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相变光盘介电层ZnS-SiO_2薄膜的性能研究 被引量:3
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作者 刘波 阮昊 干福熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期190-194,共5页
利用AFM、XRD、TEM、紫外可见光谱仪和椭偏仪等多种研究手段研究了ZnS-SiO2薄膜的性能.研究表明,沉积态ZnS-SiO2薄膜为非晶态,表现为层核生长型(Straski-Krastanov型)结构,表面很平滑,其中包含着大小为2-10nm的微小晶粒;ZnS-SiO2薄膜的... 利用AFM、XRD、TEM、紫外可见光谱仪和椭偏仪等多种研究手段研究了ZnS-SiO2薄膜的性能.研究表明,沉积态ZnS-SiO2薄膜为非晶态,表现为层核生长型(Straski-Krastanov型)结构,表面很平滑,其中包含着大小为2-10nm的微小晶粒;ZnS-SiO2薄膜的透过率比较大,消光系数很小,这可以减少入射激光能量的损失;ZnS-SiO2薄膜拥有比较高的折射率,能够对记录层起到很好的保护作用. 展开更多
关键词 zns-sio2薄膜 性能 介电层 相变光盘 硫化锌 二氧化硅
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