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液相沉积法制备ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜及其光电性质 被引量:1
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作者 付冬伟 程轲 +1 位作者 庞山 杜祖亮 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2575-2580,共6页
采用两步化学溶液沉积法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收分光光度计、荧光(PL)光谱仪及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对... 采用两步化学溶液沉积法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收分光光度计、荧光(PL)光谱仪及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对复合薄膜的晶体结构、形貌、光电性质的影响.研究结果表明:ZnO纳米棒阵列表面包覆CdS纳米颗粒后,其吸收光谱可拓展到可见光区;与吸收光谱相对应在可见光区出现新的光电压谱响应区,这一现象证实,通过与CdS复合可显著提高ZnO纳米棒阵列在可见光区的光电转换性能;随着CdS纳米颗粒沉积时间的延长,复合纳米棒阵列薄膜在大于383nm波长区域的光电压强度逐渐减弱,而在小于383nm波长区域的光电压强度逐渐增强.用两种不同的电荷产生和分离机制对这一截然相反的光响应过程进行了详细的讨论和解释. 展开更多
关键词 zno/cds纳米棒阵列 液相沉积法 表面光电压谱 光电特性 电荷转移过程
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P3HT修饰一维有序壳核式CdS/ZnO纳米棒阵列复合膜的光电化学性能 被引量:3
2
作者 孙宝 郝彦忠 +4 位作者 郭奋 李英品 罗冲 裴娟 申世刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2861-2866,共6页
采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列,在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构,并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(T... 采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列,在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构,并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能量散射X射线(EDX)等表征手段证实了该结构的形成.以此纳米结构薄膜为光阳极组装新型半导体敏化太阳电池,研究了CdS纳米晶膜的厚度和P3HT薄膜的沉积对电池光伏性能的影响,初步探讨了电荷在电池结构中的传输机理,结果表明,CdS纳米晶膜和P3HT薄膜的沉积有效地拓宽了光阳极的光吸收范围,实验中电池的光电转换效率最高达到1.08%. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 cds 聚3-己基噻吩 电化学沉积 壳核纳米结构 半导体敏化太阳电池
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CdSZnO核壳纳米棒阵列结构的制备及在太阳能电池中的应用 被引量:2
3
作者 毛永强 李娜 +1 位作者 张敏 王继仁 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期226-228,共3页
采用水热法制备垂直于FTO导电玻璃基底的ZnO纳米棒阵列,然后通过电化学沉积法在ZnO纳米棒阵列上沉积CdS纳米晶,形成CdS/ZnO核壳纳米棒阵列结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDS)和紫外-可见分光光度计(UV-... 采用水热法制备垂直于FTO导电玻璃基底的ZnO纳米棒阵列,然后通过电化学沉积法在ZnO纳米棒阵列上沉积CdS纳米晶,形成CdS/ZnO核壳纳米棒阵列结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDS)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等对所得样品的形貌、结构组成进行分析表征;并以其为光电极组装太阳能电池,研究CdS纳米晶厚度对该电池光电性能的影响。结果表明,所得样品不仅拓宽和加强电池的光吸收能力,也有效调控光生载流子的传输。当CdS纳米晶沉积时间为60s时,电池的光电转换效率最高可达1.10%。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 电沉积法 cds纳米 太阳能电池
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CdS量子点敏化ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能 被引量:9
4
作者 张桥保 冯增芳 +3 位作者 韩楠楠 林玲玲 周剑章 林仲华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2927-2934,共8页
