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80MeVCu离子与Zn原子碰撞中双电子单光子的发射 被引量:1
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作者 董志强 周书华 +2 位作者 李景文 胡爱东 叶宗垣 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第S1期241-242,共2页
高速离子原子碰撞过程中,经历离子+原子-准分子-准原子-离子+原子过程。根据Fano和Lichten提出的电子提升分子轨道模型,在形成准分子的过程中,内壳层的电子可能被提升到更高的能级。如K壳层出现两个空穴,并且由外壳层的两个电子同时关... 高速离子原子碰撞过程中,经历离子+原子-准分子-准原子-离子+原子过程。根据Fano和Lichten提出的电子提升分子轨道模型,在形成准分子的过程中,内壳层的电子可能被提升到更高的能级。如K壳层出现两个空穴,并且由外壳层的两个电子同时关联跃迁,填充空穴,而只放出一个光子,这就是双电子单光子(TET)过程。 本实验是在HI-13串列加速器上进行的。用Si(Li)探测器测量能量为80MeV,电荷态分别为7+,8+,9+,10+,11+的Cu离子束打在Zn靶上产生的KX射线谱, 展开更多
关键词 原子碰撞 MeVCu离子 zn原子 内壳层 单光子发射 串列加速器 分子轨道 入射离子 子过程 线谱
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ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性研究 被引量:1
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作者 陈海霞 丁继军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期9083-9085,9092,共4页
ZnO薄膜中可见光的发射与缺陷有关,为了研究ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性,将不同Zn缓冲层厚度的ZnO薄膜沉积在Si衬底上,且所有样品在400℃下真空中退火1 h,采用X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构... ZnO薄膜中可见光的发射与缺陷有关,为了研究ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性,将不同Zn缓冲层厚度的ZnO薄膜沉积在Si衬底上,且所有样品在400℃下真空中退火1 h,采用X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构和光学特性。结果表明,随着Zn缓冲层溅射时间的增加,ZnO薄膜中的紫光峰向长波段发生了红移,且所有的发光峰强度逐渐增加;缓冲层和真空中退火都使得样品中有过量的Zn原子缺陷出现,薄膜中所有的发光峰与Zn原子缺陷相关。 展开更多
关键词 znO薄膜 zn原子缺陷 晶体结构 光学特性 光发射机制
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脯氨酸与Zn^(2+/1+/0)相互作用及性质 被引量:1
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作者 孙晓玲 金芩 +2 位作者 王燕妮 蔡跃飘 王朝杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1071-1085,共15页
运用M062X和X3LYP两种密度泛函理论(DFT)方法在TZVP和6-311++G(2d,p)+LANL2DZ基组水平上,对已报道的15种脯氨酸(Pro)构象分别与Zn2+、Zn+及Zn进行不同方式配位体系的几何结构、能量学特征、振动光谱和电子结构性质进行了计算研究.Pro-Z... 运用M062X和X3LYP两种密度泛函理论(DFT)方法在TZVP和6-311++G(2d,p)+LANL2DZ基组水平上,对已报道的15种脯氨酸(Pro)构象分别与Zn2+、Zn+及Zn进行不同方式配位体系的几何结构、能量学特征、振动光谱和电子结构性质进行了计算研究.Pro-Zn2+、Pro-Zn+和Pro-Zn三种体系分别得到19、21和24种稳定结构.Pro-Zn2+体系中Zn2+与Pro两性离子的氧端(OO)配位形成的四元环结构能量最低,其次是与Pro羧羰基氧和亚氨基氮配位形成的五元环结构,而Pro-Zn+体系与之相反.Pro-Zn2+/1+/0体系的相对能差逐渐降低,结合能分别位于-620--936,-139--325和-1.5--22 kJ·mol-1范围,配位Pro的变形能随价态降低而减小.ProZn2+体系受方法和基组影响较大,离子体系中Zn均获得少量负电荷,所有配位化合物的前线轨道能差均比相应两个碎片要低. 展开更多
关键词 脯氨酸 M062X X3LYP zn原子 zn离子
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硫化时间对两步硫化法制备ZnS薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 张超 张仁刚 +3 位作者 杨光 曹兴忠 张鹏 王宝义 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2022年第2期93-98,共6页
首先采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Zn薄膜,再先后于200℃和400℃温度下对Zn薄膜进行硫化处理以制备ZnS薄膜,借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、紫外-可见分光光度计等研究了硫化时间对所制ZnS薄膜性能的... 首先采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Zn薄膜,再先后于200℃和400℃温度下对Zn薄膜进行硫化处理以制备ZnS薄膜,借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、紫外-可见分光光度计等研究了硫化时间对所制ZnS薄膜性能的影响。结果表明,ZnS为六方晶体结构,在200℃及400℃和硫化时间均为1 h的条件下,所制ZnS薄膜的结晶性、光学性质、S/Zn原子比及组织均匀性最佳。 展开更多
关键词 znS薄膜 磁控溅射 硫化时间 晶体结构 光透过率 S/zn原子
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