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溶液法制备ZnO纳米阵列的影响因素及光催化活性 被引量:1
1
作者 鲍艳 张永辉 马建中 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期19-24,共6页
利用无水醋酸锌原位水解生成的纳米ZnO作晶种,通过溶液法制备ZnO纳米阵列,研究反应过程中各因素对ZnO纳米阵列形貌的影响,并对制得的ZnO纳米阵列的光催化活性进行研究。结果表明:采用浸涂方式制备晶种,生长得到的ZnO纳米阵列在衬底表面... 利用无水醋酸锌原位水解生成的纳米ZnO作晶种,通过溶液法制备ZnO纳米阵列,研究反应过程中各因素对ZnO纳米阵列形貌的影响,并对制得的ZnO纳米阵列的光催化活性进行研究。结果表明:采用浸涂方式制备晶种,生长得到的ZnO纳米阵列在衬底表面均匀密集分布;采用喷涂方式制备晶种,生长得到的ZnO纳米阵列存在着较大的空白区域。在晶种前驱体溶液中添加二乙醇胺或甲酰胺,会引起纳米ZnO成核的聚集,不利于制得分布均匀的ZnO纳米阵列。反应溶液pH=6.7时,可得到均匀、密集且取向性良好的ZnO纳米阵列结构。以不锈钢金属网为基底制备的ZnO纳米阵列应用于15mg/L甲基橙的光催化降解,3h即降解完全,且进行连续三次反应后仍表现出良好的光催化活性。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 晶种 加热处理 反应溶液pH 光催化活性
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ZnO纳米阵列增强大功率蓝光LED出光效率的研究 被引量:3
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作者 徐冰 赵俊亮 +3 位作者 张检明 孙小卫 诸葛福伟 李效民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期716-720,共5页
采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌... 采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响,探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理.结果表明,较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率.在优化的实验条件下,表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60%以上,并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 大功率LED芯片 出光效率 化学溶液法
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基于氧化石墨烯/ZnO纳米阵列的无酶葡萄糖传感器
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作者 梁旭 韩露 +5 位作者 雷雅京 黎雯 黄瑞滨 陈荣生 倪红卫 詹玮婷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期30-35,共6页
采用微波水热合成法在不锈钢表面制备氧化石墨烯/ZnO纳米棒阵列(GO/ZnO NRs)作为无酶葡萄糖传感器电极。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜等对电极进行形貌、组织和结构的表征,并通过电化学工作站在有光和无光条件下对... 采用微波水热合成法在不锈钢表面制备氧化石墨烯/ZnO纳米棒阵列(GO/ZnO NRs)作为无酶葡萄糖传感器电极。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜等对电极进行形貌、组织和结构的表征,并通过电化学工作站在有光和无光条件下对电极进行了电流-时间(I-t)曲线测试,分析了在不同氧化石墨烯(GO)沉积条件下GO/ZnO NRs的光电化学性能,在无酶条件下对电极进行光电化学葡萄糖传感测试。结果表明,GO的添加使得ZnO无序的纳米颗粒/棒形貌转变为定向生长的一维阵列,并随着GO的全程添加,ZnO(200)晶面的垂直堆积被抑制,(100)晶面和(101)晶面逐渐堆积,从而使ZnO纳米棒的形貌从原有的尖头生长成平头形。所得GO/ZnO NRs对葡萄糖具有较高的检测灵敏度、较低的检测限和良好的检测范围。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 氧化石墨烯 无酶葡萄糖传感器 不锈钢 光电化学传感
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定向ZnO纳米钉阵列的制备及生长机理 被引量:4
4
作者 周明 冯程程 +3 位作者 吴春霞 马伟伟 李刚 蔡兰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期717-721,共5页
在550℃下,采用化学气相沉积(CVD)法在镀Au(10nm)的Si(100)衬底上,制备了ZnO一维纳米钉阵列结构。X射线衍射(XRD)谱图中只显示了(002)衍射峰,其半峰全宽为0.166°,表明制备的纳米钉阵列具有高度c轴择优生长取向的特点和较高的结晶质... 在550℃下,采用化学气相沉积(CVD)法在镀Au(10nm)的Si(100)衬底上,制备了ZnO一维纳米钉阵列结构。X射线衍射(XRD)谱图中只显示了(002)衍射峰,其半峰全宽为0.166°,表明制备的纳米钉阵列具有高度c轴择优生长取向的特点和较高的结晶质量,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选区电子衍射图(SAED)谱的结果表明所得到的单根纳米钉为沿(002)生长的单晶结构;同时,对一维纳米钉阵列的生长机理进行了分析。结果表明:由于Si与ZnO之间大的晶格失配度,首先在Si表面沉积一层富Zn的ZnOx薄膜缓冲层,然后通过VLS机理中的底端生长模式生长成为纳米钉阵列结构。 展开更多
