ZnSe@N-C在碱性溶液中具有良好的电化学稳定性。 展开更多
关键词 析氢反应 硒化 znse 氮掺杂多孔碳 催化剂
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室温下增益开关Fe:ZnSe中红外激光器的研究
3
作者 陈文轶 张弘 +2 位作者 朱月红 谢永丰 章龚睿健 《激光技术》 北大核心 2025年第6期849-854,共6页
为了构建一种能够在室温条件下工作的紧凑中红外短脉冲激光光源,采用基于LiNbO_(3)晶体的Er:YAG电光调Q激光器作为抽运源抽运Fe:ZnSe晶体的增益开关技术方案,进行了相关仿真分析和实验验证。结果表明,Fe:ZnSe激光器的最大输出能量为1.37... 为了构建一种能够在室温条件下工作的紧凑中红外短脉冲激光光源,采用基于LiNbO_(3)晶体的Er:YAG电光调Q激光器作为抽运源抽运Fe:ZnSe晶体的增益开关技术方案,进行了相关仿真分析和实验验证。结果表明,Fe:ZnSe激光器的最大输出能量为1.37 mJ,斜率效率相对于输入抽运能量达到20.8%;输出激光脉冲在时域上呈现典型的弛豫振荡特性;抽运能量为6.5 mJ时,激光脉冲轮廓宽度为78.2 ns;首脉冲相对于抽运脉冲延迟约94.1 ns,其脉冲宽度最低达到2.2 ns;基于速率方程组理论的仿真分析结果与实验结果基本一致,为优化激光器设计提供了理论支持。本研究成果能够为在室温条件下获取中红外波段高能短脉冲激光提供借鉴思路。 展开更多
关键词 激光器 中红外激光 ER:YAG Fe:znse 增益开关
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不同形貌ZnSe的制备及光电化学性能 被引量：5
4
作者 郝彦忠 酆云 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期788-792,共5页
采用水热法制备了ZnSe纳米棒和微球，用XRD，TGA—DTA和SEM等技术对其进行了表征，提出了解释ZnSe微球的形成新机理．研究结果表明，纳米棒直径为50～100nm，棒长约为200～300nm，ZnSe微球直径为3～10μm．；纳米棒在反应温度为240℃时... 采用水热法制备了ZnSe纳米棒和微球，用XRD，TGA—DTA和SEM等技术对其进行了表征，提出了解释ZnSe微球的形成新机理．研究结果表明，纳米棒直径为50～100nm，棒长约为200～300nm，ZnSe微球直径为3～10μm．；纳米棒在反应温度为240℃时具有闪锌矿和纤维锌矿型7昆晶结构，微球在反应温度为210℃时具有闪锌矿结构；将ZnSe纳米棒和微球均匀地涂在导电玻璃的导电面上，于380℃煅烧40min后制成膜电极，并进行了光电化学研究，纳米棒膜结构电极最高单色光的光电转换效率（IPCE）可达到9．09％． 展开更多
关键词 水热法 znse纳米棒 znse微球 光电化学
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ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变 被引量：1
5
作者 郭子政 梁希侠 班士良 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期456-460,共5页
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料... 用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响 。 展开更多
关键词 znse znse/GaAs 静压 异质结构 直接禁带-间接禁带转变 压力系数 半导体材料 硒化锌 砷化镓 光致发光
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ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
6
作者 方再利 李国华 +4 位作者 韩和相 丁琨 陈晔 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期28-32,共5页
测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激... 测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3 展开更多
关键词 TE 等电子陷阱 光致发光谱 锌硒碲三元化合物 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 静压 znseTe/znse znse 硒化锌 量子阱
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ZnSe和Cr∶ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究 被引量：1
7
作者 张浩 李琳 +4 位作者 宋平新 张迎九 冷雨欣 许毅 董永军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期848-852,共5页
采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体。对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析。采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能。吸收光谱测试... 采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体。对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析。采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能。吸收光谱测试观察到了Cr2+(3d4)取代四面体配位Zn2+的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带。77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ZnSe晶体具有中心波长位于2.2μm的宽谱带发射特征。 展开更多
