首先在氟掺杂的氧化锡导电玻璃(FTO)上水热生长一层TiO2纳米棒阵列薄膜,然后通过旋涂法旋涂ZnO籽晶层后水热法生长ZnO纳米棒得到TiO2/ZnO纳米棒阵列薄膜。通过XRD、SEM、PL、UV-Vis和电化学工作站等对单层TiO2纳米棒和TiO2/ZnO纳米棒的...首先在氟掺杂的氧化锡导电玻璃(FTO)上水热生长一层TiO2纳米棒阵列薄膜,然后通过旋涂法旋涂ZnO籽晶层后水热法生长ZnO纳米棒得到TiO2/ZnO纳米棒阵列薄膜。通过XRD、SEM、PL、UV-Vis和电化学工作站等对单层TiO2纳米棒和TiO2/ZnO纳米棒的结构、表面形貌、荧光性能、光吸收强度以及光电化学性质进行表征。结果表明,随着水热生长ZnO时间的增长,ZnO纳米棒密度增加;ZnO纳米棒的生长时间不同使其荧光强度不同,TiO2/Zn O纳米棒的荧光强度与单层TiO2纳米棒相比有着微小的减弱,没有明显的衍射峰;TiO2/ZnO纳米棒复合材料比单层TiO2的光吸收强度高,提高其光学性能,但是吸光区域都在紫外光区域;在标准模拟太阳光照射下,TiO2/Zn O纳米棒的光电流为0. 002 m A,单层TiO2纳米棒的光电流为0. 006 m A,复合薄膜的电流有着明显的变化。展开更多
用液相沉积法对纳米ZnO/TiO2进行了表面改性。用TEM、XRD和FTIR对产物进行了结构表征,用静态沉淀法分析了改性前后纳米ZnO/TiO2的分散稳定性,用紫外-可见分光光度计对其紫外屏蔽性能进行了检测。结果表明,改性纳米ZnO/TiO2表面存在致密...用液相沉积法对纳米ZnO/TiO2进行了表面改性。用TEM、XRD和FTIR对产物进行了结构表征,用静态沉淀法分析了改性前后纳米ZnO/TiO2的分散稳定性,用紫外-可见分光光度计对其紫外屏蔽性能进行了检测。结果表明,改性纳米ZnO/TiO2表面存在致密的氧化铝膜,产物经充分分散后在有机介质中或水中的稳定时间分别由改性前的2 m in和5 m in提高到2 h和1 d,紫外线透过率由改性前的大于8.5%降低到小于7%。展开更多
文摘首先在氟掺杂的氧化锡导电玻璃(FTO)上水热生长一层TiO2纳米棒阵列薄膜,然后通过旋涂法旋涂ZnO籽晶层后水热法生长ZnO纳米棒得到TiO2/ZnO纳米棒阵列薄膜。通过XRD、SEM、PL、UV-Vis和电化学工作站等对单层TiO2纳米棒和TiO2/ZnO纳米棒的结构、表面形貌、荧光性能、光吸收强度以及光电化学性质进行表征。结果表明,随着水热生长ZnO时间的增长,ZnO纳米棒密度增加;ZnO纳米棒的生长时间不同使其荧光强度不同,TiO2/Zn O纳米棒的荧光强度与单层TiO2纳米棒相比有着微小的减弱,没有明显的衍射峰;TiO2/ZnO纳米棒复合材料比单层TiO2的光吸收强度高,提高其光学性能,但是吸光区域都在紫外光区域;在标准模拟太阳光照射下,TiO2/Zn O纳米棒的光电流为0. 002 m A,单层TiO2纳米棒的光电流为0. 006 m A,复合薄膜的电流有着明显的变化。
文摘用液相沉积法对纳米ZnO/TiO2进行了表面改性。用TEM、XRD和FTIR对产物进行了结构表征,用静态沉淀法分析了改性前后纳米ZnO/TiO2的分散稳定性,用紫外-可见分光光度计对其紫外屏蔽性能进行了检测。结果表明,改性纳米ZnO/TiO2表面存在致密的氧化铝膜,产物经充分分散后在有机介质中或水中的稳定时间分别由改性前的2 m in和5 m in提高到2 h和1 d,紫外线透过率由改性前的大于8.5%降低到小于7%。