关键词 纳米 zno纳米阵列 化学气相沉积
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ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能 被引量:11
5
作者 方国家 王明军 +4 位作者 刘逆霜 李春 艾磊 李军 赵兴中 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期421-424,共4页
采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择... 采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高。场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2V/μm,具有较好的场致电子发射性能。 展开更多
关键词 zno纳米线阵列 光致发光 场致电子发射
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表面修饰引发的ZnO纳米棒阵列膜的超疏水性 被引量:12
6
作者 郭敏 刁鹏 +1 位作者 蔡生民 刘忠范 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期547-549,395,共4页
Well oriented ZnO nanorod array films were prepared by a low cost and low temperature hydrothermal approach. The wettability of the films were studied. The films treated with octadecanethiol(ODT) possess super hydroph... Well oriented ZnO nanorod array films were prepared by a low cost and low temperature hydrothermal approach. The wettability of the films were studied. The films treated with octadecanethiol(ODT) possess super hydrophobic properties. The static contact angle for water of the ODT modified films is 155.3°±2.3°, and the advancing and receding angles are 156.5°±1.9° and 150.3°±2.8°, respectively. It is believed that the super hydrophobic property of the ZnO nanorod array films is mainly caused by the nanostructures of the films and the modification of ODT adsorption layer on ZnO surfaces. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 超疏水性 润湿性
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水热法制备不同形貌纳米ZnO阵列及光学性能的研究 被引量:8
7
作者 涂盛辉 吴佩凡 +2 位作者 巫辉 杜军 万金保 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期3417-3419,3424,共4页
采用简单水热法制备得到棒状、铅笔状和塔状不同形貌的纳米ZnO阵列。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发射光谱对样品结构、形貌、光学性能和催化性能进行表征;结果表明,样品晶型比较完整,PL谱图表明样品在380nm左右都出现了强... 采用简单水热法制备得到棒状、铅笔状和塔状不同形貌的纳米ZnO阵列。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发射光谱对样品结构、形貌、光学性能和催化性能进行表征;结果表明,样品晶型比较完整,PL谱图表明样品在380nm左右都出现了强烈的紫外发射峰。同时,以甲基橙为模拟污染物,通过光催化测试表明,产品均具有良好的光催化性能,其中塔状纳米ZnO的光催化性能较高。 展开更多
关键词 水热法 不同形貌 纳米zno阵列 光学性能
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N-TiO_2/ZnO复合纳米管阵列的掺杂机理及其光催化活性 被引量:18
8
作者 翟晓辉 龙绘锦 +1 位作者 董江舟 曹亚安 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第3期663-668,共6页
以ZnO纳米柱阵列为模板,采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明:两种阵列的纳米管均为六角形结构,直径约为100nm,壁厚约为20... 以ZnO纳米柱阵列为模板,采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明:两种阵列的纳米管均为六角形结构,直径约为100nm,壁厚约为20nm;在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中,掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面,仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置;表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化,增强了纳米管阵列的光吸收效率,促进了光生载流子的分离.光催化实验结果表明,N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高. 展开更多
