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高功率1.55μm半导体激光器
被引量：
3
1
作者
黎荣晖
赵英杰
+1 位作者
晏长岭
钟景昌
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期90-92,共3页
1 .55μm半导体激光器有很多突出的优点 ,但普通的双异质结激光器功率小 ,且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器中 ,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过 2W的 1.55μmGaInAsP/InP半导体激...
1 .55μm半导体激光器有很多突出的优点 ,但普通的双异质结激光器功率小 ,且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器中 ,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过 2W的 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度T0 为 50～ 70K[1] ;而本文研制的大光腔结构为 10 0～ 140K。激光器的寿命超过 10 0
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关键词
半导体激光器
大光腔结构
液相外延
HIGH
POWER
1.55μm
SEMICONDUCTOR
LASER
LI
Ronghui
ZHAO
yingjie
Yan
Changling
Zhong
Jingchang
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职称材料
题名
高功率1.55μm半导体激光器
被引量：
3
1
作者
黎荣晖
赵英杰
晏长岭
钟景昌
机构
长春光学精密机械学院
出处
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期90-92,共3页
文摘
1 .55μm半导体激光器有很多突出的优点 ,但普通的双异质结激光器功率小 ,且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器中 ,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过 2W的 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度T0 为 50～ 70K[1] ;而本文研制的大光腔结构为 10 0～ 140K。激光器的寿命超过 10 0
关键词
半导体激光器
大光腔结构
液相外延
HIGH
POWER
1.55μm
SEMICONDUCTOR
LASER
LI
Ronghui
ZHAO
yingjie
Yan
Changling
Zhong
Jingchang
Keywords
semiconductor laser, large optical cavity(LOC), liquid phase epitaxy(LPE)
分类号
TJ-55 [兵器科学与技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率1.55μm半导体激光器
黎荣晖
赵英杰
晏长岭
钟景昌
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
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