采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱... 采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极的光电性能影响.结果表明,前驱体浓度都为0.1mol·L-1且沉积15次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能最好.与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比,其光电转换效率显著提高,单色光光子-电流转换效率(IPCE)在380nm处达到76%.这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区,并且在所形成的界面上光生载流子更容易分离.荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是,两者间形成的界面中表面态大大减少,有利于减少光生电子和空穴的复合. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 cds量子点 cds量子点/zno纳米 连续式离子层吸附与反应法 光电化学性能
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CdS修饰低密度TiO_2纳米棒阵列复合膜的制备及光电性能
5
作者 孙宝 苏子亭 +3 位作者 张赛 郝彦忠 裴娟 李英品 《河北科技大学学报》 CAS 2018年第5期470-476,共7页
为了提高CdS光敏层在TiO_2一维纳米棒阵列中的填充率,在TiO_2种子层的基础上,采用水热法于FTO导电玻璃表面生长了棒长较短、棒间距较大的低密度TiO_2一维纳米棒阵列膜,通过化学浴沉积在TiO_2纳米棒表面包覆CdS种子层,以此为基底采用水... 为了提高CdS光敏层在TiO_2一维纳米棒阵列中的填充率,在TiO_2种子层的基础上,采用水热法于FTO导电玻璃表面生长了棒长较短、棒间距较大的低密度TiO_2一维纳米棒阵列膜,通过化学浴沉积在TiO_2纳米棒表面包覆CdS种子层,以此为基底采用水热法于TiO_2一维纳米阵列中生长CdS光敏层。采用SEM,XRD及紫外-可见吸收光谱对不同CdS水热生长时间的TiO_2/CdS复合膜结构进行了表征,并对其光电性能进行了研究。结果表明,低密度TiO_2纳米棒阵列有利于CdS生长液在阵列中渗入形成完全包覆的CdS种子层,CdS光敏层通过水热过程在整个TiO_2纳米棒表面均匀生长,逐渐形成CdS对TiO_2纳米棒阵列的完全填充和包覆,并在阵列顶端形成由CdS纳米短棒组成的花状修饰层;CdS的修饰将TiO_2一维纳米阵列膜的光吸收拓展至可见光区,水热生长7h所得到的TiO_2/CdS复合膜具有最高光电流。所制备的CdS修饰低密度TiO_2纳米棒复合膜在太阳电池器件中具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 电化学 低密度TiO2纳米阵列 cds 水热法 光电性能
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制备周期有序ZnO纳米棒阵列的影响因素研究
6
作者 张忠文 王佳乐 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第2期52-58,共7页
为研究ZnO纳米棒阵列的影响因素,通过聚苯乙烯(polystyrene,PS)纳米球刻蚀法及随后水热生长,在GaN衬底上制备周期有序的ZnO纳米棒阵列。通过选取不同尺寸的PS纳米球、反应离子刻蚀(RIE)的时长、生长温度和前驱体溶液浓度等条件,制备出... 为研究ZnO纳米棒阵列的影响因素,通过聚苯乙烯(polystyrene,PS)纳米球刻蚀法及随后水热生长,在GaN衬底上制备周期有序的ZnO纳米棒阵列。通过选取不同尺寸的PS纳米球、反应离子刻蚀(RIE)的时长、生长温度和前驱体溶液浓度等条件,制备出具有不同周期性、不同形貌的ZnO纳米棒阵列,并通过XRD进行表征。研究结果表明:制备的ZnO纳米棒具有良好的结晶质量且沿着[0001]晶向优先生长。该研究调控了周期有序ZnO纳米棒阵列生长的影响因素,为制备半导体材料有序纳米阵列提供了一种低成本的方法。 展开更多
关键词 zno 水热法 纳米阵列 结构调控
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CdS/TiO_2纳米棒阵列复合电极制备及性能研究 被引量:1
7
作者 宋端鸣 强颖怀 +2 位作者 赵宇龙 顾修全 蔺旭鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第3期156-161,共6页
染料敏化太阳电池以其良好的电池性能、简单的制作工艺、廉价的制作成本等优点越来越受到人们的关注。尝试用水热合成法在透明导电玻璃FTO(SnO2∶F)衬底上一步制备出高度有序的TiO2单晶纳米棒阵列,使用扫描电子显微镜SEM及X射线衍射仪(X... 染料敏化太阳电池以其良好的电池性能、简单的制作工艺、廉价的制作成本等优点越来越受到人们的关注。尝试用水热合成法在透明导电玻璃FTO(SnO2∶F)衬底上一步制备出高度有序的TiO2单晶纳米棒阵列,使用扫描电子显微镜SEM及X射线衍射仪(XRD)等对其进行表征分析。用制备的样品作为光阳极封装电池并对其进行电池性能的测试。用化学浴沉积(CBD)方法对制备的样品进行CdS表面修饰,通过测量其紫外-可见吸收光谱及明暗场的电流-电压特性曲线等考察电池性能随硫化镉修饰次数的变化规律。 展开更多
关键词 染料敏化太阳电池(DSSC) TiO2纳米阵列 硫化镉(cds) 水热合成法 化学浴沉积(CBD)
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表面修饰引发的ZnO纳米棒阵列膜的超疏水性 被引量:12
8
作者 郭敏 刁鹏 +1 位作者 蔡生民 刘忠范 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期547-549,395,共4页