关键词 光催化 TiO2/zno复合纳米阵列 N掺杂 掺杂机理
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电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究 被引量:6
9
作者 胡飞 胡跃辉 陈镜昌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期116-118,共3页
采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构。通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响。结果表明,电沉积体系... 采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构。通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响。结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用。在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜。 展开更多
关键词 电化学沉积 zno纳米阵列 zno纳米阵列 机理
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ZnO纳米管有序阵列与Cu_2O纳米晶核壳结构的光电化学性能及全固态纳米结构太阳电池研究 被引量:7
10
作者 郝彦忠 孙宝 +3 位作者 罗冲 范龙雪 裴娟 李英品 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期127-133,共7页
采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃基底上制备了高度有序的ZnO纳米管阵列,然后在ZnO纳米管阵列上电化学沉积Cu2O纳米晶颗粒,获得了一维有序Cu2O/ZnO核壳式纳米阵列结构,通过控制Cu2O纳米晶的沉积电量得到不同厚度的Cu2O壳... 采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃基底上制备了高度有序的ZnO纳米管阵列,然后在ZnO纳米管阵列上电化学沉积Cu2O纳米晶颗粒,获得了一维有序Cu2O/ZnO核壳式纳米阵列结构,通过控制Cu2O纳米晶的沉积电量得到不同厚度的Cu2O壳层,并对该核壳式纳米阵列的形貌和结构进行了分析.以Cu2O/ZnO一维核壳式纳米阵列结构为光电极组装全固态纳米结构太阳电池,研究了Cu2O壳层厚度对光电极光吸收性能、光电性能以及组装电池光伏性能的影响,优化了电池中对电极材料的喷金厚度.结果表明,以Cu2O沉积电量为1.5C的Cu20/ZnO为光活性层,以4mA电流下真空镀金20~25min的铜基底为对电极组装的简易太阳电池最高可获得0.013%的光电转换效率. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 Cu2O纳米 核壳式结构 全固态纳米结构太阳电池
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ZnO/Cu_2O异质结纳米阵列制备及光催化性能 被引量:5
11
作者 何祖明 夏咏梅 +2 位作者 唐斌 江兴方 黄正逸 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期936-943,共8页
利用湿化学法在FTO玻璃基底上制备了高度规整的ZnO纳米棒阵列(ZnO NRAs),以此为衬底,采用磁控溅射法在ZnO NRAs表面沉积Cu_2O薄膜。分别用X射线衍射仪、X射线光电子能谱、扫描电镜、光致光谱、紫外可见分光光度计和电化学工作站对样品... 利用湿化学法在FTO玻璃基底上制备了高度规整的ZnO纳米棒阵列(ZnO NRAs),以此为衬底,采用磁控溅射法在ZnO NRAs表面沉积Cu_2O薄膜。分别用X射线衍射仪、X射线光电子能谱、扫描电镜、光致光谱、紫外可见分光光度计和电化学工作站对样品的物相、形貌、吸收光谱、光电性能进行了表征,用甲基橙(MO)模拟有机物废水研究复合材料的光催化性能。结果表明:ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构,其直径约为80~100 nm,长约2~3μm,棒间距约100~120 nm。立方晶系的Cu_2O颗粒直径约为100~300 nm,形成致密膜层并紧密覆盖在ZnO NRAs表面上,构成ZnO/Cu_2O异质结纳米阵列(ZnO/Cu_2O HNRAs)结构。与纯ZnO NRAs和Cu_2O相比,ZnO/Cu_2O HNRAs在可见光范围内的吸收显著增强,吸收波长向可见光方向偏移。ZnO/Cu_2O HNRAs的载流子传递界面的电荷转移速度快,有效促进了光生电子和空穴的分离。在紫外-可见光照射65 min后,ZnO/Cu_2O HNRAs的降解效率为94%,分别是纯ZnO NRAs和Cu_2O的18倍和1.7倍。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 zno/Cu2O异质结纳米阵列 光电化学性能 光催化
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Zn/纳米棒阵列ZnO/聚噻吩复合电极的制备及光电化学性质 被引量:4
12
作者 庞起 韩建鹏 +2 位作者 梁春杰 周立亚 罗济文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期997-1000,共4页