关键词 znse Cr∶znse 温度梯度法(TGT) 中红外
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ZnO／ZnSe复合纳米结构的制备及可见光光催化性能 被引量：18
8
作者 梁建 何霞 +3 位作者 董海亮 刘海瑞 张华 许并社 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期455-460,共6页
通过热水解法,以氧化锌为模板,成功制备出形貌均一的ZnO/ZnSe复合纳米结构.为了对比不同O/Se比对光催化性能的影响,保持其它反应参数不变,调节还原剂水合肼的用量,得到不同硒化程度的ZnO/ZnSe复合纳米结构.采用场发射扫描电子显微镜、X... 通过热水解法,以氧化锌为模板,成功制备出形貌均一的ZnO/ZnSe复合纳米结构.为了对比不同O/Se比对光催化性能的影响,保持其它反应参数不变,调节还原剂水合肼的用量,得到不同硒化程度的ZnO/ZnSe复合纳米结构.采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪和透射电子显微镜对样品的形貌及结构进行了表征,通过测试该复合结构对亚甲基蓝的可见光催化降解评估了其光催化效率.结果表明,与纯ZnO比,ZnO/ZnSe复合结构在可见光区域和紫外光区域的光吸收范围变宽,显示出较高的光催化效率.原因在于ZnSe导带上的电子在扩散势能的作用下迁移到ZnO的导带上,而空穴仍保留在ZnSe价带,这样有助于光生电子和空穴对的分离,降低其复合机率,从而提高ZnO的光催化效率. 展开更多
关键词 ZNO ZNO znse 亚甲基蓝 光催化效率
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ZnSe∶Cu纳米晶/聚电解质多层膜制备和结构研究 被引量：12
9
作者 张皓 郝恩才 +1 位作者 杨柏 沈家骢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1766-1770,共5页
采用分子沉积方法制备了 Zn Se∶Cu纳米晶 /聚电解质多层膜 ,通过 X射线光电子能谱 ( XPS)和透射电镜 ( TEM)等方法对薄膜的组成及结构进行了表征 . XPS结果证实了回流处理对 Zn Se∶ Cu微粒的表面结构以及铜离子价态的影响 ,从而很好... 采用分子沉积方法制备了 Zn Se∶Cu纳米晶 /聚电解质多层膜 ,通过 X射线光电子能谱 ( XPS)和透射电镜 ( TEM)等方法对薄膜的组成及结构进行了表征 . XPS结果证实了回流处理对 Zn Se∶ Cu微粒的表面结构以及铜离子价态的影响 ,从而很好地解释了经表面修饰后 ,微粒荧光增强的现象 .TEM结果确定 Zn Se∶Cu的平均尺寸为 3nm.X射线粉末衍射结果进一步确认 Zn Se∶Cu具有纤锌矿晶体结构 . 展开更多
关键词 纳米晶 自组装 聚电解质多层膜 znse:Cu
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溶剂热法合成ZnSe纳米材料 被引量：5
10
作者 吴荣 姜楠楠 +2 位作者 李锦 简基康 常爱民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期579-583,共5页
以乙酸锌为锌源,Na2SeO3 5H2O或Se粉为硒源,采用溶剂热法在乙醇胺(EA)溶剂中一步合成晶型和形貌可控的闪锌矿和纤锌矿结构的ZnSe纳米材料。利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物... 以乙酸锌为锌源,Na2SeO3 5H2O或Se粉为硒源,采用溶剂热法在乙醇胺(EA)溶剂中一步合成晶型和形貌可控的闪锌矿和纤锌矿结构的ZnSe纳米材料。利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的晶型、成分和形貌进行了表征。结果表明,Se源的选取直接决定了ZnSe纳米材料的晶型和形貌:以Na2SeO3 5H2O为源,产物为立方相闪锌矿结构的ZnSe纳米颗粒,直径30 nm左右;以Se粉为源,产物为六方相纤锌矿结构的ZnSe纳米片,厚度约50 nm。进一步的研究表明,具有合适配位能力的乙醇胺溶剂和Se源对ZnSe纳米结构的合成起重要作用。通过紫外-可见光谱(UV-Vis)和室温光致发光光谱(PL)表征了产物的光学性质。 展开更多
关键词 溶剂热 znse 闪锌矿 纤锌矿
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Cu掺杂ZnSe高效量子点的合成及其光学特性研究 被引量：5
11
作者 郑金桔 曹盛 +3 位作者 高凤梅 尉国栋 贾龙 杨为佑 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期159-164,共6页
采用生长掺杂方式制备了Cu掺杂ZnSe高效量子点,探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响,并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征。研究表明,进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层,能够实现其... 采用生长掺杂方式制备了Cu掺杂ZnSe高效量子点,探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响,并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征。研究表明,进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层,能够实现其发光效率和稳定性的有效提高;采用配体交换能够实现ZnSe:Cu量子点由油溶性到水溶性的转变。这种新型的掺杂量子点有望替代传统含Cd量子点应用于环境友好型固体发光器件和生物标记。 展开更多