Well oriented ZnO nanorod array films were prepared by a low cost and low temperature hydrothermal approach. The wettability of the films were studied. The films treated with octadecanethiol(ODT) possess super hydroph... Well oriented ZnO nanorod array films were prepared by a low cost and low temperature hydrothermal approach. The wettability of the films were studied. The films treated with octadecanethiol(ODT) possess super hydrophobic properties. The static contact angle for water of the ODT modified films is 155.3°±2.3°, and the advancing and receding angles are 156.5°±1.9° and 150.3°±2.8°, respectively. It is believed that the super hydrophobic property of the ZnO nanorod array films is mainly caused by the nanostructures of the films and the modification of ODT adsorption layer on ZnO surfaces. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 超疏水性 润湿性
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一维ZnO纳米棒阵列的水热合成 被引量:9
9
作者 宫丽红 叶彩 安茂忠 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期164-167,共4页
以锌片为衬底,用硝酸锌和氨水为原材料,在90℃时由水热法合成了有序生长的ZnO纳米棒阵列。纳米棒长度为500~800 nm,直径约为100 nm,SEM图片显示该纳米棒顶部截面是六边形。XRD谱表明,ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构。考察了制备温度、时间... 以锌片为衬底,用硝酸锌和氨水为原材料,在90℃时由水热法合成了有序生长的ZnO纳米棒阵列。纳米棒长度为500~800 nm,直径约为100 nm,SEM图片显示该纳米棒顶部截面是六边形。XRD谱表明,ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构。考察了制备温度、时间和物料比对合成的材料形貌和结构的影响。 展开更多
关键词 纳米材料 zno 纳米 阵列
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电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究 被引量:6
10
作者 胡飞 胡跃辉 陈镜昌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期116-118,共3页
采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构。通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响。结果表明,电沉积体系... 采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构。通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响。结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用。在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜。 展开更多
关键词 电化学沉积 zno纳米阵列 zno纳米阵列 机理
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不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析 被引量:2
11
作者 曹培江 解振宇 +5 位作者 韩舜 柳文军 贾芳 曾玉祥 朱德亮 吕有明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第14期1-3,共3页
采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响。研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO... 采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响。研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO生长速率的不同导致ZnO纳米棒长度减小、直径变粗、结晶质量变差、纳米棒面密度减小。氧流量的减小使得ZnO纳米棒中的氧空位缺陷含量增加,导致位于约520nm处的绿光峰增强。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 化学气相沉积 发光性能
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电沉积ZnO纳米棒阵列膜制备及其透光性能研究 被引量:2
12
作者 叶锋 李晶晶 +3 位作者 王同涛 王永亮 刘芸 王新东 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期394-397,共4页
