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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO／Si的XPS探究
被引量：
3
1
作者
李庚伟
吴正龙
+1 位作者
邵素珍
刘志凯
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期255-258,263,共5页
为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分...
为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O)∶n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.
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关键词
zno/n异质结构
氧离子束辅助PLD
X射线光电子能谱(XPS)
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职称材料
题名
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO／Si的XPS探究
被引量：
3
1
作者
李庚伟
吴正龙
邵素珍
刘志凯
机构
中国地质大学(北京)材料科学与工程学院
北京师范大学分析测试中心
北京市第四十七中学
中国科学院半导体材料科学实验室
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期255-258,263,共5页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(7150010162)
中国地质大学(北京)科技基金资助项目(200524)
文摘
为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O)∶n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.
关键词
zno/n异质结构
氧离子束辅助PLD
X射线光电子能谱(XPS)
Keywords
zno/
Si heterostrueture
O^＋ -assisted pulsed laser depositio
n
（PLD）
X-ray photoelectro
n
spec-troscopy （ XPS ）
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN248.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO／Si的XPS探究
李庚伟
吴正龙
邵素珍
刘志凯
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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