使用简单的水热法在锌片上生长ZnO纳米棒阵列,并用电化学共聚制备了ZnO纳米棒阵列与聚噻吩(Zn/ZnO/PTH)复合膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对ZnO的结构和形貌进行表征,XRD结果表明产物为六方纤锌矿型ZnO。SEM结果表... 使用简单的水热法在锌片上生长ZnO纳米棒阵列,并用电化学共聚制备了ZnO纳米棒阵列与聚噻吩(Zn/ZnO/PTH)复合膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对ZnO的结构和形貌进行表征,XRD结果表明产物为六方纤锌矿型ZnO。SEM结果表明,在垂直锌片方向生长了包括纳米棒、纳米片、纳米线的表面光滑的ZnO纳米阵列,其中以纳米棒为主,其直径为30~100nm,长度>1μm。用光电流作用谱、光电流-电势图研究了Zn/ZnO/PTH电极的光电转换性质。结果表明,PTH修饰ZnO/Zn电极可使光电流产生波长发生明显红移,使其光电转换效率提高了4倍,填充因子FF=33%,光电转换效率η=1.25%。 展开更多
关键词 水热法 zno纳米阵列 Zn/zno/PTH复合膜 光电化学
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高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征 被引量:3
13
作者 冯秋菊 冯宇 +7 位作者 梁红伟 王珏 陶鹏程 蒋俊岩 赵涧泽 李梦轲 宋哲 孙景昌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期154-158,共5页
在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂Zn... 在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。 展开更多
关键词 As掺杂 zno纳米线阵列 化学气相沉积 光致发光
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P3HT修饰一维有序壳核式CdS/ZnO纳米棒阵列复合膜的光电化学性能 被引量:3
14
作者 孙宝 郝彦忠 +4 位作者 郭奋 李英品 罗冲 裴娟 申世刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2861-2866,共6页
采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列,在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构,并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(T... 采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列,在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构,并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能量散射X射线(EDX)等表征手段证实了该结构的形成.以此纳米结构薄膜为光阳极组装新型半导体敏化太阳电池,研究了CdS纳米晶膜的厚度和P3HT薄膜的沉积对电池光伏性能的影响,初步探讨了电荷在电池结构中的传输机理,结果表明,CdS纳米晶膜和P3HT薄膜的沉积有效地拓宽了光阳极的光吸收范围,实验中电池的光电转换效率最高达到1.08%. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 CDS 聚3-己基噻吩 电化学沉积 壳核纳米结构 半导体敏化太阳电池
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不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析 被引量:2
15
作者 曹培江 解振宇 +5 位作者 韩舜 柳文军 贾芳 曾玉祥 朱德亮 吕有明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第14期1-3,共3页
采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响。研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO... 采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响。研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO生长速率的不同导致ZnO纳米棒长度减小、直径变粗、结晶质量变差、纳米棒面密度减小。氧流量的减小使得ZnO纳米棒中的氧空位缺陷含量增加,导致位于约520nm处的绿光峰增强。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 化学气相沉积 发光性能
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电沉积ZnO纳米棒阵列膜制备及其透光性能研究 被引量:2
16
作者 叶锋 李晶晶 +3 位作者 王同涛 王永亮 刘芸 王新东 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期394-397,共4页
应用阴极恒电流电沉积法,以ZnC l2水溶液为电解液,在经预处理的ITO导电玻璃上制备ZnO纳米棒阵列,扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及透射光谱等测试表明,ZnO纳米棒阵列具有c轴高度择优取向,呈六方纤锌矿结构.当入射光波长大于380 nm... 应用阴极恒电流电沉积法,以ZnC l2水溶液为电解液,在经预处理的ITO导电玻璃上制备ZnO纳米棒阵列,扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及透射光谱等测试表明,ZnO纳米棒阵列具有c轴高度择优取向,呈六方纤锌矿结构.当入射光波长大于380 nm时,ZnO纳米棒阵列的透光率大于95%,并且禁带宽度变窄. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 电沉积 预处理 透光性