应用阴极恒电流电沉积法,以ZnC l2水溶液为电解液,在经预处理的ITO导电玻璃上制备ZnO纳米棒阵列,扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及透射光谱等测试表明,ZnO纳米棒阵列具有c轴高度择优取向,呈六方纤锌矿结构.当入射光波长大于380 nm... 应用阴极恒电流电沉积法,以ZnC l2水溶液为电解液,在经预处理的ITO导电玻璃上制备ZnO纳米棒阵列,扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及透射光谱等测试表明,ZnO纳米棒阵列具有c轴高度择优取向,呈六方纤锌矿结构.当入射光波长大于380 nm时,ZnO纳米棒阵列的透光率大于95%,并且禁带宽度变窄. 展开更多
关键词 zno纳米阵列 电沉积 预处理 透光性
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表面活性剂对ZnO纳米棒阵列生长的影响 被引量:2
13
作者 王冰 唐立丹 +2 位作者 刘哲 孙明明 王建中 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期610-614,共5页
以ZnO纳米棒阵列为研究对象,通过在晶种层中添加表面活性剂来改善水热合成ZnO纳米棒阵列的形貌、结构及其发光性能。结果表明:当添加表面活性剂的含量为0.02g/mL时,所得ZnO纳米棒为六方纤锌矿,沿着垂直于衬底的c轴生长,垂直度较高,纳米... 以ZnO纳米棒阵列为研究对象,通过在晶种层中添加表面活性剂来改善水热合成ZnO纳米棒阵列的形貌、结构及其发光性能。结果表明:当添加表面活性剂的含量为0.02g/mL时,所得ZnO纳米棒为六方纤锌矿,沿着垂直于衬底的c轴生长,垂直度较高,纳米棒的长径比和密度较未添加活性剂时分别提高2.1倍和2.4倍。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 表面活性剂 晶种层 水热合成
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原位生长的α-Fe_(2)O_(3)/ZnO异质纳米棒阵列对乙醇气体的高选择性检测 被引量:2
14
作者 隋丽丽 黄微微 +8 位作者 王平 徐英明 程晓丽 霍丽华 姜惠烨 赵冰 张文治 王政军 刘亚红 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期857-865,共9页
采用两步溶液法在陶瓷管上原位生长了ZnO纳米棒阵列,然后以ZnO纳米棒为载体,通过水热法在其表面负载α-Fe_(2)O_(3)纳米粒子,生成异质α-Fe_(2)O_(3)/ZnO复合纳米材料。α-Fe_(2)O_(3)/ZnO纳米棒直径30~80 nm,长1μm左右,交叉排列形成... 采用两步溶液法在陶瓷管上原位生长了ZnO纳米棒阵列,然后以ZnO纳米棒为载体,通过水热法在其表面负载α-Fe_(2)O_(3)纳米粒子,生成异质α-Fe_(2)O_(3)/ZnO复合纳米材料。α-Fe_(2)O_(3)/ZnO纳米棒直径30~80 nm,长1μm左右,交叉排列形成纳米棒阵列,α-Fe_(2)O_(3)纳米粒子粒径约10 nm,均匀分布在ZnO纳米棒表面。将纯ZnO和α-Fe_(2)O_(3)/ZnO纳米棒阵列制成气敏元件,测试并对比了2种气敏元件的气敏性能,揭示其气敏机理。结果表明:α-Fe_(2)O_(3)纳米粒子的复合显著提高了ZnO纳米棒阵列对乙醇气体的灵敏度和选择性,在工作温度370℃时,对100μL/L乙醇气体的响应值为85.4,是同条件下ZnO器件对乙醇响应值(9.4)的9.1倍,响应时间7 s,最低检出限为0.01μL/L。相关研究可以应用于痕量乙醇的快速、高灵敏度和高选择性检测。 展开更多
关键词 原位生长法 α-Fe_(2)O_(3) zno 纳米阵列 异质结构
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化学溶液沉积法制备ZnO纳米棒阵列及其光学性能 被引量:1
15
作者 王海锋 王树林 +2 位作者 蹇敦亮 丁浩冉 陈海燕 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期54-56,共3页
采用化学溶液沉积法,在经ZnO纳米粒子膜修饰的FTO导电玻璃基底上制备了ZnO纳米棒阵列,探讨了生长液浓度对ZnO纳米棒阵列形貌和光学性能的影响。利用XRD、FESEM、透射光谱和光致发光谱对样品的结构、形貌和光学性能进行了表征,结果表明,... 采用化学溶液沉积法,在经ZnO纳米粒子膜修饰的FTO导电玻璃基底上制备了ZnO纳米棒阵列,探讨了生长液浓度对ZnO纳米棒阵列形貌和光学性能的影响。利用XRD、FESEM、透射光谱和光致发光谱对样品的结构、形貌和光学性能进行了表征,结果表明,所制备的ZnO纳米棒为六方纤锌矿相,沿c轴择优取向生长;ZnO纳米棒阵列生长较为致密,取向性较一致,在可见光区具有很高的透光率,在378nm有很强的紫外发射峰;随着生长液浓度的降低,ZnO纳米棒阵列的缺陷可望大幅度下降。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 化学溶液沉积 生长液浓度 光致发光
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ZnO纳米棒阵列的制备、微结构及光学性能研究 被引量:2
16
作者 段军红 刘智昂 江茫 《南昌航空大学学报(自然科学版)》 CAS 2012年第1期41-46,共6页