关键词 znse 量子点 生长掺杂 光学特性
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CdSe/ZnSe/ZnS多壳层结构量子点的制备与表征 被引量：8
12
作者 张庆彬 曾庆辉 +3 位作者 郑金桔 孔祥贵 曲玉秋 宋凯 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期842-846,共5页
展示了一种简捷的多壳层量子点合成路线。在含有过量Se源的CdSe体系中直接注入Zn源,"一步法"合成了CdSe/ZnSe量子点;进一步以CdSe/ZnSe为"核",表面外延生长ZnS壳层制备了核/壳/壳结构CdSe/ZnSe/ZnS量子点。相对于... 展示了一种简捷的多壳层量子点合成路线。在含有过量Se源的CdSe体系中直接注入Zn源,"一步法"合成了CdSe/ZnSe量子点;进一步以CdSe/ZnSe为"核",表面外延生长ZnS壳层制备了核/壳/壳结构CdSe/ZnSe/ZnS量子点。相对于以往报道的多壳层结构量子点的制备方法,该方法通过减少壳层的生长步骤有效地简化了实验操作,缩短了实验周期,同时减少对原料的损耗。对量子点进行高温退火处理,能够大幅提高CdSe/ZnSe/ZnS量子点的发光量子产率。透射电镜、XRD以及光谱研究表明:所制备的量子点接近球形,核与壳层纳米晶均为闪锌矿结构,最终获得的CdSe/ZnSe/ZnS量子点的光致发光量子产率达到53%。为了实现量子点的表面生物功能化,通过巯基酸进行了表面配体交换修饰,使量子点表面具有水溶性的羧基功能团,并且能够维持较高的光致发光量子产率。 展开更多
关键词 CdSe/znse/ZnS量子点 外延生长 配体交换
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ZnSe半导体发光材料的研究进展 被引量：14
13
作者 宫华 刘开平 +1 位作者 汪敏强 黄晖 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2003年第3期15-17,共3页
ZnSe半导体发光材料在电学、线性及非线性光学等方面表现出来的独特品质,使其成为研究和开发新功能材料的热点。本文介绍了ZnSe半导体发光材料的应用现状、制备技术及其研究进展。
关键词 znse 纳米材料 半导体激光器 水热法
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ZnSe单晶生长及性能研究 被引量：6
14
作者 卢利平 刘景和 +3 位作者 李建立 万玉春 张亮 曾繁明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期215-218,共4页
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测... 采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。 展开更多
关键词 znse单晶 物理气相输运法 高压坩埚下降法 透过率 吸收系数 发光效率
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中红外Fe:ZnSe激光技术最新研究进展 被引量：15
15
作者 柯常军 孔心怡 +1 位作者 王然 李志永 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第3期136-142,共7页
3-5μm中红外激光处于大气传输窗口,在分子光谱学、环境遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。过渡金属掺杂II-VI族硫化物晶体可以直接实现中红外激光输出,是最有前途的技术途径之一。具有优良物理特性和光谱特性... 3-5μm中红外激光处于大气传输窗口,在分子光谱学、环境遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。过渡金属掺杂II-VI族硫化物晶体可以直接实现中红外激光输出,是最有前途的技术途径之一。具有优良物理特性和光谱特性的Fe：ZnSe晶体是高效、宽带可调谐中红外激光介质的有力竞争者,介绍并分析了Fe：ZnSe晶体的光谱特性及其制备方法,综合评述了Fe：ZnSe激光技术的发展历程和最新研究进展,指出制备高光学质量的Fe：ZnSe晶体和研制3μm波段高效、高能窄脉冲泵浦源是发展实用室温Fe：ZnSe激光器当前面临的挑战。并对实现室温高能、高功率Fe：ZnSe激光的关键问题进行了讨论。 展开更多
关键词 Fe:znse晶体 光谱特性 宽带调谐 中红外激光 HF激光
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ZnSe量子点增敏鲁米诺-铁氰化钾化学发光测定牛奶中的己烯雌酚 被引量：5
16
作者 郭城 高桂园 +3 位作者 丁小洁 李建军 杨冉 屈凌波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期796-801,共6页
碱性介质中,ZnSe量子点能够增强鲁米诺-铁氰化钾体系的化学发光,己烯雌酚对该体系的化学发光有很强的抑制作用,据此建立了测定己烯雌酚的新方法,并对可能的反应机理进行了探讨。结果表明,在优化实验条件下,己烯雌酚在6.0×10-9～4.0... 碱性介质中,ZnSe量子点能够增强鲁米诺-铁氰化钾体系的化学发光,己烯雌酚对该体系的化学发光有很强的抑制作用,据此建立了测定己烯雌酚的新方法,并对可能的反应机理进行了探讨。结果表明,在优化实验条件下,己烯雌酚在6.0×10-9～4.0×10-5mol/L的浓度范围内与发光强度呈良好的线性关系,检出限为2.0×10-9mol/L(信噪比S/N=3)。对于浓度为4.0×10-6mol/L的己烯雌酚,测定11次的相对标准偏差为1.4%。将该体系用于牛奶中己烯雌酚的测定,回收率为94.47%～107.61%。 展开更多