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表面活性剂对ZnO纳米棒阵列生长的影响 被引量:2
17
作者 王冰 唐立丹 +2 位作者 刘哲 孙明明 王建中 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期610-614,共5页
以ZnO纳米棒阵列为研究对象,通过在晶种层中添加表面活性剂来改善水热合成ZnO纳米棒阵列的形貌、结构及其发光性能。结果表明:当添加表面活性剂的含量为0.02g/mL时,所得ZnO纳米棒为六方纤锌矿,沿着垂直于衬底的c轴生长,垂直度较高,纳米... 以ZnO纳米棒阵列为研究对象,通过在晶种层中添加表面活性剂来改善水热合成ZnO纳米棒阵列的形貌、结构及其发光性能。结果表明:当添加表面活性剂的含量为0.02g/mL时,所得ZnO纳米棒为六方纤锌矿,沿着垂直于衬底的c轴生长,垂直度较高,纳米棒的长径比和密度较未添加活性剂时分别提高2.1倍和2.4倍。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 表面活性剂 晶种层 水热合成
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一维有序ZnO纳米棒阵列的制备与表征 被引量:2
18
作者 刘然 章婷 +4 位作者 赵谡玲 徐征 张福俊 袁广才 徐叙鎔 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期2249-2253,共5页
通过改进传统水热法的密闭、高压的条件,在非密闭、常压环境下在氧化铟锡玻璃衬底上自组装生长了取向高度一致并且分散性好的ZnO纳米棒阵列。首先将乙酸锌溶胶旋涂到氧化铟锡玻璃衬底上,经热处理得到致密的ZnO纳米晶薄膜,然后将其垂直... 通过改进传统水热法的密闭、高压的条件,在非密闭、常压环境下在氧化铟锡玻璃衬底上自组装生长了取向高度一致并且分散性好的ZnO纳米棒阵列。首先将乙酸锌溶胶旋涂到氧化铟锡玻璃衬底上,经热处理得到致密的ZnO纳米晶薄膜,然后将其垂直放入前驱体溶液中通过化学溶液沉积生长得到ZnO纳米棒阵列。室温条件下,对样品进行了SEM和XRD的测试,表明生成的氧化锌纳米棒阵列沿c轴取向,实现了定向生长,且纳米棒结晶较好,为六方纤锌矿结构,直径约为40nm,长度达到微米量级。室温下的吸收光谱表明,由此方法得到的纳米棒纯度较高,有强的紫外吸收。室温下,观测到了该有序ZnO纳米棒阵列在387nm处强的窄带紫外发射,半高宽小于30nm,在468nm处还有一强度较弱的蓝光发射峰。 展开更多
关键词 zno纳米晶薄膜 zno纳米阵列
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化学水浴法制备柔性衬底的ZnO纳米棒阵列 被引量:3
19
作者 蒋里锋 董云飞 黄培 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第2期73-77,共5页
利用化学水浴法在预先制备的聚酰亚胺(PI)/ZnO薄膜衬底上生长ZnO纳米棒阵列。通过X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对ZnO纳米棒阵列进行表征。考察衬底的性质、反应溶液的浓度、反应温度和反应时间对ZnO纳米棒阵列的影响。结果表明:... 利用化学水浴法在预先制备的聚酰亚胺(PI)/ZnO薄膜衬底上生长ZnO纳米棒阵列。通过X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对ZnO纳米棒阵列进行表征。考察衬底的性质、反应溶液的浓度、反应温度和反应时间对ZnO纳米棒阵列的影响。结果表明:c轴取向生长的ZnO薄膜衬底有助于形成六棱柱形ZnO纳米棒晶体。水溶液环境中生长的ZnO纳米棒晶体长径比受到反应溶液浓度和温度的影响。ZnO生长初期c轴方向生长速度较快,经过一段时间后纳米棒的直径开始增大,并且能和周围的纳米棒晶体融合生长形成更大的纳米棒晶体。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 化学水浴法 聚酰亚胺 柔性衬底
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CdSZnO核壳纳米棒阵列结构的制备及在太阳能电池中的应用 被引量:2
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作者 毛永强 李娜 +1 位作者 张敏 王继仁 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期226-228,共3页
采用水热法制备垂直于FTO导电玻璃基底的ZnO纳米棒阵列,然后通过电化学沉积法在ZnO纳米棒阵列上沉积CdS纳米晶,形成CdS/ZnO核壳纳米棒阵列结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDS)和紫外-可见分光光度计(UV-... 采用水热法制备垂直于FTO导电玻璃基底的ZnO纳米棒阵列,然后通过电化学沉积法在ZnO纳米棒阵列上沉积CdS纳米晶,形成CdS/ZnO核壳纳米棒阵列结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDS)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等对所得样品的形貌、结构组成进行分析表征;并以其为光电极组装太阳能电池,研究CdS纳米晶厚度对该电池光电性能的影响。结果表明,所得样品不仅拓宽和加强电池的光吸收能力,也有效调控光生载流子的传输。当CdS纳米晶沉积时间为60s时,电池的光电转换效率最高可达1.10%。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 电沉积法 CDS纳米 太阳能电池
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