采用简单的热蒸发法,成功制备了针尖状、无针尖和钉状ZnO纳米棒阵列。借助于X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)和透射电镜(TEM)对产物的形貌、微结构进行了分析。针尖状ZnO纳米棒为单晶结构,生长方向沿[0001]晶向,横截面为正六... 采用简单的热蒸发法,成功制备了针尖状、无针尖和钉状ZnO纳米棒阵列。借助于X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)和透射电镜(TEM)对产物的形貌、微结构进行了分析。针尖状ZnO纳米棒为单晶结构,生长方向沿[0001]晶向,横截面为正六边形。基于高分辨透射电镜(HRTEM)表征和晶体表面能分析,给出了ZnO纳米棒的形成机制。利用拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)研究了ZnO纳米棒阵列的光学特性。 展开更多
关键词 zno纳米阵列 热蒸发法 微结构 光学特性
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Mn掺杂ZnO纳米棒阵列的制备及其磁学性质研究
17
作者 李明辉 付乌有 +1 位作者 李伊荇 杨海滨 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期625-629,共5页
在95℃条件下通过水热方法制备出垂直于ITO基底高密度均匀生长的Mn掺杂ZnO(ZnO:Mn)纳米棒阵列.纳米棒的直径约为100纳米,长约1微米,且沿[001]方向生长.XRD和XPS结果证实了Mn以替位方式掺杂到纳米棒中,并且掺杂浓度与反应物中的Mn离子浓... 在95℃条件下通过水热方法制备出垂直于ITO基底高密度均匀生长的Mn掺杂ZnO(ZnO:Mn)纳米棒阵列.纳米棒的直径约为100纳米,长约1微米,且沿[001]方向生长.XRD和XPS结果证实了Mn以替位方式掺杂到纳米棒中,并且掺杂浓度与反应物中的Mn离子浓度似呈正比关系.所制备的ZnO:Mn纳米棒在室温均有铁磁性,其饱和磁化强度随反应物中Mn离子浓度的提高,饱和磁化强度呈现出先增大,5at.%时达到最大值,0.11emu/g,然后减小.铁磁性来源于取代Zn离子的Mn离子之间的铁磁交换相互作用. 展开更多
关键词 MN掺杂 zno 纳米 阵列 磁性
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直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究
18
作者 李婷 方芳 +7 位作者 周政 赵海峰 方铉 李金华 楚学影 魏志鹏 房丹 王晓华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1188-1193,共6页
利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和发光特性的研究。... 利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和发光特性的研究。所制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒的直径为350~400 nm,高度为10~11μm;室温PL谱观察到3个来源于Zn2GeO4的典型发光峰。最后,对CVD法制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒生长机理进行了分析。该种直立性良好的一维纳米棒材料可以广泛地应用到纳米光电子器件中。 展开更多
关键词 CVD 直立 Zn2GeO4/zno纳米阵列 发光特性
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ZnO纳米棒阵列提高发光二极管光抽取效率的研究
19
作者 王宁 林祖伦 +2 位作者 祁康成 曹贵川 王小菊 《电子器件》 CAS 2011年第6期618-620,共3页
为了提高大功率LED的光抽取效率,采用溶胶-凝胶法、水热生长法的两步生长工艺在大功率红光发光二极管(LEDs)表面制作ZnO纳米棒阵列结构进行研究。利用ZnO纳米棒形成的光波导,ZnO纳米棒侧面为辅助出光面,提高了LED芯片的光输出效率。测... 为了提高大功率LED的光抽取效率,采用溶胶-凝胶法、水热生长法的两步生长工艺在大功率红光发光二极管(LEDs)表面制作ZnO纳米棒阵列结构进行研究。利用ZnO纳米棒形成的光波导,ZnO纳米棒侧面为辅助出光面,提高了LED芯片的光输出效率。测试表明,所生长的ZnO纳米棒分布密度均匀,形貌一致;与未制作ZnO纳米棒前相比较,LED的电流-电压特性与发光光谱未发生明显变化;当输入电流为310mA时,光抽取效率提高约15%。 展开更多
关键词 发光二极管 光抽取效率 zno纳米阵列 溶胶-凝胶 水热生长
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CdSe/CdS纳米颗粒共敏化ZnO光电极的制备及光电化学性能研究
20
作者 毛永强 王继仁 李娜 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期52-54,共3页
采用电沉积法将CdS和CdSe纳米颗粒沉积在ZnO纳米线阵列上得到CdSe/CdS纳米颗粒共敏化ZnO光电极。利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪等对所得样品结构和形貌进行表征,并通过紫外-可见分光光度计和电化学工作站测试其光吸收性能... 采用电沉积法将CdS和CdSe纳米颗粒沉积在ZnO纳米线阵列上得到CdSe/CdS纳米颗粒共敏化ZnO光电极。利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪等对所得样品结构和形貌进行表征,并通过紫外-可见分光光度计和电化学工作站测试其光吸收性能和光电化学性能。结果发现,相对纳米颗粒单敏化CdS/ZnO光电极而言,纳米颗粒共敏化CdSe/CdS/ZnO光电极具有更好的可见光吸收性能,进而提高短路电流密度和光电转换效率分别到9.56mA/cm2和1.89%。 展开更多
关键词 zno纳米线阵列 电沉积法 cds/cdse纳米颗粒共敏化 光电化学性能
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