关键词 化学发光 znse量子点 鲁米诺 己烯雌酚
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ZnSe:Cu/CdS核壳量子点的合成及光学性能研究 被引量：4
17
作者 王磊 曹立新 +1 位作者 柳伟 苏革 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期686-691,共6页
以CdS为壳层材料对核水溶性ZnSe:Cu量子点进行包覆,得到ZnSe:Cu/CdS核壳结构的量子点。研究了壳层厚度对ZnSe:Cu量子点光学性能的影响,采用TEM、XRD、PL和UV-Vis手段对所得样品进行表征。实验结果表明:量子点为立方闪锌矿结构,分散性好... 以CdS为壳层材料对核水溶性ZnSe:Cu量子点进行包覆,得到ZnSe:Cu/CdS核壳结构的量子点。研究了壳层厚度对ZnSe:Cu量子点光学性能的影响,采用TEM、XRD、PL和UV-Vis手段对所得样品进行表征。实验结果表明:量子点为立方闪锌矿结构,分散性好,形状为球形,经壳层修饰后量子点的粒径由2.7 nm增大到4.0 nm。随着包覆CdS壳层数的增加,量子点的发射和紫外吸收谱红移,说明量子点在长大,证明CdS壳层生长在ZnSe:Cu量子点的表面,形成了核壳结构的ZnSe:Cu/CdS量子点。包覆CdS壳层后ZnSe:Cu量子点的发光强度减弱,但稳定性得到了提高。 展开更多
关键词 量子点 znse CU znse CU CDS 核壳结构
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ZnSe微球的制备与性能研究 被引量：4
18
作者 汪晓芹 介万奇 +2 位作者 李焕勇 刘莉 谭一平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期744-748,共5页
采用水热法,以ZnSO4.7H2O为Zn源,Na2SeO3为Se源,NaOH溶液为反应介质,N2H4.H2O为还原性助剂,在140℃下反应24h,合成了直径为1～4μm、分散性较好的ZnSe微球。SEM、XRD和UV-Vis测试发现,NaOH和N2H4.H2O共同控制着ZnSe的形貌,制备的ZnSe微... 采用水热法,以ZnSO4.7H2O为Zn源,Na2SeO3为Se源,NaOH溶液为反应介质,N2H4.H2O为还原性助剂,在140℃下反应24h,合成了直径为1～4μm、分散性较好的ZnSe微球。SEM、XRD和UV-Vis测试发现,NaOH和N2H4.H2O共同控制着ZnSe的形貌,制备的ZnSe微球是由平均尺寸为20.7nm的ZnSe纳米晶在N2微泡上聚集而成的中空球。 展开更多
关键词 znse 微球 中空球 水热法
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ZnSe单晶的生长 被引量：5
19
作者 顾庆天 魏景谦 +3 位作者 吕孟凯 史伟 王继扬 房昌水 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期147-,共1页
ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第... ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第一只蓝绿光半导体激光器后 ,各国纷纷开展深入研究。目前 ,已经得到在室温下连续工作 40 0h的激光器。但是由于GaAs和ZnSe热膨胀系数和晶格常数的差异引起的缺陷 ,严重影响器件的寿命 ,为了克服这个问题 ,现正研究在ZnSe衬底上进行同质外延生长。这就需要大块的优质单晶 ,因此 ,我们对ZnSe单晶的生长展开了研究。我们采用物理气相输运法 (PVT)和化学气相输运法 (CVT)生长 ,均得到ZnSe单晶。CVT法采用I2 作输运剂 ,生长温度 85 0℃左右 ,温度梯度 2℃ ,晶体由于I2 进入晶相显桔黄色 ,生长面为 ( 1 0 0 )和 ( 1 1 1 )。PVT法生长温度在 1 0 5 0℃左右 ,温度梯度为 2℃ ,晶体只有 ( 1 1 0 )面自然显露 ,由于Zn含量的不同而呈现不同的颜色 ,我们研究了Zn/Se比例对晶体质量及性能的影响。用 30 %NaOH溶液对晶体 ( 1 1 1 )晶片进行腐蚀 ,蚀坑密度低于 2× 1 0 4/cm2 ;采用高分辨X射线衍射仪对 ( 1 0 0 )晶片进行了一系列测试。结果表明我们生长的单晶具有良好的结晶性质 ,无孪? 展开更多
关键词 znse晶体 激光材料 物理气相输运法 化学气相输运法
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ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究 被引量：5
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作者 范希武 于广友 +2 位作者 张吉英 杨宝均 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期293-298,共6页
用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一... 用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一个内建电场 ,它将影响激子隧穿 ;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象 ; 展开更多
关键词 ZnCdSe/znse非对称双量子阱 激子隧穿 受激发射
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